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三星電子12英寸閃存芯片二期第二階段項目正式啟動 總投資達150億美元

半導體動態 ? 來源:全球半導體觀察 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2019-12-26 11:42 ? 次閱讀

繼12月10日,西安三星電子閃存芯片項目二期第二階段80億美元投資啟動后,西安和三星的深化合作再次邁上一個新臺階。

據西安日報報道,12月15日,三星(中國)半導體有限公司12英寸閃存芯片二期第二階段項目正式啟動。

據了解,三星電子一期投資108億美元,建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目。二期項目總投資150億美元,主要制造閃存芯片,其中,第一階段投資約70億美元,明年3月竣工投產;第二階段投資80億美元,2021年下半年竣工。

項目一期于2014年5月竣工投產,項目二期于2018年3月正式開工建設,其中第一階段投資70億美元。三星(中國)半導體有限公司董事長任伯均表示,三星電子二期第一階段項目進展順利,明年三月將實現量產。

二期項目建成后將新增產能每月13萬片,占三星電子全球產量的40%,新增產值300億元,成為全球規模最大的閃存芯片生產基地,并帶動一批配套電子信息企業落戶,使西安形成較為完整的半導體產業鏈。

據西安日報報道,自2012年落戶西安以來,三星電子建成了高端存儲芯片、封裝測試項目和電子研發中心,涉及金融、貿易、動力電池、建筑工程等多個領域,累計投資250億美元,是三星海外投資歷史上投資規模最大的項目。
責任編輯:wv

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