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CMOS圖像傳感器制造的工藝問(wèn)題

lhl545545 ? 來(lái)源:麥姆斯咨詢 ? 作者:麥姆斯咨詢 ? 2020-06-29 09:55 ? 次閱讀

圖像傳感器廠商已經(jīng)找到了解決某些挑戰(zhàn)的方法。如:(1)采用新工藝:高K薄膜和其它制造技術(shù)。(2)芯片堆疊和互連技術(shù),將兩顆不同功能的芯片堆疊起來(lái)并不是什么新鮮事。但是新的互連方案,例如像素與像素互連(pixel-to-pixel)工藝還處于開(kāi)發(fā)階段。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,繼2019年CMOS圖像傳感器市場(chǎng)持續(xù)火爆之后,一些不可預(yù)見(jiàn)的全新挑戰(zhàn)正在悄然來(lái)臨。CMOS圖像傳感器是智能手機(jī)和其它產(chǎn)品拍照功能的核心傳感器,但現(xiàn)在正面臨著像素間距縮小相關(guān)的工藝難題。與所有芯片產(chǎn)業(yè)一樣,在新冠病毒疫情爆發(fā)期間,CMOS圖像傳感器的增長(zhǎng)步伐也將有所放緩。

CMOS圖像傳感器制造的工藝問(wèn)題

CMOS圖像傳感器采用8英寸和12英寸晶圓代工廠的成熟工藝制程,用于手機(jī)、汽車、消費(fèi)電子產(chǎn)品、工業(yè)和醫(yī)療系統(tǒng)、安防攝像頭。配置雙攝像頭和多攝像頭的智能手機(jī)已是司空見(jiàn)慣,每個(gè)攝像頭均需要集成一顆CMOS圖像傳感器將光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)以創(chuàng)建圖像。

CMOS圖像傳感器外觀示意圖

智能手機(jī)搭載的CMOS圖像傳感器數(shù)量還將增加,為攝像頭賦予高分辨率和豐富的功能。例如,三星最新5G智能手機(jī)搭載了五個(gè)攝像頭,其中一個(gè)是基于1.08億像素(108MP)CMOS圖像傳感器的后置廣角攝像頭。這相當(dāng)于要在如此小尺寸的芯片上集成超過(guò)1億的像素。根據(jù)TechInsights介紹,其用于自拍的前置攝像頭集成了一顆4800萬(wàn)像素的CMOS圖像傳感器,像素間距為0.7μm,號(hào)稱全球像素間距最小的CMOS圖像傳感器。

CMOS圖像傳感器上集成了許多微小的光敏像素。像素間距指從一個(gè)像素中心到另一個(gè)像素中心的距離,以微米(μm)為單位。并非所有手機(jī)都需要配備最先進(jìn)的CMOS圖像傳感器,也并非所有消費(fèi)者都樂(lè)于用手機(jī)拍照。但不可否認(rèn),消費(fèi)者對(duì)更多成像功能的追求不會(huì)停止。

UMC(聯(lián)華電子)營(yíng)銷技術(shù)總監(jiān)David Hideo Uriu表示,“從3G到4G,再到現(xiàn)在的5G,要求更高的帶寬數(shù)據(jù)性能,也帶動(dòng)了對(duì)高質(zhì)量攝像頭需求的增長(zhǎng)。除此以外,對(duì)更高像素和更佳分辨率的追求,都推動(dòng)了CMOS圖像傳感器的市場(chǎng)熱潮。智能手機(jī)在紅外和近紅外光譜的生物識(shí)別、3D傳感、增強(qiáng)人類視覺(jué)等應(yīng)用也逐漸得到關(guān)注。”

CMOS圖像傳感器廠商仍面臨一些挑戰(zhàn)。多年來(lái),他們一直在為減小像素間距而努力。這樣,圖像傳感器的像素越多,分辨率也越高。但是,隨著像素間距尺寸與光的波長(zhǎng)越來(lái)越接近,像素縮小變得越來(lái)越困難。豪威科技(OmniVision)工藝工程副總裁Lindsay Grant表示:“現(xiàn)在研發(fā)團(tuán)隊(duì)必須找到新方法來(lái)避免靈敏度降低和傳感器的串?dāng)_增加。”

另一種趨勢(shì)是CMOS圖像傳感器的像素大小保持不變,改進(jìn)方向從減少像素尺寸轉(zhuǎn)向提高圖像質(zhì)量。這個(gè)趨勢(shì)與用戶對(duì)更大手機(jī)屏幕、更佳拍照性能的需求一致,CMOS圖像傳感器的芯片尺寸則隨之增加。

盡管如此,圖像傳感器廠商已經(jīng)找到了解決某些挑戰(zhàn)的方法。如:(1)采用新工藝:高K薄膜和其它制造技術(shù)。(2)芯片堆疊和互連技術(shù),將兩顆不同功能的芯片堆疊起來(lái)并不是什么新鮮事。但是新的互連方案,例如像素與像素互連(pixel-to-pixel)工藝還處于開(kāi)發(fā)階段。

圖像傳感器市場(chǎng)動(dòng)態(tài)

圖像傳感器主要分為兩種:CMOS圖像傳感器(CIS)和電荷耦合器件(CCD)。CCD是電流驅(qū)動(dòng)器件,主要用于數(shù)碼相機(jī)和各種高端應(yīng)用。CMOS圖像傳感器則有所不同。據(jù)東電電子(TEL)官網(wǎng)信息:“CMOS圖像傳感器的每個(gè)像素都有一個(gè)光電二極管和一個(gè)CMOS晶體管開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)每個(gè)像素信號(hào)的放大。”

針對(duì)各種應(yīng)用,CMOS圖像傳感器的格式、幀率、像素尺寸和分辨率也各有不同。圖像傳感器分為全局快門(Global Shutter)和卷簾快門(Rolling Shutter)。例如,豪威科技最近推出的0.8μm 6400萬(wàn)像素圖像傳感器,實(shí)現(xiàn)1/1.7英寸格式。該傳感器可提供靜態(tài)圖像捕獲和4K視頻性能,配備2x2微透鏡相位檢測(cè)自動(dòng)(PHAF)對(duì)焦功能,可提高自動(dòng)對(duì)焦精度,以每秒15幀(15fps)輸出6400萬(wàn)像素畫面。

CMOS圖像傳感器廠商可分為兩個(gè)陣營(yíng):無(wú)晶圓廠(fabless)和IDM。IDM擁有自己的晶圓廠,而fabless公司則委托晶圓代工廠制造。無(wú)論哪種方式,在晶圓上完成圖像傳感器芯片后,都需要將其切割并進(jìn)行封裝。

根據(jù)Yole稱,約有65%的圖像傳感器采用12英寸晶圓。“對(duì)安防、醫(yī)療和汽車等眾多應(yīng)用來(lái)講,8英寸晶圓的CMOS圖像傳感器工藝制程仍然重要。”Lam Research(泛林半導(dǎo)體)戰(zhàn)略營(yíng)銷部的總經(jīng)理David Haynes說(shuō)。

索尼(Sony)是CMOS圖像傳感器廠商的霸主,其次是三星(Samsung)和豪威科技。根據(jù)IC Insights透露,其它重要廠商包括夏普(Sharp)、安森美(ON Semi)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、格科微(GalaxyCore)、海力士(SK Hynix)、松下(Panasonic)和佳能(Canon)。

根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù),2019年CMOS圖像傳感器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到184億美元,相比2018年增長(zhǎng)30%。“我們預(yù)測(cè)2020年CMOS圖像傳感器市場(chǎng)規(guī)模將出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)(下降3%),最終的市場(chǎng)規(guī)模約178億美元。受新冠疫情影響,手機(jī)和其它系統(tǒng)對(duì)CMOS圖像傳感器的需求下降,市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)的曲線將出現(xiàn)拐點(diǎn)。”IC Insights的分析師Rob Lineback這樣預(yù)測(cè)。

智能手機(jī)是CMOS圖像傳感器的主要市場(chǎng)。2018年平均每部手機(jī)有2.5個(gè)攝像頭。“2019年,平均每部智能手機(jī)的攝像頭數(shù)量已增加到2.8個(gè)。我們看到,到2020年,每部智能手機(jī)將配備三個(gè)攝像頭。”Yole分析師Guillaume Girardin說(shuō)。

不同智能手機(jī)廠商對(duì)攝像頭配置策略也不同。例如,蘋果iPhone 11 Pro后置三攝配置為:1200萬(wàn)像素廣角 + 1200萬(wàn)像素長(zhǎng)焦 + 1200像素超廣角。三星的5G手機(jī)配置了五個(gè)攝像頭,包括四個(gè)后置攝像頭和一個(gè)前置攝像頭,其中一個(gè)為ToF攝像頭,用于手勢(shì)識(shí)別和3D物體識(shí)別。

攝像頭的高分辨率不一定等同于能拍出更好的照片。“這是像素尺寸和分辨率之間的博弈,”Girardin說(shuō),“像素減小意味著有更多像素。當(dāng)分辨率超過(guò)4000萬(wàn)像素和5000萬(wàn)像素時(shí),捕獲細(xì)節(jié)的能力可能會(huì)超過(guò)肉眼。對(duì)于CMOS圖像傳感器來(lái)講,擁有更高的量子效率(QE)和信噪比的像素才是決定圖像質(zhì)量?jī)?yōu)劣最重要的要素。”

未來(lái),雖然智能手機(jī)無(wú)法取代專業(yè)攝影師的數(shù)碼單反相機(jī)。但顯然,智能手機(jī)提供了比以往更多的功能。維易科(Veeco)產(chǎn)品營(yíng)銷高級(jí)經(jīng)理Ronald Arif表示:“5G能帶來(lái)更多帶寬和潛在的應(yīng)用,例如體育賽事的8K流媒體現(xiàn)場(chǎng)直播,實(shí)時(shí)AR(增強(qiáng)現(xiàn)實(shí))、VR(虛擬現(xiàn)實(shí))、MR(混合現(xiàn)實(shí))游戲,這對(duì)手機(jī)用戶的吸引力是無(wú)窮的。最新5G手機(jī)中的攝像頭更加先進(jìn),整合了VCSEL的3D傳感功能,可用于自動(dòng)對(duì)焦或任何場(chǎng)所(如客廳)的3D投影映射(3D mapping)。可以想象,深度映射功能、5G與先進(jìn)攝像頭的組合會(huì)帶來(lái)豐富的新應(yīng)用(app),例如游戲、實(shí)時(shí)流媒體、遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)和視頻會(huì)議。”

近紅外(NIR)圖像傳感器是CMOS圖像傳感器廠商正在交付的創(chuàng)新產(chǎn)品。近紅外圖像傳感器可以探測(cè)到物體可見(jiàn)光譜之外的波長(zhǎng),專為在昏暗或黑暗環(huán)境中工作的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。豪威科技最新推出的近紅外技術(shù)Nyxel 2,使不可見(jiàn)的940nm近紅外光譜內(nèi)量子效率提高25%,而在幾乎不可見(jiàn)的850nm近紅外波長(zhǎng)處的量子效率提高17%。

索尼和Prophesee共同開(kāi)發(fā)了基于事件的視覺(jué)傳感器。這類傳感器主要面向機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用,可在各種環(huán)境中探測(cè)到快速移動(dòng)的物體。

像素尺寸縮小競(jìng)賽

幾年前,CMOS圖像傳感器廠商之間所謂的像素縮小競(jìng)賽就已拉開(kāi)帷幕。這里專指“像素間距”,即傳感器中像素之間的距離。目標(biāo)是(并且仍然是)在給定時(shí)間內(nèi)減小每一代產(chǎn)品的像素間距。較高的像素密度等于更高的分辨率,但并非所有傳感器都需要較小的間距。

幾年前,CMOS圖像傳感器的像素間距為7μm。CMOS圖像傳感器廠商一直在致力于減小像素間距,但問(wèn)題層出不窮。

CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。頂層為微透鏡陣列,下一層是綠色、紅色和藍(lán)色陣列的彩色濾光片,接著是由捕獲光線的光電二極管和其它電路組成的有源像素陣列。

CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)示意圖

有源像素陣列由許多微小的單個(gè)感光像素組成。每個(gè)像素由光電二極管、晶體管和其它元件構(gòu)成,像素大小以微米(μm)為單位。

像素尺寸越大的圖像傳感器,收集的光越多,信號(hào)越強(qiáng)。但圖像傳感器尺寸較大,會(huì)占用更多的電路板空間。像素尺寸較小的圖像傳感器,收集的光較少,但可以將更多的圖像傳感器封裝在一起,從而提高分辨率。

在晶圓代工廠中,圖像傳感器的制造流程有幾種。其中一種簡(jiǎn)單制造流程中,像素陣列已完成。制備流程從對(duì)襯底的正面處理開(kāi)始。晶圓與載片(carrier)或操作晶圓(handle wafer)鍵合在一起。對(duì)頂層進(jìn)行注入工藝,再進(jìn)行退火。在頂部涂上抗反射涂層,再完成彩色濾光片和微透鏡陣列。在另一種簡(jiǎn)單制造流程中,對(duì)硅襯底表面進(jìn)行注入。在頂部形成擴(kuò)散阱和金屬堆疊層。將晶圓翻轉(zhuǎn),在背面刻蝕出溝槽,在溝槽的側(cè)壁進(jìn)行隔離氧化層(liner)沉積并填充介電材料。最后在頂部完成濾光片和微透鏡陣列。

直到2009年,主流CMOS圖像傳感器均采用前照式(FSI)像素陣列結(jié)構(gòu)。工作時(shí),光線會(huì)照射到傳感器正面。微透鏡收集光并將其傳輸?shù)讲噬珵V光鏡。光穿過(guò)互連的堆疊并被二極管捕獲。電荷在每個(gè)像素處被轉(zhuǎn)換為電壓,所有像素的信號(hào)被收集。

多年以來(lái),在CMOS圖像傳感器廠商的努力下,經(jīng)歷了多次迭代,像素間距不斷減小。據(jù)TechInsights稱,2006年像素間距為2.2μm,2007年就減小到1.7μm。

像素間距為1.4μm的FSI結(jié)構(gòu)出現(xiàn),再次打破了產(chǎn)業(yè)壁壘。約從2009年開(kāi)始,CMOS圖像傳感器廠商開(kāi)始采用一種新的結(jié)構(gòu):背照式(BSI)。BSI結(jié)構(gòu)將圖像傳感器的光線入射方向從晶圓正面“反轉(zhuǎn)”至背面。當(dāng)光線從硅襯底的背面進(jìn)入,光子經(jīng)過(guò)光電二極管的路徑更短,從而提高了量子效率。

前照式(FSI)CMOS圖像傳感器和背照式(BSI)CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)示意圖

BSI結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步縮小像素尺寸。Lam的Haynes解釋:“像素尺寸在1.2μm至1.4μm的范圍內(nèi),BSI技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最佳像素尺寸,而堆疊式BSI可使這個(gè)像素尺寸范圍內(nèi)的COMS圖像傳感器的占位面積保持在30平方毫米以下。亞微米尺寸的像素,可以實(shí)現(xiàn)四分之一像素格式,獲得超過(guò)4800萬(wàn)像素的分辨率。”

除了BSI技術(shù),廠商還在對(duì)其它技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)。圖像傳感器內(nèi)的光電二極管(捕獲光的關(guān)鍵元件)也在縮小,但會(huì)降低效率。而且二極管靠得更近,會(huì)產(chǎn)生串?dāng)_。

在2010年左右,當(dāng)像素間距達(dá)到1.4μm時(shí),CMOS圖像傳感器廠商在制造工藝的創(chuàng)新方向又一次發(fā)生了改變:深溝槽隔離(DTI)。DTI工藝的目標(biāo)是使光電二極管“長(zhǎng)得更高”,從而增加單位面積的容量。為了實(shí)現(xiàn)DTI工藝,廠商依然采用BSI結(jié)構(gòu),并通過(guò)各種工藝增加光電二極管的“高度”,同時(shí)要求增加二極管周圍的硅的厚度。

不過(guò),像素尺寸的縮小速度已經(jīng)放緩。曾經(jīng)有一段時(shí)間,CMOS圖像傳感器廠商踩著每年縮小像素尺寸的節(jié)奏前行。但是,據(jù)TechInsights稱,從1.4μm(2008年)演進(jìn)到1.12μm(2011年),花了三年的時(shí)間,達(dá)到1μm(2015年)耗費(fèi)了四年,此后過(guò)了三年才達(dá)到0.9μm(2018年)。

TechInsights分析師Ray Fontaine在近期的博客中談到:“總體來(lái)說(shuō),我們認(rèn)為DTI和相關(guān)鈍化方案的開(kāi)發(fā),是導(dǎo)致1.12μm縮小到0.9μm進(jìn)程緩慢的主要原因。”

最近,廠商已解決了這些問(wèn)題。像素縮小競(jìng)賽的緊張氣勢(shì)再次燃起。2018年,三星突破了1μm的技術(shù)壁壘,達(dá)到0.9μm;索尼在2019年達(dá)到0.8μm,在2020年又突破了0.7μm。

對(duì)于亞微米級(jí)像素,CMOS圖像傳感器行業(yè)需要更多的創(chuàng)新。Fontaine在最近的演講中講到“隨著像素的縮小,需要更厚的有源(硅)來(lái)保證光電二極管尺寸。厚(硅)是DTI和相關(guān)高K鈍化層的關(guān)鍵技術(shù)。”

用高K薄膜制造的圖像傳感器與上述傳統(tǒng)流程基本一致。不同之處在于,高K薄膜是沉積在DTI溝槽的隔離氧化層上面。

對(duì)于高K工藝和其它工藝,廠商在晶圓代工廠中采用兩種不同的方法:前DTI(F-DTI)和后DTI(B-DTI)。豪威科技的Grant解釋:“F-DTI使用多晶硅填充間隙,多晶硅的電壓偏置可以改善表面釘扎效應(yīng)。F-DTI還可以進(jìn)行更多的熱處理以減少蝕刻損傷。B-DTI采用帶負(fù)電荷的高K薄膜來(lái)積累電荷,在表面出現(xiàn)費(fèi)米能級(jí)釘扎效應(yīng),從而抑制暗電流漏電。高K薄膜沉積采用原子層沉積(ALD)工藝完成。B-DTI通常使用氧化物填充間隙,也嘗試了金屬填充甚至空氣間隙,并已用于批量生產(chǎn)。”

像素縮小競(jìng)賽會(huì)繼續(xù)進(jìn)行嗎?Grant認(rèn)為:“像素尺寸很有可能小于0.7μm。隨著像素縮小到0.7μm,需要優(yōu)化的方面還很多。比如在B-DTI工藝中,對(duì)二極管的高能注入,彩色濾光鏡和微透鏡的光學(xué)結(jié)構(gòu)縮小等關(guān)鍵項(xiàng)目仍將是發(fā)展重點(diǎn)。像素內(nèi)晶體管和互連的基本設(shè)計(jì)規(guī)則需要更新。”

另一個(gè)問(wèn)題是移動(dòng)設(shè)備中圖像傳感器的像素間距正在接近光的波長(zhǎng)。Grant說(shuō):“有些人可能認(rèn)為這是像素尺寸的極限。例如,研發(fā)0.6μm的像素間距。它小于0.65μm(650nm)的紅光波長(zhǎng)。因此可能會(huì)出現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題:‘為什么要縮小到亞波長(zhǎng)?用戶會(huì)受益嗎?將像素縮小到亞波長(zhǎng)意味著在像素級(jí)別空間分辨率信息更有價(jià)值。’”

Grant指出,1.0μm像素的光學(xué)結(jié)構(gòu)使用了許多亞波長(zhǎng)特征。“例如,用于抑制串?dāng)_的窄金屬網(wǎng)格和用于量子效率改善的窄介電側(cè)壁正在通過(guò)光的引導(dǎo)而進(jìn)行改進(jìn)。這種納米光學(xué)工程已在現(xiàn)有像素技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)用多年,所以縮小到亞波長(zhǎng)并非革命。持續(xù)縮小的局限,可能來(lái)自用戶利益而不是技術(shù)。正是出于不斷發(fā)現(xiàn)像素縮小為最終用戶帶來(lái)價(jià)值的目的,才推動(dòng)著這一趨勢(shì)。只有這樣,CMOS圖像傳感器技術(shù)的開(kāi)發(fā)才會(huì)繼續(xù)支持這一方向。”

堆疊和互連技術(shù)

除了像素尺寸縮小以外,CMOS圖像傳感器還正在進(jìn)行其它創(chuàng)新,例如芯片堆疊。廠商還使用不同的互連技術(shù),例如硅通孔(TSV)、混合鍵合以及像素與像素互連(pixel-to-pixel)。

多年來(lái),圖像傳感器都將像素陣列和邏輯電路集成于同一顆芯片。2012年,索尼推出了兩層堆疊式圖像傳感器。芯片堆疊使廠商可以將傳感功能和處理功能拆分到不同的芯片。這允許傳感器具有更多功能,同時(shí)還可以減小管芯尺寸。

為此,索尼開(kāi)發(fā)了90nm工藝的像素陣列芯片。該芯片堆疊在一顆65nm圖像信號(hào)處理器(ISP)芯片上,該芯片提供處理功能。然后將兩顆芯片互連。

最終,其它廠商轉(zhuǎn)向了類似的芯片堆疊方案。通常,頂部像素陣列芯片采用成熟節(jié)點(diǎn)工藝。底部ISP芯片的工藝節(jié)點(diǎn)涉及65nm、40nm和28nm。14nm FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù)正在研發(fā)中。

在2018年,三星和索尼同時(shí)開(kāi)發(fā)了三層堆疊式圖像傳感器。例如,在索尼的CMOS圖像傳感器產(chǎn)品系列的一種版本中,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)單元位于圖像傳感器和邏輯電路層之間。嵌入式DRAM可實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)讀取。

除了芯片堆疊之外,廠商還開(kāi)發(fā)了不同的互連方案,該方案將一顆芯片與另一顆芯片互連。最初,豪威科技、三星和索尼使用硅通孔(TSV)技術(shù)。2016年,索尼轉(zhuǎn)向了一種稱為“銅混合鍵合”的互連技術(shù)。三星仍處于TSV陣營(yíng)中,而豪威科技則同時(shí)采用TSV和混合鍵合兩種工藝。

在混合鍵合中,使用銅-銅互連連接管芯。在晶圓廠中對(duì)兩片晶圓進(jìn)行處理,一片是邏輯電路,另一片是像素陣列。使用電介質(zhì)-電介質(zhì)鍵合(dielectric-to-dielectric bond)將兩片晶圓鍵合在一起,然后完成金屬與金屬的互連。

TSV和混合鍵合均可實(shí)現(xiàn)精細(xì)的像素間距。Lam的Haynes說(shuō):“在CMOS圖像傳感器像素和邏輯電路兩片晶圓堆疊的BSI結(jié)構(gòu),TSV和混合鍵合可能會(huì)繼續(xù)共存。但是隨著多層堆疊BSI圖像傳感器的發(fā)展,TSV集成將變得越來(lái)越重要。”

談起其它技術(shù)趨勢(shì)。KLA(科天)營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān)Steve Hiebert說(shuō):“將來(lái),我們有望看到與CMOS圖像傳感器芯片堆疊相關(guān)的兩種趨勢(shì)。首先是進(jìn)一步縮小像素間距,以實(shí)現(xiàn)更高的芯片互連密度。另一種是三個(gè)或更多器件的堆疊。”

pixel-to-pixel互連將是未來(lái)的“重磅炸彈”。Xperi正在開(kāi)發(fā)一種稱為“3D混合BSI”的技術(shù),用于像素級(jí)集成。索尼和豪威科技已經(jīng)展示了這項(xiàng)技術(shù)。

Xperi產(chǎn)品營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān)Abul Nuruzzaman說(shuō):“3D混合BSI可以實(shí)現(xiàn)更多的互連。實(shí)現(xiàn)每個(gè)像素與關(guān)聯(lián)的模數(shù)轉(zhuǎn)換的像素級(jí)互連。這允許對(duì)所有像素進(jìn)行并行的模數(shù)轉(zhuǎn)換。該連接提供了堆疊像素層和邏輯電路層之間的高密度電氣互連,從而實(shí)現(xiàn)了與有效百萬(wàn)像素?cái)?shù)量一樣多的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。混合鍵合還可以將堆疊式內(nèi)存中的專有內(nèi)存與對(duì)應(yīng)像素的互連。”

這種架構(gòu)支持大規(guī)模并行信號(hào)傳輸,從而可以高速讀取和寫入圖像傳感器的所有像素?cái)?shù)據(jù)。Nuruzzaman表示:“這可以為對(duì)時(shí)間要求非常嚴(yán)苛的各種應(yīng)用(例如自動(dòng)駕駛汽車、醫(yī)學(xué)成像和高端攝影)提供實(shí)時(shí)比例縮放像素的全局快門和高分辨率成像。”

結(jié)論

顯然,CMOS圖像傳感器市場(chǎng)是動(dòng)態(tài)變化的。在新冠疫情爆發(fā)期間,對(duì)于CMOS圖像傳感器廠商而言,2020年將是艱難的一年。

盡管如此,市場(chǎng)上還會(huì)涌現(xiàn)創(chuàng)新浪潮。IC Insights的Lineback表示:“嵌入式CMOS圖像傳感器和攝像頭在安防、安全、基于視覺(jué)的用戶界面和識(shí)別、物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛汽車和無(wú)人機(jī)等更多系統(tǒng)中的應(yīng)用前景依然可期。”
責(zé)任編輯:pj

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