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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>誰能打破DRAM存儲器的三足鼎立格局?

誰能打破DRAM存儲器的三足鼎立格局?

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DRAM,SRAM,SDRAM的關(guān)系與區(qū)別

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在本文中,我們將介紹一種新型的非易失性DRAM,以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計算技術(shù)中必不可少的組件,但并非沒有缺陷。在本文中,我們將研究一種新提出的存儲器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20

三足鼎立時代 近期平板電腦新秀大匯總

`` 經(jīng)常關(guān)注平板電腦的朋友們都不難發(fā)現(xiàn),近期平板界已經(jīng)呈現(xiàn)了三足鼎立的局面,隨著蘋果iPad mini以及iPad 4的相繼上市銷售,而以微軟Surface為首的大批Windows 8/RT平板也
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存儲器 IC 分類的糾結(jié)

以分成SRAM(Static RAM:靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM:動態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫,翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
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存儲器映射是什么意思

存儲器映射是什么意思?其映射過程是怎樣的?
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存儲器的價格何時穩(wěn)定

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2019-07-16 08:50:19

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SRAM:其特點是只要有電源加于存儲器,數(shù)據(jù)就能長期保存。  2、動態(tài)DRAM:寫入的信息只能保存若干ms時間,因此,每隔一定時間必須重新寫入一次,以保持原來的信息不變。  可現(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
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2017-12-21 17:10:53

存儲器的層次結(jié)構(gòu)及其分類

目錄【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理:結(jié)構(gòu):芯片參數(shù)與引腳解讀:CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理:結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀:【5】存儲器系統(tǒng)設(shè)計【6】存儲器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48

存儲器的帶寬是多少?

**第一至第章**Q1. 若存儲器的數(shù)據(jù)總線寬度為32位,存取周期為200ns,則存儲器的帶寬是多少?存儲器的帶寬指單位時間內(nèi)從存儲器進(jìn)出信息的最大數(shù)量。存儲器帶寬 = 1/200ns ×32位
2021-07-28 06:23:01

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存儲器重新映射(Remap)的原因

的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲在Flash/ROM中,初始這些存儲器地址是從0開始的,但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長,造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高,故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去,然后重新映射存儲器空間,將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0,重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運行的目的。
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問題一:位圖都存儲在哪了?都在程序存儲器里嗎問題二:能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中?問題:F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大?
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方式隨機(jī)存取存儲器(RAM)靜態(tài) RAM(SRAM)動態(tài) RAM(DRAM)動態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲器(ROM)存儲容量的擴(kuò)展存儲器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲器概述
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2022-01-26 06:05:59

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計 1、引言 當(dāng)代計算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長,存儲器芯片每年僅僅增加10%的
2009-12-31 10:57:03714

為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo) 存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬,使其半
2010-01-18 16:07:21499

TeliaSonera擴(kuò)容LTE網(wǎng)絡(luò) 三足鼎立局勢形成

TeliaSonera擴(kuò)容LTE網(wǎng)絡(luò) 三足鼎立局勢形成  據(jù)國外媒體報道,北歐運營商TeliaSonera選擇愛立信和諾西擴(kuò)容其在瑞典和挪威的LTE商用網(wǎng)絡(luò),此前華為是奧斯陸LTE網(wǎng)絡(luò)的唯一
2010-01-20 10:00:49450

全球最薄動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)

日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布,已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM),4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993

[6.3]--存儲器

存儲器
jf_90840116發(fā)布于 2023-02-20 02:41:45

主流存儲器三足鼎立 國產(chǎn)之路任重而道遠(yuǎn)_存儲器,云計算,集成電路

存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。在計算機(jī)的運算過程中,輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都會保存在存儲器里,可以說存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的核心部件之一。
2016-12-07 10:09:12842

HVR 、DVR、NVR三足鼎立

HVR 、DVR、NVR三足鼎立
2016-12-27 22:20:270

半導(dǎo)體行業(yè)三足鼎立 誰將坐上芯片霸主之位

近年來,英特爾、三星與臺積電三足鼎立之勢已成,龍頭地位爭奪戰(zhàn)愈演愈烈。與此同時,隨著智能硬件對芯片性能、功耗的要求提升,對先進(jìn)工藝的掌控成為三家企業(yè)互相競爭的主要手段之一。
2017-01-04 14:52:111232

華為OV三足鼎立,占據(jù)安卓手機(jī)半壁江山!占據(jù)市場份額秒殺其他一切安卓機(jī)!

今日,微博與市場調(diào)研公司賽諾聯(lián)合發(fā)布《2016年智能手機(jī)微報告》。該報告基于對2016年微博用戶活躍行為數(shù)據(jù)的定量分析。研究發(fā)現(xiàn),華為、OPPO、vivo三大國產(chǎn)品牌已形成“三足鼎立”的新格局
2017-04-17 11:18:32889

存儲器芯片DRAM/NAND/RRAM技術(shù)詳解

日前,存儲器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會,會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649

FPGA存儲器項使用DRAM的方法技術(shù)解析

FPGA中的存儲DRAM 某些FPGA終端,包含板載的、可以動態(tài)隨機(jī)訪問的存儲塊(DRAM),這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問,速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù),而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740

紫光國芯攜手長江存儲開展DRAM合作

紫光國芯26日在互動平臺表示,公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計,目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力,公司會考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848

打破存儲器國外把持,紫光要圓自產(chǎn)夢,啟動南京存儲器基地

紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片,一期占地約700畝,二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠,另一個紫光大型的存儲器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實質(zhì)啟動。
2017-11-28 12:54:401970

存儲器市況目前呈現(xiàn)兩類,DRAM歡喜NAND憂

目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過于求,價格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲器分析

存儲器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972

DRAM存儲器市場將保持量價齊增態(tài)勢

存儲器市場爆發(fā),DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達(dá)到60%,首次超越邏輯電路,成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中,三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074

電池行業(yè)三足鼎立的平衡狀態(tài)被打破,方形電池大“發(fā)威”

在動力電池市場,方形、圓柱、軟包作為動力電池“三劍客”過去一段時間一直處于三足鼎立狀態(tài),其中方形電池的市場份額領(lǐng)先于軟包和圓柱,但總體相對平衡。而如今這種局面已悄然發(fā)生改變,三足鼎立的平衡狀態(tài)已經(jīng)
2018-08-05 09:00:001565

動力電池市場呈現(xiàn)中日韓三足鼎立格局 歐洲欲用電池新技術(shù)搶占地位

在中國的力推下,新能源汽車的銷量持續(xù)高速增長,而在新能源汽車的核心技術(shù)——動力電池方面當(dāng)下正呈現(xiàn)中日韓三足鼎立格局,面對這個龐大以及事關(guān)汽車行業(yè)未來的領(lǐng)域,歐洲企業(yè)不希望落在后面,正欲在動力電池新技術(shù)上取得后來居上的地位。
2018-09-10 09:44:00688

DRAM芯片市場及“三足鼎立”的局面是如何形成的?

在整個電子產(chǎn)業(yè)鏈中,存儲芯片扮演著至關(guān)重要的角色,它好比行軍打仗的糧草,也被譽(yù)為電子系統(tǒng)的“糧倉”。存儲芯片分為閃存和內(nèi)存,閃存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH,內(nèi)存主要為 DRAM,本文將主要給大家講解DRAM芯片市場及“三足鼎立”的局面是如何形成的。
2018-10-10 17:30:344272

半導(dǎo)體存儲器分類

隨機(jī)存取存儲器(RAM)特點:包括DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時,其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分),SRAM主要用于高速緩存存儲器
2019-01-07 16:46:4915156

存儲器將與晶圓代工跨界經(jīng)營全新存儲器

過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來臨的時代,存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場,而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742

中國將自主研發(fā)DRAM存儲器

業(yè)內(nèi)研究人員表示,中國目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲器工廠,旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653

華為鴻蒙被迫營業(yè) 華為想要的三足鼎立是否有戲

世界上占有量最大的谷歌系統(tǒng)Android,還有排名第二的蘋果IOS。現(xiàn)在,誕生了華為鴻蒙系統(tǒng),華為能與之形成三足鼎立嗎?
2020-09-25 10:13:221425

易失性存儲DRAM是什么,它的主要原理是怎樣的

DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單,每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-11 15:11:293686

DRAM、NAND和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析

最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會,Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM,NAND,新興和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752

關(guān)于存儲器的分類與介紹

隨機(jī)存儲存儲器,可讀可寫,分為SRAM和DRAM,即靜態(tài)隨機(jī)存儲器和動態(tài)隨機(jī)存儲器,理解上靜動態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好,而成本較高,通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:063763

單片機(jī)的存儲器

Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2021-12-02 10:06:053

動態(tài)隨機(jī)存儲器集成工藝(DRAM)詳解

在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中,動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM)和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進(jìn)的 DRAM 存儲單元有兩種,即深溝
2023-02-08 10:14:575004

淺析動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中,動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM)和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器
2023-02-08 10:14:39547

SRAM存儲器的工作原理

SRAM也是易失性存儲器,但是,與DRAM相比,只要設(shè)備連接到電源,信息就被存儲,一旦設(shè)備斷開電源,就會失去信息。 這個設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多,它一般由6個晶體管組成,因此被稱為6T存儲器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723

dram存儲器斷電后信息會丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器是一種易失性存儲器,意味著當(dāng)斷電時,存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207

DRAM內(nèi)存分為哪幾種 dram存儲器存儲原理是什么

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030

三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲器

近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282

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