長沙晚報消息，7月20日，湖南三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區舉行。湖南三安第三代半導體項目總投資160億元，總占地面積1000畝。湖南省委常委、長沙市委書記胡衡華宣布項目開工，長沙市委副書記、市長、湖南湘江新區黨工委書記鄭建新致辭，三安集團董事長林秀成、總經理林科闖出席。

據三安光電此前公告，6月15日，三安光電與長沙高新技術產業開發區管理委員會簽署《項目投資建設合同》。三安光電決定在長沙高新技術產業開發區管理委員會園區成立子公司，投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈。 項目實施主體為擬成立的長沙控股子公司，將研發、生產及銷售6吋SiC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。 三安光電稱，公司在用地各項手續和相關條件齊備后24個月內完成一期項目建設并實現投產，48個月內完成二期項目建設和固定資產投資并實現投產，72個月內實現達產。