DANVERS，馬薩諸塞州 - 宜必思科技公司今天宣布與三星電子達成聯合開發協議有限公司和三菱材料硅公司（Mitsubishi Materials Silicon Corp.）優化用于高性能CMOS半導體的絕緣體上硅（SOI）技術。

三家公司計劃建立三方合作伙伴關系，以提升宜必思通過氧離子注入（SIMOX）SOI改善器件可靠性，性能和其他制造優勢。根據協議，三星將使用Ibis的Advantox SIMOX-SOI晶圓制造CMOS器件，以驗證改進。三菱將對材料參數進行認證，提供晶圓基板，并與三星合作以確定結果。

“通過優化Advantox晶圓用于高性能CMOS器件應用，合作伙伴關系使Ibis受益，”總裁兼總裁Martin Reid表示。宜必思首席執行官，去年與三菱材料公司簽訂了SOI許可協議（見1999年11月30日，故事）。 “當然，客戶將通過這種合作伙伴關系獲得改進和增強的Advantox產品的好處，”他補充道。“

Ibis表示去年推出了Advantox基板產品組合，以努力擴大SIMOX-SOI晶圓的商業應用范圍，并增強Ibis 1000種植體系統的功能。