EEPROM是“ElectricallyErasable Programmable Read-only”（電可擦寫可編程只讀存儲器）的縮寫，EEPROM在正常情況下和EPROM一樣，可以在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)
2023-07-20 17:41:38
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工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進EEPROM工藝，具備低功耗、超寬電壓、高可靠等特性，其中擦寫壽命大于400萬次、數(shù)據(jù)保
2023-05-04 13:56:111160 
28035 存儲區(qū)域里，有EEPROM功能嗎？
變量可以在線擦寫，掉電不丟失？
2018-06-06 01:00:05
EEPROM擦寫頻率EEPROM擦寫頻率怎么理解？怎么根據(jù)擦寫頻率選擇EEPROM還是flash？比如如下這個案列每100ms采集一次數(shù)據(jù)，每秒存20個字節(jié)（實際使用清空EEPROM存儲的數(shù)據(jù)是每周
2022-11-09 18:56:36
如圖1所示，EEPROM（帶電可擦寫可編程讀寫存儲器）的最大優(yōu)點是能夠利用電信號進行擦除和重編程。與EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）擦除數(shù)據(jù)時需要使用紫外線照射相比，EEPROM使用電信號即可
2019-07-09 04:20:11
EEPROM寫入完成。（2）現(xiàn)象：保存在EEPROM里的配置信息自動被改變。 原因：在EEPROM讀寫過程中進入了中斷服務(wù)程序，而中斷服務(wù)程序也調(diào)用了EEPROM讀寫函數(shù)。 解決方法：a.保證
2011-10-18 14:31:36
AT24C02、ST24C02等。??EEPROM在嵌入式開發(fā)中使用廣泛，在此之前，有總結(jié)過MCU下24系列EEPROM的驅(qū)動接口——“24系列EEPROM/FRAM通用接口”。根據(jù)該文章中的接口，作調(diào)整，使...
2021-12-24 06:39:28
意法半導(dǎo)體ST25TV芯片系列提供了NFC forum標簽，使消費者能夠體驗數(shù)字化生活。嵌入式EEPROM存儲器的存儲密度范圍從512位到64 Kb不等，可覆蓋各種應(yīng)用，包括品牌保護和門禁控制。
ST25TV系列提供最先進的RF性能以及強大的保護功能，例如block lock機制與加密密碼。
2023-09-14 08:25:12
單元類似，寫EEPROM單元時，有單字節(jié)和8字節(jié)并行兩種方式，寫入時間一般為5 ms。EEPROM單元可讀寫30萬次。這種EEPROM結(jié)構(gòu)有利于減少周邊器件，降低成本。 （2）上電復(fù)位電路 片內(nèi)可以
2021-05-25 06:07:13
最近公司領(lǐng)導(dǎo)要用ST系列的單片機，好像中文資料不多啊，我很關(guān)心寄存器如何操作的資料，誰有這方面資料，可以發(fā)到我的郵箱hkxhkm@126.com,謝謝各位大俠了。
2013-05-04 19:09:02
和 EEPROM 最大的不同在于以下兩點：a) EEPROM可以按位（實際應(yīng)用通常按字節(jié)）擦寫，F(xiàn)lash需按頁進行擦除。b) Flash的頁擦除壽命周期大概是10000次，EEPROM的擦除壽命周期更優(yōu)。針對
2020-08-15 14:23:57
AT32F4系列FLASH擦寫操作的地址偏移說明擦除或者編程flash 時，如果操作地址不在flash 絕對地址范圍內(nèi)，則操作會失敗？
2023-10-23 08:24:03
方案應(yīng)用上具有如下優(yōu)點： ◆ 程序EEPROM 內(nèi)置32*14 bit程序EEPROM，可重復(fù)擦寫100萬次，有利于大數(shù)據(jù)記憶和存儲。 ◆ ADC 內(nèi)置最多14路高精度12位ADC，工業(yè)級高精度
2020-06-30 16:27:42
DM2016操作，當(dāng)讀取DM2016里面的eeprom數(shù)據(jù)的時候，在寫入空間地址時沒有接收到應(yīng)答，但是寫入芯片地址有收到應(yīng)答。并且在對eeprom寫入數(shù)據(jù)的時候，無論什么時候都有應(yīng)答，就是在
2016-10-31 14:16:43
。STM32F103x8, STM32F103xB1. FLASH擦寫時間和電流2.FLASH擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存年限擦寫1萬次，保存20年。STM32F427xx STM32F429xx1. FLASH擦寫電流2. FLASH擦寫時間編程32bit只要16us，速度提高了近4倍。3. 使用VPP擦
2021-08-05 06:46:03
低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。現(xiàn)
2021-12-10 08:23:11
M451中，F(xiàn)MC控制flash讀寫，數(shù)據(jù)可否做到寫100萬次？要用什么機制？有沒有例程？
2023-06-25 08:02:41
Flash，可用于存儲非易失性數(shù)據(jù)，但是由于 Flash 與 EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實際應(yīng)用中，這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求...那么訣竅來了~~提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命的方法
2019-10-18 09:00:50
穩(wěn)定性。有了技術(shù)和產(chǎn)品質(zhì)量的雙保險，Atmel920 9G25 , NXP1050ST TI Resane單片機和RK1108 全志 安凱 sonix MTK 等主控并都在支持列表中NXP1050 搭配ATO 的并口的NAND FLASH ECC:1Bit 可擦寫次數(shù)達到10萬次穩(wěn)定性可靠性更高.
2018-06-04 15:08:40
page.P24C512B provides the following devices for different application.作為半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新者，普冉推出的110nm非易失性存儲器具備業(yè)界領(lǐng)先的400萬次
2019-01-05 14:21:14
page.P24C512B provides the following devices for different application.作為半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新者，普冉推出的110nm非易失性存儲器具備業(yè)界領(lǐng)先的400萬次
2019-01-05 14:06:26
write_eeprom ( void ) { // while ( WR )//等待上一次寫操作結(jié)束 // { //asm ("clrwdt"); //喂狗 // } EEPGD = 0 ;//設(shè)置
2018-07-03 07:02:36
write_eeprom ( void ) { // while ( WR )//等待上一次寫操作結(jié)束 // { //asm ("clrwdt"); //喂狗 // } EEPGD = 0 ;//設(shè)置
2018-07-09 06:30:30
num;do{;}while(RD==1);//上一次讀操作是否完成EEADR=addr; //EEPROM地址為00HEEPGD=0; //指向EEPROM數(shù)據(jù)儲存器RD=1;//開始讀do
2018-07-02 00:16:46
num;do{;}while(RD==1);//上一次讀操作是否完成EEADR=addr; //EEPROM地址為00HEEPGD=0; //指向EEPROM數(shù)據(jù)儲存器RD=1;//開始讀do
2018-07-06 06:14:02
PSOC4 EEPROM 寫操作需要多長時間，為了增加EEPROM擦寫次數(shù)，寫操作是在一開辟的空間內(nèi)滾動操作嗎，組件需要如何配置
2024-02-21 07:22:29
？詢問客戶了解到，用戶利用上位機發(fā)送命令修改設(shè)定頻率、多段頻率等參數(shù)，頻率比較高，使用一個多月便報EEPROM故障了。因為EEPROM擦寫次數(shù)是有限制的，即EEPROM的壽命，一般為10萬次，質(zhì)量好
2014-08-26 15:52:54
℃和-40℃~125℃。這些EEPROM提供1Kband 1Mb的存儲密度，并在400KHz至10MHz的輸入頻率下工作。推薦產(chǎn)品：BR24T16F-WE2；BR24T16FVT-WE2
2019-11-15 09:16:49
，產(chǎn)品涵蓋通用型和車載應(yīng)用型，根據(jù)接口形式分為I2C總線、SPI總線接口、Microwire總線接口三種。產(chǎn)品可靠性高，擦寫次數(shù)可達100萬次，數(shù)據(jù)保留時長可達40年，ROHM車載應(yīng)用型EEPROM均符合
2019-07-11 04:20:11
STC15系列單片機內(nèi)部集成了大容量的EEPROM，與其程序空間是分開的。利用ISP/IAP技術(shù)可將內(nèi)部Data Flash當(dāng)EEPROM，擦寫次數(shù)在10W次以上。EEPROM可分為若干個扇區(qū)，每個
2021-12-09 07:18:50
STM32L系列單片機內(nèi)部提供了EEPROM存儲區(qū)域，但實質(zhì)上，其FLASH也是EEPROM類型，只不過有一塊區(qū)域被開放出來專門用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用壽命設(shè)計為
2021-12-02 06:51:58
寫了一個上位機程序，對USB虛擬串口設(shè)備，連續(xù)通訊幾十萬次后會出現(xiàn)一次下圖錯誤。但是在設(shè)備管理器里，com口還是正常的。大神們，有遇到過這種情況嗎？
2019-01-17 07:51:21
芯片特點：1. 二進制兼容 HEX替換，不修改軟件替換2. M0內(nèi)核Coremark 跑分和ST一致，內(nèi)核不會變慢（真正做到性能替換）3. ADC精度 （國內(nèi)領(lǐng)先）4. ESD可以到8KV，SRAM帶奇偶校驗可靠性指標（國內(nèi)領(lǐng)先）5. flash 擦寫保證2萬次，壽命到100年
2023-09-21 06:31:32
最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。具有較高的可靠性，但是電路復(fù)雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的，絕少有超過512K
2018-09-26 14:29:06
使用的EEPROM是10萬次壽命的，也就是說最多只能記錄到1萬公里就無法寫入了。我在網(wǎng)上找了一些資料，大部分人的解決方案是用空間換取時間，也就是分別寫入不同的空間內(nèi)換取更長的時間。我也設(shè)想過利用RTC
2013-08-14 22:02:39
，還是可以直接重寫？
2，其規(guī)格書上寫的讀寫壽命10萬次，按理解應(yīng)該是擦寫10萬次，讀的次數(shù)應(yīng)該是沒有次數(shù)限制的對嗎？
3，如果我每次只寫一頁中的一個字節(jié)，那這個字節(jié)的擦寫次數(shù)仍能達到10萬次嗎？
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2023-06-25 10:24:18
1000000次寫入之后，我們不能使用內(nèi)部EEPROM或任何。過程中會出現(xiàn)故障。 以上來自于百度翻譯 以下為原文 I'm using PIC16F628A controller.In my
2019-02-25 13:57:24
寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。具有較高的可靠性，但是電路復(fù)雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的，絕少
2018-11-28 10:25:44
內(nèi)部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機內(nèi)部Flash的擦寫次數(shù)僅有10k次，如果遇到想要存儲又多變，又需要掉電保存的數(shù)據(jù)，就顯得有點捉襟見肘了。我決定利用單片機
2022-01-26 06:59:28
概述有些應(yīng)用有著嚴格實時需求，需要在操作閃存擦除/編程時保證程序仍然能運行及響應(yīng)一些關(guān)鍵信息來保證整個系統(tǒng)的正常。但是一般存儲執(zhí)行擦寫操作時CPU會停止運行，并且花費時間較長，這就會導(dǎo)致一些異常情況
2022-02-14 07:39:42
在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2019-09-23 08:31:04
嵌入式Flash存儲介質(zhì)與EEPROM的主要特性對比增加Flash模擬EEPROM擦寫壽命的方法
2021-03-18 06:10:12
用變址尋址原理突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限
2021-03-18 06:00:25
我是第一次使用 ISO15693 芯片 ST25DV64K。V_EH 輸出進入 1.8 V 穩(wěn)壓器，穩(wěn)壓器的輸出為微控制器供電。我想知道如何確保微控制器首先通過 I2C 將其數(shù)據(jù)寫入
2023-01-31 08:05:55
如何調(diào)用庫函數(shù)對flash進行擦寫編程讀操作,將庫加入工程發(fā)現(xiàn)無法正常調(diào)用,我使用的是keil4
2020-06-15 09:20:22
概述：ST24C16是意法半導(dǎo)體公司（STMicroelectronics）出品的一款支持I2C總線協(xié)議的16kbit EEPROM存儲器，其具備100萬次可擦寫、保存40年數(shù)據(jù)不丟失等特性，...
2021-04-08 07:55:26
功能，既簡單并且對用戶透明。這經(jīng)常讓人們誤認為嵌入式閃存不能滿足 EEPROM 耐用性要求。然而，EEPROM 的耐擦寫次數(shù)通常可達到 100 萬次。過去，大多數(shù) MCU 和智能卡應(yīng)用所要求的耐擦寫
2020-08-14 09:31:37
參考，有效地完成模數(shù)轉(zhuǎn)換。6：帶有10個大電流口，灌電流可達80mA。7：芯片帶有內(nèi)部DATA_FLASH，擦寫次數(shù)可達10萬次，可替換外部EEPROM。8：高精度內(nèi)部時鐘，全溫度-40度~85度實際變化范圍可做到正負1.5%。9：采用1T51核，標準KIEL開發(fā)平臺，開發(fā)簡單
2018-01-16 10:37:29
EEPROM通常擦寫次數(shù)都在百萬次以下，如果每秒寫一次，幾天就廢了，有沒有擦寫次數(shù)無限制的類似產(chǎn)品？
2023-11-08 06:15:04
均值和報警次數(shù)。5. 使用For 循環(huán)、Case 結(jié)構(gòu)及順序結(jié)構(gòu)構(gòu)建VI。要求分別使用公式節(jié)點和LabVIEW 算術(shù)函 數(shù)實現(xiàn)開普勒方程 y=x-esin x , 0≤e≤1，使用利用順序結(jié)構(gòu)和定時選板下的時間計數(shù) 器.vi 比較兩種實現(xiàn)方法計算200 萬次開普勒方程所用時間。
2014-04-02 11:14:33
STM8S105集成了多達1K的EEPROM（掉電數(shù)據(jù)不會丟失）最高可以支持30萬次的擦寫次數(shù)，用戶可以將一些數(shù)據(jù)保存在EEPROM中
2021-08-03 07:39:18
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
Grade 1全面改進。除了更高的溫度范圍，使用次數(shù)已提高到400萬次寫碼次數(shù)（而不是100萬），并且保留到200年（而不是100）。最小電源電壓為1.7 V，溫度可達125°C，整個電壓范圍為2.5伏
2018-10-25 08:59:43
學(xué)生時代走來的人們，大概也就知道ATMEL 24C0X系列吧，就好像我畢業(yè)的時候以為世界只有51和AVR，開個玩笑！工程師主要考察E2PROM的參數(shù)無非就是擦寫次數(shù)、功耗、穩(wěn)定性、價格，其中10萬次擦寫
2014-09-29 13:50:13
雖說Flash這東西能擦寫個上萬次，但是調(diào)程序的時候一遍一遍的擦寫還是有點下不去手啊，呵呵。就想用RAM來調(diào)程序。代碼量不大的情況下用片內(nèi)的RAM調(diào)試我是會的。但是例如顯示圖片一類的代碼量比較
2019-05-07 23:38:18
請問片內(nèi)flash一般能擦寫多少次
2024-02-19 08:32:52
一， 問題描述今天遇到一個客戶，問了這個問題，所以在此和大家分享下。關(guān)于kinetis K系列的eeprom，大家都知道，是使用flexRAM以及flexNVM分區(qū)組合模擬而成，但是在flexNVM
2016-06-06 11:51:30
STM32L系列單片機內(nèi)部提供了EEPROM存儲區(qū)域，但實質(zhì)上，其FLASH也是EEPROM類型，只不過有一塊區(qū)域被開放出來專門用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROMSTM32L
2016-06-30 14:21:32
I2C串行EEPROM系列中文資料,數(shù)據(jù)手冊:美國微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）生產(chǎn)的電擦寫式只讀存儲器系列24CXX、 24LCXX、24AAXX 和24FCXX （24XX*）容量范圍為128 位到512 千位。該系列
2009-07-12 19:36:28
10 HT48 MCU讀寫HT24系列EEPROM的應(yīng)用
HT24 系列的EEPROM 總共8 個管腳，三個為芯片地址腳A0、A1、A2，在單片機對它進行操作時，從SDA 輸入A0、A1、A2 數(shù)據(jù)和芯片外部A0、A1
2010-03-25 09:52:0226 msp430系列的單片機讀寫全操作EEPROM的程序，經(jīng)過試驗，完全可行
2015-12-14 17:23:3745 STM8S 內(nèi)部eeprom操作，寄存器版
2016-08-31 15:24:1610 100，000次。 當(dāng)應(yīng)用所需計數(shù)超過這一數(shù)字時，有必要將計數(shù)器更新值分散載入至多個字節(jié)，以實現(xiàn)可能的最大計數(shù)，而不管是否會因EEPROM的可靠性出問題而引發(fā)錯誤。在單元可擦寫次數(shù)為1 0萬次的EEPROM上，理論上能將可實現(xiàn)的最大計數(shù)增至10萬次，方法是與計數(shù)器使用的字節(jié)數(shù)相乘。
2018-03-27 18:02:460 “耐擦寫能力 （Endurance）”（指 EEPROM）的定義中包含一些需要明確定義和理解的詞語和短語。從以下段落可以看出，不同廠商使用不同的標準。“耐擦寫循環(huán)（Endurance Cycling
2018-06-20 09:26:006 在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
2018-10-07 15:37:0012471 我們板子上使用的這個器件是 24C02，是一個容量大小是 2Kbits，也就是 256 個字節(jié)的 EEPROM。一般情況下，EEPROM 擁有 30 萬到 100 萬次的壽命，也就是它可以反復(fù)寫入 30-100 萬次，而讀取次數(shù)是無限的。
2018-10-17 16:46:385234 
IP供應(yīng)商力旺電子極力布局車用電子市場，提出可編寫次數(shù)超過50萬次的嵌入式EEPROM（電子抹除式可復(fù)寫唯讀存儲器）矽智財（Silicon IP），來因應(yīng)車用市場的需求，且不需要額外加光罩即可應(yīng)用于現(xiàn)有平臺上，不單是車用電子，也可用于指紋識別、電源管理IC、NFC、RFIC等。
2018-12-19 16:56:49672 按塊擦除。 EEPROM不能用來存程序，通常單片機的指令尋址不能到這個區(qū)域。EEPROM的擦寫次數(shù)應(yīng)有百萬次，而且可以按字節(jié)擦寫。 EEPROM在一個PAGE內(nèi)是可以任意寫的，F(xiàn)LSAH則必須先擦除成BLANK，然后再寫入，而一般沒有單字節(jié)擦除的功能，至少一個扇區(qū)擦除。
2019-09-26 17:16:001 （1）首先STC既指的是宏晶半導(dǎo)體公司，也指的是單片機芯片的一種編程方式，關(guān)于flash和EEPROM區(qū)別，簡單來說就是flash擦寫次數(shù)小于1萬次，每次擦除只能按塊擦除，但是EEPROM的擦寫次數(shù)是百萬次的，而且擦除可以以字節(jié)為單位
2019-08-07 17:33:007 STM32L系列單片機內(nèi)部提供了EEPROM存儲區(qū)域，但實質(zhì)上，其FLASH也是EEPROM類型，只不過有一塊區(qū)域被開放出來專門用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用壽命
2019-08-05 17:34:0011 Flash屬于廣義的EEPROM，因為它也是電擦除的ROM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它Flash。
既然兩者差不多，為什么單片機中還要既有Flash又有EEPROM呢？
2019-05-03 09:45:004601 FLASH是用于存儲程序代碼的，有些場合也可能用它來保存數(shù)據(jù)，當(dāng)然前提是該單片機的FLASH工藝是可以自寫的（運行中可擦寫），但要注意FLASH的擦寫次數(shù)通常小于一萬次，而且通常FLASH只能按塊擦除。
2020-01-25 16:16:0029822 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供(ti)ST-EEPROM-FINDER相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有ST-EEPROM-FINDER的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，ST-EEPROM-FINDER真值表，ST-EEPROM-FINDER管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2020-05-20 17:05:18
EEPROM是電可擦可編程只讀存儲器的意思，eeprom故障可能是輸入輸出存儲器錯誤，也可能是輸入輸出存儲器芯片斷路、短路或者內(nèi)部擊穿。按照相關(guān)協(xié)議來看，EEPROM錯誤的情況多數(shù)為A0區(qū)間的值由于誤操作或者I2C沖突而被改寫。通常的解決辦法是RMA回原生產(chǎn)廠家維修。
2020-08-04 10:14:5038093 
EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）是一類通用型非易失性存儲芯片，在斷電情況下仍能保留所存儲的數(shù)據(jù)信息。長期以來，EEPROM憑借高可靠性、百萬次擦寫、低成本等優(yōu)勢，在消費電子、計算機及周邊、工業(yè)控制、白色家電、通信等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域有著優(yōu)秀表現(xiàn)。
2020-11-20 10:41:533178 得益于容量大、價格低的優(yōu)勢，如今越來越多的SSD硬盤轉(zhuǎn)向QLC閃存，大家擔(dān)心的主要是QLC閃存的壽命，具體來說就是P/E擦寫次數(shù)，通常在1000次左右，而IBM現(xiàn)在解決了QLC壽命問題，做到了史無前例的16000次擦寫壽命，壽命比SLC還強。
2020-12-08 09:40:034096 本應(yīng)用筆記旨在提供有關(guān)如何防止閃存意外擦寫操作（可能導(dǎo)致輕微到災(zāi)難性現(xiàn)場故障）的指南和最佳實踐。在固件中添加閃存編程保護功能有助于降低發(fā)生問題的風(fēng)險，確保穩(wěn)健的現(xiàn)場更新。以下內(nèi)容通過了解潛在問題來提高固件的穩(wěn)健性，并提供了避免這些問題的方法。
2021-03-30 14:19:078 向EEPROM 存儲計數(shù)器值時的一個常見問題是，可實現(xiàn)的最大計數(shù)會受到計數(shù)器中的最低有效字節(jié)（LeastSignificant Byte，LSB）可擦寫次數(shù)的限制。典型 EEPROM的可擦寫次數(shù)約為100，000次。 ?
2021-04-02 10:05:551 “耐擦寫能力 （Endurance）”（指 EEPROM）的定義中包含一些需要明確定義和理解的詞語和短語。從以下段落可以看出，不同廠商使用不同的標準。“耐擦寫循環(huán)（Endurance Cycling
2021-05-11 09:41:488 以帶標識頁的M95M01-DF EEPROM為例 介紹M95xxx系列EEPROM 包括內(nèi)存組織 S(嵌入式開發(fā)需要考什么證書)-BLE通信中，常見的操作有請求、響應(yīng)、命令、指示、通知、確認，可根據(jù)不同的操作完成不同的應(yīng)用功能設(shè)計。
2021-07-30 10:56:4215 EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用壽命設(shè)計為100000次擦寫以上，容量為2K-4K，這對于一般設(shè)備的參數(shù)存儲來說是非常理想的。但從EEPROM使用方式看，其不適用...
2021-11-23 17:21:3716 STC15系列單片機內(nèi)部集成了大容量的EEPROM，與其程序空間是分開的。利用ISP/IAP技術(shù)可將內(nèi)部Data Flash當(dāng)EEPROM，擦寫次數(shù)在10W次以上。EEPROM可分為若干個扇區(qū)，每個
2021-11-26 14:51:0833 STM32f0301. FLASH擦寫時間2. FLASH擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存年限只能擦寫1000次，有點少。非必要，不要擦寫。比如記憶流水號之類，經(jīng)常變動的數(shù)據(jù)，最好使用EEPROM
2021-12-01 20:36:1314 內(nèi)部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機內(nèi)部Flash的擦寫次數(shù)僅有10k次，如果遇到想要存儲又多變，又需要掉電保存的數(shù)據(jù)，就顯得有點捉襟見肘了。我決定利用單片機
2021-12-02 11:36:2131 STM8S105集成了多達1K的EEPROM（掉電數(shù)據(jù)不會丟失）最高可以支持30萬次的擦寫次數(shù)，用戶可以將一些數(shù)據(jù)保存在EEPROM中
2021-12-23 19:36:321 AN394_微型EEPROM通用I_O操作
2022-11-21 08:11:200 flash屬于廣義的EEPROM，因為它也是電擦除的rom。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。
2023-01-29 11:11:07774 NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)，其中NANDFlash存儲器具有容量較大，擦寫速度快等優(yōu)點。它們的廣泛應(yīng)用就不用小編敲黑板了吧？然而，市場上流行的NANDFlash產(chǎn)品，尤其是
2023-03-31 10:34:54383 
FLASH擦寫操作非法操作解決方案-HK32F030M應(yīng)用筆記（二十四）
2023-09-18 10:56:46324 
近日，普冉半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的 P24C系列高可靠 EEPROM 產(chǎn)品，應(yīng)下游客戶及市場需求，公司該新款系列產(chǎn)品可達到 1000萬次擦寫壽命，是公司為電表市場開發(fā)的超群產(chǎn)品，達到目前行業(yè)領(lǐng)先的擦寫次數(shù)。
2023-12-01 11:12:50563
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