2016年下半年開始了新一輪存儲芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價格從那時候開始瘋漲，今年已經(jīng)進(jìn)入第三個年頭了，不過情況也不一樣了DRAM內(nèi)存顆粒今年的漲價速度放緩到個位數(shù)，不過今年并沒有
2018-10-31 09:49:01
2076 半年擴(kuò)大對NAND的需求。 圖：三星250GB企業(yè)固態(tài)硬盤（基于其128層高端NAND閃存） 全球半導(dǎo)體設(shè)備制造商Ram Research在13日宣布，將為其產(chǎn)品組合增加VECTOR DT和EOS GS
2019-08-16 00:55:007075 資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲密度。這項于周四宣布的新技術(shù)允許存儲芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 據(jù)DigiTimes的消息人士報道，NAND閃存的整體價格將在2020年急劇上升。該報告來自存儲器芯片制造商的多個消息來源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價格的上漲
2020-01-06 11:15:333821 今年第一季度中國低端智能手機(jī)的需求大增，讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及，刺激了NAND閃存市場的增長并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
2013-08-02 17:45:551371 
全球第2大NAND型快閃存儲器（Flash Memory）廠商東芝（Toshiba）將在 2017 年度采用被稱為“納米壓印（Nano-imprint Lithography，NIL）”的新技術(shù)
2016-06-04 09:39:01687 由于在今年的購物假期中消費者購買全新固態(tài)硬盤的需求不斷攀升，在接下來的數(shù)周甚至數(shù)月時間內(nèi)NAND閃存的價格可能將持續(xù)拉升。根據(jù)DRAMeXchange公布的最新報告，2016年第3季度NAND閃存全球總營收同比增長19.6%，究其原因是因為在該季度使用閃存的產(chǎn)品尤其是智能手機(jī)呈現(xiàn)了巨大的需求。
2016-12-05 16:28:10659 
國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
的五個最大細(xì)分市場。 DRAM和NAND閃存在2019年保持相同的地位后，有望在2020年再次成為兩個最大的IC領(lǐng)域。今年的銷售額預(yù)計增長3.2％，預(yù)計DRAM市場將達(dá)到近646億美元，比去年增長15
2020-08-05 09:29:065235 今年前20大半導(dǎo)體供貨商營收排名計算。采芯網(wǎng)表示，聯(lián)發(fā)科受惠于中國大陸手機(jī)客戶OPPO、Vivo快速成長，可望推升今年營收達(dá)86.1億美元，年增29%，不僅為成長幅度第二大的廠商，更超越英飛凌與ST
2016-11-22 18:11:46
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 編輯
觀點：盡管NAND閃存市場需求在一定程度上受到了經(jīng)濟(jì)形勢的影響，但美光市場卻逆勢增長，其市場份額首次突破20%大光。這是其
2012-09-24 17:03:43
MX25L25645GZ2I-08GMX25L25645GZNI-08G閃存芯片陳立白表示，整體而言，去年DRAM價格從3月開始一路跌到年底，今年全年的狀況會比去年來的好，DRAM模塊廠只要好好經(jīng)營
2022-02-17 08:59:47
6.5%。威剛表示，12月營收成長主要受惠于DRAM價格強(qiáng)勁反彈，DRAM產(chǎn)品占營收比大增所致。以去年12月單月產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，威剛12月DRAM產(chǎn)品占營收比增至56.96%，NAND Flash與其
2022-02-19 12:04:19
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺，我當(dāng)時
2019-05-21 06:43:17
目前，針對NOR Flash設(shè)計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中。
2019-10-28 06:39:19
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
還會降低30％，直到下一輪漲價。2018年的NAND市場由漲轉(zhuǎn)跌，這個趨勢還會在今年得到延續(xù)，不過2019年閃存市場上的變數(shù)不只是降價這么簡單，新技術(shù)、新產(chǎn)品以及中國廠商的加入都會對這個市場帶來很大
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個鏈接器來構(gòu)建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
U-BOOT是什么NAND閃存工作原理是什么從NAND閃存啟動U-BOOT的設(shè)計思路
2021-04-27 07:00:42
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 由于市場對于iPod音樂播放器的需求大增，蘋果電腦(Apple Computer)計劃今年下半年買下三星電子NAND閃存產(chǎn)量的40%左右。隨著蘋果電腦從硬盤iPod轉(zhuǎn)向具有4GB
2006-03-13 13:08:41500 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088 爾必達(dá)計劃收購Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國外媒體報道，日本爾必達(dá)公司表態(tài)計劃收購美國Spansion（飛索半導(dǎo)體）旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道，由于移動設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
2012-04-04 18:32:05670 今年全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)計增長8%，從2011年的212億美元上升到229億美元。按照今年的營業(yè)收入預(yù)期，全球出貨量相當(dāng)于28823個1GB器件，而2011年是17401個。隨著智能手機(jī)、平板電腦和超
2012-04-24 09:40:51571 
據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動態(tài)簡報，盡管超級本領(lǐng)域使用的固態(tài)硬盤（SSD）不斷增加，但與NAND閃存供應(yīng)商相比，專門生產(chǎn)快速SSD的廠商卻處于劣勢。NADN閃存供應(yīng)商擁有廣闊的市場以及令
2012-07-06 09:39:14807 
東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術(shù)將會在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501412 市場調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11633 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 是芯片復(fù)位后進(jìn)入操作系統(tǒng)之前執(zhí)行的一段代碼，完成由硬件啟動到操作系統(tǒng)啟動的過渡，為運行操作系統(tǒng)提供基本的運行環(huán)境，如初始化CPU、堆棧、初始化存儲器系統(tǒng)等，其功能類似于PC機(jī)的BIOS. NAND閃存
2017-10-29 11:29:272 今年Q1季度到Q2季度以來，NAND閃存價格一直在下滑，市場供需情況已經(jīng)變了，本來預(yù)計Q3季度會有蘋果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價格，不過現(xiàn)在來看這些廠商想的太樂觀了，Q3季度NAND閃存價格還會繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場大洗牌。
2018-07-17 11:58:00681 NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片，國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:003750 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-06-30 14:34:00362 DVEVM可以啟動或（默認(rèn)），與非門，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價格低，速度快，壽命長，許多客戶想設(shè)計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 對于許多消費類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:009847 
用于擴(kuò)充產(chǎn)能的資本支出超出市場實際需求，毫無疑問，將導(dǎo)致NAND閃存價格下滑。實際上，自2018年開始，NAND閃存價格已現(xiàn)疲弱。而且，價格走軟有望從2018年下半年一直持續(xù)到2019年。
2018-07-13 11:45:378876 
據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 2017年經(jīng)歷市況樂觀的一年后，NAND閃存（flash）市場在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示，去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過于求了，從而導(dǎo)致價格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063572 
從NAND閃存中啟動U-BOOT的設(shè)計 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485 SSD的價格沒有最低，只有更低。據(jù)報道，產(chǎn)業(yè)鏈消息人士本周透露，NAND Flash閃存的價格在2019年將繼續(xù)下滑，雖然今年已經(jīng)累計榨干50%水分。此前的一份報道稱，2019年，SSD每GB的單價會跌至0.08美元（約合0.56元）。
2018-10-29 16:39:552414 從Q1季度之后，NAND閃存價格就止不住下滑了，主要原因是廠商的64/72層堆棧3D NAND閃存產(chǎn)能大增，而需求卻降下來了，智能手機(jī)市場已經(jīng)連續(xù)多個季度下滑，蘋果新機(jī)不如預(yù)期，英特爾CPU缺貨
2018-11-20 10:14:14623 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預(yù)計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預(yù)計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。
2019-03-24 10:05:26582 
2019年全球半導(dǎo)體市場從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價，迄今已經(jīng)連跌了6個季度。
2019-05-12 09:37:222630 根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）研究顯示，NAND閃存價格已經(jīng)連跌6個季度，今年NAND Flash產(chǎn)業(yè)明顯供過于求，SSD廠商大打價格戰(zhàn)導(dǎo)致PC OEM用SSD價格大跌，512GB/1TB價格年底有望創(chuàng)造歷史新低。
2019-05-13 16:24:072384 NAND閃存與機(jī)械存儲設(shè)備一樣，默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過使用專用控制器來處理。另一方面，DRAM被認(rèn)為是“非常”可靠的。服務(wù)器通常具有錯誤檢測（并且可能是校正）電路，但消費者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579805 
根據(jù)Tom‘s Hardwared的報道，東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發(fā)。
2019-08-26 16:15:583539 在連跌7個季度之后，NAND閃存市場將在今年底迎來轉(zhuǎn)機(jī)，Q3季度閃存價格下跌幅度已經(jīng)大幅收窄，預(yù)計Q4季度會由跌轉(zhuǎn)漲，漲幅約為10%。
2019-10-14 14:46:022554 2019年余額已經(jīng)不足，距離2020年不到40天的時間里，企業(yè)最重要的任務(wù)莫過于“年終沖刺”。電動汽車企業(yè)特斯拉的業(yè)績表現(xiàn)備受關(guān)注。據(jù)媒體報道，根據(jù)前三季度業(yè)績表現(xiàn)，結(jié)合第四季度營收預(yù)期，特斯拉2019年營收有望超過250億美元。
2019-11-29 17:47:453087 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
新年伊始，讓PC用戶們心情復(fù)雜的消息傳來，存儲業(yè)內(nèi)人士指出，NAND Flash閃存芯片的價格將在今年提高40%之多。
2020-01-02 16:30:182865 的投資額就達(dá)8萬億韓元（約合470億元人民幣）。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場的不確定性大增。然而，三星電子過往多選擇在景氣低迷時大舉投資，以此增強(qiáng)其在存儲器領(lǐng)域的競爭力，此次再度大舉投資擴(kuò)產(chǎn)，或?qū)悠渌?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存廠商的跟進(jìn)，再掀NAND閃存的擴(kuò)產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173162 無論消費者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
隨著今年Corona 19的傳播，由于遠(yuǎn)程辦公，視頻會議和Internet使用的增加，對服務(wù)器的需求激增，進(jìn)入服務(wù)器的固態(tài)驅(qū)動器（SSD和輔助存儲設(shè)備）的銷量也大大增加。SSD是由NAND閃存制成的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，用于服務(wù)器，PC和游戲機(jī)。
2020-09-08 10:08:401471 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 三星電子公布了2020財年第三季度業(yè)績展望。三星稱，公司第三季度營收有望同比增長6.5%。
2020-10-09 09:21:06403 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 在最新的報道中表示，臺積電四季度的營收，有望超出他們的預(yù)期。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息，報道臺積電四季度的營收有望超出預(yù)期的。這一產(chǎn)業(yè)鏈人士表示，得益于 5nm 和 7nm 工藝產(chǎn)量的增加，臺積電預(yù)計他們四季度的營收有望超出預(yù)期。 7nm 是目前臺積
2020-11-11 18:04:201127 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:552599 在為期三天的 2020 年虛擬閃存峰會期間，NEO 半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人許志安（Andy Hsu）進(jìn)行了詳細(xì)的演講，介紹了該公司全新 X-NAND 閃存架構(gòu)，該架構(gòu)有望將 SLC 閃存的速度
2020-11-15 09:27:402041 根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告，2020年第三季度，全球NAND閃存行業(yè)出貨容量大增9％，只是平均售價減少了9％，導(dǎo)致總收入只微增了0.3％達(dá)到145億美元。
2020-12-01 09:26:141286 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 日本芯片制造商Kioxia開發(fā)了大約170層的NAND閃存，加入了與美國同行Micron Technology和韓國的SK Hynix的競賽。
2021-02-20 11:10:002580 NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結(jié)構(gòu)。它的名字來源于邏輯門（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918 
本文檔重點介紹 NAND 閃存與使用靜態(tài)存儲器控制器（Static Memory Controller，SMC）的 EBI 的接口。
2021-04-01 10:17:5510 寫入問題確實是NAND閃存的在企業(yè)級應(yīng)用中的一個限制么？
2021-04-01 17:50:562894 在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344
2021-06-16 20:17:088 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了以下方法：用于設(shè)計支持一系列NAND閃存設(shè)備而無需直接設(shè)計的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無縫利用的方法在設(shè)計系統(tǒng)時可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2415 NAND閃存芯片供應(yīng)商現(xiàn)在面臨四到五個月的庫存。今年下半年，芯片價格將迅速下降，季度價格降幅達(dá)到近20%。
2022-09-27 10:11:58647 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個塊的P/E周期達(dá)到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲時，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個塊的P/E周期達(dá)到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了設(shè)計的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備，無需直接設(shè)計預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無縫利用在系統(tǒng)設(shè)計時可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃。
2023-08-16 10:23:58423 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222
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