據DigiTimes的消息人士報道,NAND閃存的整體價格將在2020年急劇上升。該報告來自存儲器芯片制造商的多個消息來源,最有可能是SK Hynix,美光和三星等更著名的公司。隨著價格的上漲
2020-01-06 11:15:33
3821 最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比,具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優勢。
2013-08-29 10:46:51
2064 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/65/wKgZomUMPWuASKZQAAAKSunePL0571.jpg)
目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動力擴大產能了,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16
833 由于在今年的購物假期中消費者購買全新固態硬盤的需求不斷攀升,在接下來的數周甚至數月時間內NAND閃存的價格可能將持續拉升。根據DRAMeXchange公布的最新報告,2016年第3季度NAND閃存全球總營收同比增長19.6%,究其原因是因為在該季度使用閃存的產品尤其是智能手機呈現了巨大的需求。
2016-12-05 16:28:10
659 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/9C/wKgZomUMPxGAIyr6AADoHaPm9ZA744.jpg)
據海外媒體報道,去年下半年以來NAND Flash市場供不應求,主要關鍵在于上游原廠全力調撥2D NAND Flash產能轉進3D NAND,但3D NAND生產良率不如預期,2D NAND供給量又因產能排擠縮小,NAND Flash市場出現貨源不足問題,價格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:37
1380 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/AF/wKgZomUMP6SAbYSMAAKJ1J3fC_o694.png)
國產手機勢頭越來越強勁,把三星和蘋果的市場份額搶占不少,但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時表示,長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存,這個消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:04
2255 2018年DRAM,NAND Flash價格則呈現兩漲情,出現一漲一跌的局面,其中的關鍵則是供給端的部分,特別是國際大廠是否突破制程瓶頸,將攸關整體市場的供需結構。
2018-06-26 09:00:23
5573 本文轉自公眾號,歡迎關注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:32
5876 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8A/6B/wKgaomSSV2aAUZ5mAAA2PO0RB8g422.png)
NAND閃存是一種電壓原件,靠其內存電壓來存儲數據。
2023-07-12 09:43:21
1446 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/87/wKgaomSuBdGAHbl-AAA2_pB6r_U383.png)
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導體業,有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
,今年E4工廠總產能將達到52K/M。此外,2018年LGD還將為E4生產線再增加第三階段產能,仍然為26K/M。LGD的確正在不斷擴大OLED TV面板產能。除了上述OLED面板產能,還有消息透露
2018-11-13 16:29:01
?我可以將 NAND 閃存分成兩個分區嗎:應用程序代碼的第一個分區第二個分區將被格式化為 FAT32 文件系統
2023-03-29 07:06:44
根據數據表,斯巴達6家族有廣泛的第三方SPI(高達x4)和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是,如果它支持NAND閃存,我不太清楚嗎?我想構建和FPGA + ARM平臺,我當時
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家,任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設計他的7020定制板,并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
的3D閃存了,三星公司7月初宣布了第五代V-NAND閃存(3DNAND閃存中的一種),率先支持ToggleDDR4.0接口,傳輸速度達到了1.4Gbps,相比64層堆棧的V-NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創建自己的外部加載器(我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器)。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應 nand 閃存 hal 函數和一個鏈接器來構建 .stldr?我走對路了嗎?
2022-12-20 07:17:39
或SD的SPI接口。我們將推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一個核心,但它們在AXI總線上。只是想知道是否有人找到了將ONFI閃存
2020-06-17 09:54:32
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器,主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態驅動器(SSD)等產品中。除了存儲單元陣列以外,它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年
2010-08-30 15:48:01
183 傳東芝將投入89.4億美元擴大NAND閃存產能
消息人士周三透露,東芝未來三年內將投入8000億日元(約合89.4億)美元,在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片
2010-02-11 09:06:32
1434 爾必達計劃收購Spansion NAND閃存業務
據國外媒體報道,日本爾必達公司表態計劃收購美國Spansion(飛索半導體)旗下的NAND閃存業務資產。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19
660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在:
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:35
8226 華邦提高90納米串行閃存產能
華邦電子股份有限公司宣布,該公司已售出超過十億枚SpiFlash串行閃存器件,達到了一個重大的業界里程碑。此外,華邦電子宣布其設在臺中
2010-04-13 09:42:28
654 NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23
770 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/99/wKgZomUMOSyAbmPUAAD7oMUrVf8134.jpg)
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業領先的50納米(nil])制程技術的NAND閃存,這兌現了它們對快速提升技術領先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09
632 東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產量削減30%,為2009年以來首次減產。
2012-07-24 09:08:06
793 017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%,隨著業者加速轉進3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續一整年。
2016-12-23 09:38:18
653 需求回溫、產能擴增有限,供需失衡下,DRAM價格在2016年下半逆勢翻轉,而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉進3D NAND良率還未提升下,同樣面臨缺貨。先前調研機構集邦科技、IHS都預估
2016-12-23 16:22:38
1010 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/9F/wKgZomUMPyyAaPNVAAA60Yl9DxQ418.jpg)
三星NAND閃存規格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:26
35 是芯片復位后進入操作系統之前執行的一段代碼,完成由硬件啟動到操作系統啟動的過渡,為運行操作系統提供基本的運行環境,如初始化CPU、堆棧、初始化存儲器系統等,其功能類似于PC機的BIOS. NAND閃存
2017-10-29 11:29:27
2 今年Q1季度到Q2季度以來,NAND閃存價格一直在下滑,市場供需情況已經變了,本來預計Q3季度會有蘋果新機拉貨導致的需求提升,藉此提振下NAND價格,不過現在來看這些廠商想的太樂觀了,Q3季度NAND閃存價格還會繼續下滑,這種情況持續下去,不排除2020年NAND市場大洗牌。
2018-07-17 11:58:00
681 層3D閃存的產能良率(四季度超80%)爬升,市場會處在一種供需平衡的局面,從而自然延續NAND Flash合同價的下降趨勢。
2018-06-28 10:19:00
895 DVEVM可以啟動或(默認),與非門,或通用異步接收機/發射機(UART)。NOR 閃存提供了一個字節隨機的優點訪問和執行就地技術。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉換層(FTL)軟件讓它訪問;然而,由于它的價格低,速度快,壽命長,許多客戶想設計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:57
9 對于許多消費類音視頻產品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案,這在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:00
9847 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/52/D9/pIYBAFsXk3OAYaIEAAAYYddMYho964.gif)
用于擴充產能的資本支出超出市場實際需求,毫無疑問,將導致NAND閃存價格下滑。實際上,自2018年開始,NAND閃存價格已現疲弱。而且,價格走軟有望從2018年下半年一直持續到2019年。
2018-07-13 11:45:37
8876 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/57/98/pIYBAFtIIUeAcRJjAAAWrkfIlHo774.png)
據外媒7月10日報道,頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規模生產其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:05
3682 美光、三星釋放信號僅是個開端,SK海力士、Intel、東芝、西數/閃迪等都表態在幾年內將持續擴充閃存產能,為跨入96層、甚至更高層數而加大投入力度。可見,3D NAND閃存已經成為國際存儲器廠商間的“主戰場”。
2018-07-17 10:34:08
4865 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/57/D8/pIYBAFtNVhOAEwh6AAAttFX74_Y881.png)
今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司,他們本周一正式收購了華亞科公司,內存業務如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:03
1188 今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態,主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢,低于預期。
2018-09-16 10:38:14
509 從NAND閃存中啟動U-BOOT的設計 隨著嵌入式系統的日趨復雜,它對大容量數據存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應用。NAND閃存 設備就是
2018-09-21 20:06:01
485 CCLA統計數據來看,在我國國內企業(包括在中國大陸投建的外資企業)的各類覆銅板總產能,以及半固化片商品的產能,從2018年到2020年將有很大增加。預測到2020年我國各類覆銅板總產能將達到約10億㎡/年。
2018-11-18 11:07:42
6105 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/6F/CA/pIYBAFvw16KARnqaAAANo6-0m_o061.jpg)
從Q1季度之后,NAND閃存價格就止不住下滑了,主要原因是廠商的64/72層堆棧3D NAND閃存產能大增,而需求卻降下來了,智能手機市場已經連續多個季度下滑,蘋果新機不如預期,英特爾CPU缺貨
2018-11-20 10:14:14
623 推出64層/72層3D NAND,預計從下半年開始將陸續進入量產階段,屆時3D NAND產能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:57
1115 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數據,閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:24
1684 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數據,閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:34
5462 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A7/50/wKgZomUMQ8-AWoBUAAAXWBMpoxg060.png)
8 寸晶圓需求持續成長,國際半導體產業協會(SEMI)預期,全球 8 寸晶圓廠產能也將不斷增加,未來 4 年 8 寸晶圓廠產能將增加 70 萬片,增幅約 14%。
2019-02-13 16:40:23
8203 IDC調整了其對NAND閃存的供需預測,稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長39%和38%。并預計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。 據IDC數據顯示,2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01
282 IDC調整了其對NAND閃存的供需預測,稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長39%和38%。并預計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。
2019-03-24 10:05:26
582 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/8B/CD/pIYBAFyW5eiAH0bjAACx6cDo1TA120.jpg)
據業內人士預測,NAND閃存價格的大幅下滑將加速SSD存儲的采用,到今年底前PCIe/NVMe SSD可能將占據市場一半的份額。
2019-04-02 10:34:43
2724 2019年全球半導體市場從牛市進入了熊市,領跌的就是DRAM內存及NAND閃存兩大存儲芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價,迄今已經連跌了6個季度。
2019-05-12 09:37:22
2630 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數等公司中,國內主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存,小批量量產了32層堆棧的3D閃存,但對市場影響有限,今年該公司將量產64層堆棧的3D閃存,產能將會積極擴張。
2019-05-16 10:18:14
3302 臺積電近日舉辦技術論壇,今年臺積電(TSM.US)總產能將以7納米成長最多,第二代加入EUV的7納米預計第3季量產,今年7納米總產能將增加1.5倍,達到100萬片約當12吋晶圓。而5納米一期也已開始裝機,預計明年第1季量產。
2019-05-25 11:40:07
4818 ,但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進的工藝帶來了更大的容量,但是其可靠性和性能卻在下降,因為工藝越先進,NAND的氧化層越薄,其可靠性也就越差,廠商就需要采取額外手段彌補這一問題,這必然會提高成本,以至于在達到某個最高點之后完全抵消掉制造工藝帶來的優勢。
2019-11-14 15:52:18
765 從去年初以來,全球NAND Flash閃存市場價格已經連跌了6個季度,導致的后果就是六大NAND閃存供應商營收及盈利不斷下滑,多家廠商還削減了產能,其中美光削減的NAND產能從之前的5%增加到了10
2019-11-14 15:58:53
502 根據韓國媒體報導,半導體硅晶圓廠環球晶圓(GlobalWafers)的韓國子公司MKC,22日舉行第2座工廠的竣工典禮。據了解,未來在第2工廠的加入之后,其月產能將可達到17.6萬片晶圓。
2019-11-25 11:19:23
3378 據韓媒BusinessKorea報道,市場研究公司預測,基于固態硬盤(SSD)密度和性能提升,明年全球NAND閃存需求將增加,5G通信、人工智能、深度學習和虛擬現實將引領明年全球DRAM和NAND閃存市場的增長。
2019-12-20 15:18:46
3156 任何了解SD卡,USB閃存驅動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎知識的人都知道,控制這些最小化故障率的關鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00
634 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/B1/F6/o4YBAF4GtEGAcjCCAABltPhLf5k991.png)
在搶先推出7nm及7nm EUV工藝之后,臺積電今年又要搶先量產5nm工藝了,上半年的產能將達到1萬片晶圓/月,不過出貨的高峰期是Q3季度,產能將提升到7-8萬片晶圓/月,主要為蘋果、海思包攬。
2020-01-15 09:18:05
2735 楊道虹表示,目前及今后的一段時間內,長江存儲核心任務是推動產能爬坡提升,將盡早達成64層三維閃存產品月產能10萬片并按期建成30萬片/月產能,提升國家存儲器基地的規模效應,帶動全省集成電路產業發展。
2020-01-15 09:31:29
2520 根據國科微官方的消息,國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態硬盤產品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:49
5053 在NAND閃存市場,三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產能,留給其他廠商的空間并不多。國內公司中,兆易創新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進24nm閃存研發。
2020-04-02 08:54:34
2726 近日,三星電子宣布了在韓國平澤廠區的擴產計劃,除擴建采用極紫外光(EUV)的晶圓代工生產線及DRAM產能之外,還將擴大3DNAND閃存方面的產能規模。業界預估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:17
3162 無論消費者還是企業機構,大多數人在談到閃存時,首先想到的就是NAND閃存。從一定的現實意義上來講,NAND閃存可以說已經成為固態硬盤的代名詞。基于塊尋址結構和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:03
14751 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C3/74/pIYBAF8iOViABqdtAAE3_dJWCYw426.png)
通常情況下,固態硬盤(SSD)的底層NAND架構會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對您的數據存儲產生不同的影響,在這篇文章中,我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46
716 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C5/1A/o4YBAF9IdaOAFdEwAACmprG7qNk010.jpg)
DIGITIMES報道,供應鏈傳出,今年進入第四季后,蘋果Apple Silicon自研芯片所使用的臺積電5nm產能將提升,預計月產能達5000-6000片,后續單季有望達20000片。
2020-09-09 16:37:36
1733 我們都知道,構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:52
7052 據國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:49
2025 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:21
2081 IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業紀錄,實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:57
1857 存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:55
2599 根據外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司發布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術
2020-12-07 16:16:23
2416 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著2D NAND容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:49
2766 下半年將產能翻倍,達到10萬晶圓/月,產能占到全球份額的7%,力求縮短與國際公司的差距。 在這方面,三星是全球最大的閃存生產商,月產能達到48萬片晶圓,美光每月的產能也有18萬晶圓。 除了產能增長,技術水平上也在追趕,知情人士稱長江存儲最快在2021年中旬試產
2021-01-12 14:37:42
6603 昨天日經新聞亞洲版報道稱,長江存儲2021年的產能將翻倍,達到10萬片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產,不過長江存儲今天否認相關內容。
2021-01-14 09:53:58
3573 昨天日經新聞亞洲版報道稱,長江存儲2021年的產能將翻倍,達到10萬片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產,不過長江存儲今天否認相關內容。
2021-01-14 10:21:38
2074 NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結構。它的名字來源于邏輯門(NOT-AND),用于確定數字信息如何存儲在閃存設備的芯片中。
2021-03-02 17:54:14
3918 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/E2/BA/o4YBAGA-C3GAQjmMAAIFBGtjLCI827.png)
寫入問題確實是NAND閃存的在企業級應用中的一個限制么?
2021-04-01 17:50:56
2894 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規范模式。
2021-08-05 15:30:56
1299 在3D NAND技術賽跑中,三星長期處于領先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:15
2100 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/4B/5C/pYYBAGKoNuuARp8IAAICnVSNU7M584.png)
NAND閃存芯片供應商現在面臨四到五個月的庫存。今年下半年,芯片價格將迅速下降,季度價格降幅達到近20%。
2022-09-27 10:11:58
647 在NAND閃存的應用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:11
1230 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/72/6F/poYBAGNWMReAQxXfAAGIYRViwiY106.png)
圍繞基于NAND閃存的存儲系統的對話已經變得混亂。通常,當人們討論存儲時,他們只談論NAND閃存,而忽略了單獨的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32
863 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/73/51/pYYBAGNXPDeAekb9AAFycyMNels646.png)
在NAND閃存的應用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:43
1519 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/7F/46/pYYBAGOG_7KAJMC6AAGGToUDhpY253.png)
本規范定義了標準化NAND閃存設備接口,該接口提供了設計的系統支持一系列NAND閃存設備,無需直接設計預關聯。該解決方案還為系統提供了無縫利用在系統設計時可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:45
0 一、NAND閃存市場分析 據歐洲知名半導體分析機構Yole發布的報告顯示,2020年起,NAND閃存市場發展趨勢保持穩定增長,2021年,NAND閃存市場份額達到了近670億美元(見圖1),同年
2022-12-26 18:13:09
991 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/86/8A/poYBAGOpc_GASLypAAFh9KTZXxg586.png)
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
2147 內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區,硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:00
1983 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達到最高
2023-07-19 19:02:21
865 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53
282 潘建成表示,群聯當前正面臨供應短缺問題,若NAND閃存制造商以合理價格提供穩定的供應,將有助于緩解群聯的困境。他認為,原廠擴大產能,有利于維護NAND市場秩序,使價格合理回歸,否則過高的漲勢會打壓下游廠商需求。
2024-03-05 14:05:04
81 據最新報道,全球領先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產策略,并計劃在本月內將開工率提升至90%。這一策略調整反映出市場需求的變化和公司對于行業發展的積極預期。
2024-03-07 10:48:35
264 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22
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