德克薩斯州奧斯汀 - 國際Sematech公司的研究經理表示，他們對將光刻技術擴展到生產的可能性更加樂觀一組專家回顧了下一代157納米曝光工具關鍵材料的最新發展后，低于0.10微米技術節點的集成電路。

該聯盟首次在加利福尼亞州達納角舉行的157納米光刻國際研討會期間上周，有六家公司報告了為下一代光學工具開發新型光刻膠和掩模版保護薄膜材料的進展。 “基于所提供的信息，157-nm技術的置信水平顯著上升，”Sematech 157納米項目經理Rich Harbison表示。

Sematech本周未發布有關這些演示的詳細信息去年，該公司開始努力將光學光刻技術的應用擴展到157納米波長系統，以便在電路中生產90納米及以下的特征尺寸。雖然許多研究小組正致力于光刻技術的后光學技術，但Sematech和許多業內專家認為，在未來三年內，157納米系統可用于即將推出的0.10微米(100納米)工藝節點。

“157納米光刻技術的時機仍然是一個關鍵問題，”Sematech光刻技術總監Gerhard Gross說。 “為了在100納米節點上推出，生產工具必須在2003年初準備好。時間是我們現在最關心的問題。如果我們不能在2003年之前準備好工具，那么使用157-就太晚了nm技術。“

但Sematech官員表示，他們看到上周在為期三天的157納米研討會上提供的信息取得了實質性進展。會議上發表了超過65場演講，來自全球設備和材料供應商，半導體制造商，實驗室和大學的約300名專家參加了演講。

抗蝕劑材料開發工作的成果和總部位于奧斯汀的財團表示，薄膜被認為是重大突破。

“這是我們能夠克服157納米大多數有機材料和現有抗蝕劑的高吸光度的第一個證據，”Gene Feit說。 ，Sematech抗拒開發經理。該聯盟計劃在最近安裝在Sematech的Exitech Ltd.微型測試儀上設計用于157nm曝光的抗蝕劑(參見1999年12月22日的故事)。

用于薄膜 - 薄膜材料這可以保護光罩或光掩模免受缺陷 - 幾家公司的介紹表明，聚合物材料和“硬膜”已經取得了進展。據Sematech稱，麻省理工學院林肯實驗室現在希望在5月底之前測試這些聚合物材料的樣品，以評估它們的透射率和耐久性。

“去年，在157納米上獲得動力的重大進展是鑒于光罩的材料，“哈比森說。 “抗沖擊和薄膜的發展同樣重要，同樣重要的是推動這項技術的發展。”