DDR5成寵兒？ ? ? 據多家韓媒消息，三星電子計劃從今年第四季度開始全面提高DDR5產量。三星主要在平澤廠生產DDR5等最新產品，公司正在考慮提高DDR5生產率的方法。

值得注意的是，此前三星的減產范圍主要集中在DDR4及部分NAND閃存產品。公司今年5月開始量產12nm級16Gb DDR5 DRAM，9月又成功開發出2倍容量的32Gb DDR5 DRAM產品。

SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產品比重。其已在今年5月開發出10nm級第5代（1b）DDR5，供應給英特爾。韓國投資證券分析師預計，由于DDR5需求高漲，拉動產品平均銷售單價，SK海力士DRAM業務有望加快轉虧為盈，公司整體業績也有望提前擺脫虧損。

另一存儲巨頭美光之前也已透露，將加速向DDR5過渡。美光科技在9月末的財報會議上表示，正在出樣128 GB DDR5內存模塊，采用美光32 Gb DDR5內存芯片。公司預計其DDR5出貨量將在2024年第一季度末超過DDR4，超過行業進展速度。

據市場研究公司Omdia預計，今年四季度DDR5銷售比例預計將超過20%（基于服務器DRAM），明年這一比例將進一步上升至51%。由于明年發布的大多數服務器和PC平臺都支持DDR5，需求將會增加。

價格方面，9月已有業內人士稱，DDR5內存模組價格在過去一個月上漲5-10%之后，還將進一步上漲，入門級產品價格也將上漲3-5%。另外，預計高價位DDR5產品將面臨供應短缺，領漲DRAM市場。

TrendForce也認為，由于買家情緒的變化，四季度DRAM價格進一步下跌的可能性有限，且PC DRAM合約價的反彈速度將快于預期，預計四季度DDR5合約價格將較上一季度上漲3-8%。

存儲器廠南亞科總經理李培瑛指出，近期市場需求已有所改善，預期第四季出貨量將進一步增加，在DDR5價格率先調漲后，DDR4與DDR3價格均有機會翻揚，有利于虧損可望收斂。

A股公司中，瀾起科技已推進DDR5第二子代RCD芯片量產準備工作，并開展DDR5第三子代RCD芯片量產版本的研發；聚辰股份與瀾起科技合作開發配套新一代DDR5內存條的SP產品，為DDR5內存模組不可或缺的組件。

TrendForce 表示，需求方因預期價格反彈，正在增加 DDR5 產品的庫存，預計第四季度 DRAM 固定交易價格將保持穩定，但 DDR5 可能會小幅上漲，漲幅最高可達 5%。

另外，野村最新報告指出，隨著第二季度出貨量增長，第三季度主流存儲芯片的價格有望趨于穩定，或將有機會上升。在價格較高的 DDR5、HBM 與 LPDDR5X 出貨比重升高帶動下，預計第三季度 DRAM 產品平均售價有望提升 5%-10%。

與此同時，TrendForce 預計，DRAM 原廠庫存價值降低的損失有望獲得改善，Q3 營業利潤率有望可以由負轉正。外資機構也預期，在產品價格回升的驅動下，整體半導體 10 月營收與去年同期相比，有望轉為正增長。

值得注意的是，英特爾新一代消費型筆電平臺 Meteor Lake 預計第四季度問世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。

業界指出，英特爾的新平臺也宣告著 DDR5 時代終于來臨，有望帶來新一波 DRAM 采購潮。在未來 AI 計算數據量大增的情況下，更高傳輸速度、更高容量搭載量的 DDR5 DRAM 將有望全面成為 PC、筆電及服務器的新主流。

如今，全球 DRAM 三巨頭美光、三星、SK 海力士均展開籌備，計劃在第四季度全面拉高 DDR5 產能。

其中三星規劃量產 12 納米制程的 32Gb DDR5，在相同的封裝尺寸上，容量可望翻倍，代表未來同一條 DRAM 模組上，可搭載的容量有望大幅增長；美光預計在明年上半年沖刺 1 β 制程的 32Gb 單片 DRAM 芯片，使未來 128Gb 規格的 DRAM 模組有望順利問世；SK 海力士則將以 1 β 制程的 DDR5 沖刺市場，公司此前預計，2024 年 HBM 和 DDR5 的銷售額有望翻番。

在行業加速發展的背景下，中國半導體存儲產業也在快速發展。然而在DDR5 這條賽道，中國還需要面臨諸多阻礙。

目前中國眾多的內存廠商，大都是從三星、SK海力士和美光這三家廠商中采購DDR5芯片顆粒，再找模組廠商購買內存模組等，然后在工廠組裝成DDR5內存條。這是因為我們自身還沒有DDR5顆粒的制造能力。

中國缺席DDR5顆粒的原因主要有兩方面：一方面是中國大陸半導體存儲產業起步較晚，另一方面美國商務部的新一輪技術制裁，也精準的打擊了中國正在迅速發展的存儲產業。

2022年，美國發布公告稱禁止16/14 nm邏輯制程、18 nm以下DRAM制程、128層以上3D NAND制程的機臺設備出口到中國。

近日，北京君正在接受機構調研時表示：目前我們的DDR4、LPDDR4最新工藝是25納米，目前正在研發21nm的產品。我們目前還沒有進行DDR5的研發，這需要有非常先進的制程，是美光這類IDM大廠做的，我們和美光的主要產品是差異化競爭的，短時間內還是做DDR4、LPDDR4及以下的產品，但是我們會往更高容量去做。

這也意味著，18 nm以下DRAM制程設備的限制直接制約了國產DRAM公司的DDR5研發進程。不過在DDR5的內存接口方面，瀾起科技、聚辰股份等公司已經取得一些成就。如今瀾起科技已推進DDR5第二子代RCD芯片量產準備工作，并開展DDR5第三子代RCD芯片量產版本的研發；聚辰股份與瀾起科技合作開發配套新一代DDR5內存條的SP產品，為DDR5內存模組不可或缺的組件。

編輯：黃飛

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