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存儲(chǔ)芯片或供不應(yīng)求,將迎來新制程時(shí)代

汽車玩家 ? 來源:鉅亨網(wǎng) ? 作者:鉅亨網(wǎng) ? 2020-02-20 16:53 ? 次閱讀

歷經(jīng)一年多的景氣循環(huán),記憶體大廠庫存去化有成,加上供給端新增產(chǎn)能有限,今年受惠5G 時(shí)代來臨,供需將趨于平衡,甚至可望供不應(yīng)求;隨著產(chǎn)業(yè)將迎來好年,臺(tái)廠今年也將陸續(xù)有新制程技術(shù)問世,搭上產(chǎn)業(yè)景氣步入上升循環(huán)的多頭行情。

過去一年多以來,DRAM 原廠去化庫存有成,除去年第3 季旺季需求順利啟動(dòng)外,市場新產(chǎn)能也有限,在5G 需求帶動(dòng)下,加上智慧音箱、4K/8K 電視、ADAS(先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng))、物聯(lián)網(wǎng)人工智能等,也將持續(xù)推升DRAM 需求,業(yè)者看好,今年DRAM 供需將趨于穩(wěn)定,下半年甚至可能供不應(yīng)求。

NAND Flash 除供應(yīng)商庫存持續(xù)下降、供給成長也保守,同樣受惠5G 需求驅(qū)動(dòng),加上筆電搭載SSD 比重與容量顯著提升,資料中心客戶也積極備貨,且次世代游戲主機(jī)將搭載SSD 規(guī)格提升等,均成為刺激NAND Flash 需求增溫的動(dòng)能,今年NAND 價(jià)格可望走出去年雪崩慘況、穩(wěn)健向上,下半年也可能面臨供給短缺情況。

就在記憶體產(chǎn)業(yè)景氣將走出去年谷底之時(shí),臺(tái)廠新制程技術(shù)也將在今年相繼問世。旺宏NOR Flash 與NAND Flash 產(chǎn)品線,一路走來均堅(jiān)持自主研發(fā)技術(shù),去年成功量產(chǎn)19 納米SLC NAND Flash,持續(xù)追趕NAND Flash 大廠腳步,第一批產(chǎn)品SLC NAND Flash 4GB 產(chǎn)品已出貨美國機(jī)上盒大客戶。

除SLC NAND 外,旺宏今年下半年將量產(chǎn)48 層3D NAND Flash,屆時(shí)游戲機(jī)大客戶也可望采用,旺宏并預(yù)計(jì)于2021 年量產(chǎn)96 層3D NAND、2022 年量產(chǎn)192 層3D NAND。

華邦電擁有工研院技轉(zhuǎn)背景,早期DRAM制程主要來自由英飛凌分割出來的奇夢達(dá)授權(quán),但在奇夢達(dá)倒閉后,華邦電買下其46納米DRAM制程技術(shù),成為其自主研發(fā)基礎(chǔ),而后成功自主開發(fā)38奈米技術(shù),并于2018年第4季開始小幅量產(chǎn)25納米DRAM制程技術(shù)。

然而,2018 年第3 季起,DRAM 產(chǎn)業(yè)受美中貿(mào)易影響,加上終端需求趨緩,且供給端集中在下半年開出,DRAM 價(jià)格在第4 季終結(jié)連9 季上揚(yáng)態(tài)勢,而華邦電25 納米制程量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn),剛好碰上DRAM 市況反轉(zhuǎn)。

受到DRAM 市況不佳影響,華邦電25 納米新制程轉(zhuǎn)進(jìn)較為辛苦,客戶端驗(yàn)證速度趨緩,價(jià)格壓力也更大,去年第2 季25 納米占整體DRAM 營收占比僅約2 %,但第3 季起受惠傳統(tǒng)旺季需求順利啟動(dòng),到第4 季時(shí)占比已成長至6%,惟受到DRAM 價(jià)格下滑沖擊,加上25 納米開發(fā)成本高,第4 季單季營運(yùn)因此轉(zhuǎn)虧。

不過,華邦電看好,25 納米制程良率本季將趨于穩(wěn)定,新制程轉(zhuǎn)進(jìn)可望逐步步入軌道;而為下世代20 納米技術(shù)做準(zhǔn)備,華邦電也將在中科12 吋廠進(jìn)行新制程研發(fā),新設(shè)備裝機(jī)導(dǎo)入預(yù)計(jì)今年第2、3 季可望到位。

南亞科目前主力為20納米制程技術(shù),來自美光授權(quán),今年初并宣布成功開發(fā)出10納米級(jí)DRAM新型記憶胞技術(shù),再度走回自主研發(fā)之路,第一代10納米級(jí)前導(dǎo)產(chǎn)品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5,涵蓋消費(fèi)型、低功率與標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品,預(yù)計(jì)今年下半年陸續(xù)進(jìn)入試產(chǎn)。

第二代10 納米級(jí)制程技術(shù)已進(jìn)入研發(fā)階段,預(yù)計(jì)2022 年前試產(chǎn),也會(huì)開發(fā)第三代10 納米級(jí)制程技術(shù),確立下世代10 納米級(jí)DRAM 將采用自主研發(fā)技術(shù),不再走授權(quán),擺脫動(dòng)輒上百億元的授權(quán)金與專利費(fèi)用。

雖然目前臺(tái)廠在DRAM 與NAND Flash 市場,市占率仍不高,不過,隨著各家記憶體廠自主研發(fā)的新制程技術(shù)陸續(xù)量產(chǎn),與大廠間的技術(shù)差距也逐步縮小,而受惠5G 商機(jī)推升產(chǎn)業(yè)需求揚(yáng)升,今年記憶體將迎來好年,新制程技術(shù)的轉(zhuǎn)進(jìn)也可望搭上這波景氣上升循環(huán),趁勢起飛。

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