對部分人來說，電荷捕獲（CT）技術(shù)聽起來好像是新發(fā)明，但其實早在1967年H.A.R Wegner就在IEDM（國際電子器件大會）的技術(shù)文摘上首次介紹了這一技術(shù)。類似地，還有許多在當(dāng)今被視為非易失性存儲器（NVM）未來的新一代閃存技術(shù)，實則也都由來已久。

　　由于可制造性不強(qiáng)，這些技術(shù)大多數(shù)一直無法成為主流產(chǎn)品；同時它們也無法順利實現(xiàn)商品化生產(chǎn)，滿足客戶在應(yīng)用需求和成本預(yù)期等方面的要求。

　　Spansion與其生產(chǎn)合作伙伴XMC Semiconductor（武漢新芯集成電路制造有限公司）共同宣布了32nm MirrorBit電荷捕獲技術(shù)的生產(chǎn)計劃。這標(biāo)志著Spanson實現(xiàn)了第七代電荷捕獲技術(shù)。Spansion是業(yè)內(nèi)首家推出32nm NOR閃存生產(chǎn)計劃的公司，它的工程師與技術(shù)人員具備對該技術(shù)進(jìn)行商品化以及創(chuàng)造滿足客戶需求解決方案的能力；為了應(yīng)對傳統(tǒng)的浮柵技術(shù)NVM所帶來的挑戰(zhàn)，他們還為業(yè)界開發(fā)出了可行性強(qiáng)、可升級的解決方案。這些努力無不令人印象深刻。

　　早在1998年，當(dāng)時Spansion的合作伙伴，并后被收購的Saifun Seminconductor公司就申請了一種名為NROM的存儲專利技術(shù)。該技術(shù)利用硅氧化物薄膜來存儲電荷，替代傳統(tǒng)內(nèi)存設(shè)計中通常使用的硅浮動結(jié)構(gòu)。在制造最具性價比的閃存時，該方法相對于傳統(tǒng)的浮柵技術(shù)而言具有很多天然優(yōu)勢，包括：

　　●形成存儲單元的過程中重要的掩膜工序（masking step）更少；

　　●在電荷捕獲層中可存儲多個不同的電荷位（distinct bits of charge）；

　　●更大的感應(yīng)邊際（larger sense margins）可提升可靠性（MirrorBit的2階電壓存儲對比浮柵技術(shù)的多階存儲單元的4級電壓）

　　●更小的存儲單元尺寸，共享位總線（bit line contact）

　　●由于電荷捕獲技術(shù)更不容易產(chǎn)生缺陷產(chǎn)品，從而提高了制造產(chǎn)量

　　更高制造良率以及可制造性的改進(jìn)為電荷捕獲技術(shù)帶來容量上的優(yōu)勢。從110nm代際開始，在每一個工藝技術(shù)節(jié)點上，都有兩倍于傳統(tǒng)技術(shù)的存儲容量。

　　在2002年，Spansion（當(dāng)時的AMD和富士通）首次將高容量電荷捕獲技術(shù)內(nèi)存投入市場。這是這種實驗室技術(shù)首次以MirrorBit閃存的品牌出現(xiàn)在商業(yè)化生產(chǎn)中，具有歷史性的意義。這種64Mb 3.0伏閃存當(dāng)時已經(jīng)處于應(yīng)用階段，具備投向通用市場的條件。

　　閃存市場經(jīng)歷了十年的發(fā)展，而MirrorBit也經(jīng)歷了七個代際，包括從230nm、200 nm、110 nm、90 nm、65 nm到業(yè)內(nèi)僅有的45nm 8 Gb NOR閃存，而我們目前正在開始向下一代32nm演進(jìn)，不斷推動技術(shù)的前行。

　　嵌入式電荷捕獲技術(shù)（eCT）是一種MirrorBit電荷捕獲技術(shù)的變種技術(shù)。目前Spansion正在與UMC（聯(lián)華電子）共同合作開發(fā)這一技術(shù)，有望通過聯(lián)華電子40nm低功耗邏輯工藝生產(chǎn)高性能低功耗的電子器件。

　　NVM的未來發(fā)展之路將是無限光明的。隨著我們不斷在各種應(yīng)用中發(fā)掘出電荷捕獲技術(shù)的新益處，這種技術(shù)將在未來發(fā)揮更加重要的作用。