電腦晶片巨人英特爾（Intel）于美西時間 3 月 31 日在舊金山舉辦 Intel Cloud Day，發(fā)表多款伺服器級用 CPU、記憶體，并發(fā)表其自去年開始整合旗下多項不同云端產品與終端解決方案的云戰(zhàn)略：Intel Cloud for all（英特爾全云方案），與其定義的「軟體定義基礎設施（Sofeware Define Infrastructure）」。

　　英特爾在現場正式發(fā)表了他們以 3D NAND 技術所推出的固態(tài)記憶體硬碟（Solid state drive，SSD）：DC P3320 與 P3520 系列。根據 Intel 的數據，相對于 SATA-based 的 SSD，其效能預計可達至多 5 倍。
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　　▲ Intel 說明其 3D NAND 技術。（Source：英特爾）

　　3D NAND 最多可以堆疊 32 層，把 256GB 的 MLC（multilevel cell， MLC）或 384 GB 的 TLC（triple-level cell）晶粒放進標準封裝裡。理論上這個技術可以在現有 m.2 接口這種規(guī)格，口香糖般大小的 SSD 裡塞進約 3.5 TB 的資料，如果是目前筆記型電腦上主流的 2.5 吋硬碟大小，則可塞入高達 10 TB 的資料。

　　▲ 3D NAND 這種技術，可讓 m.2 接口、口香糖般大小的 SSD 裡塞進約 3.5 TB 理論值的資料容量。

　　固態(tài)記憶體硬碟（SSD）市場競爭激烈，根據集邦 TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 報告的數據顯示，2016 年第一季 SSD 市場價格因為傳統淡季與工作日數少致使採購量降低，平均價格下修在 7 – 12% 左右，雖然每 GB 的單位成本仍差距最多達 4 倍，但主流 SSD 價格競爭力已經可以與傳統機械式硬碟（HDD）競爭。

　　▲ 根據其測試數據，Intel 3D NAND 技術的 SSD 有明顯的效能優(yōu)勢。

　　叁星（Samsung）目前在 SSD 市場具有領先優(yōu)勢，并已經開始量產以更高密度的快閃記憶體 3D NAND 技術的 SSD。英特爾（Intel）也在 2015 年與美光（Micron Technology）合作，推出 3D NAND 技術，將資料儲存元立體化，最高可以達到塬有儲存裝置的 3 倍容量。這個技術可以將資料密度提高、提供更大容量、節(jié)省成本，也進一步有機會更節(jié)省能源，以應付需要更高效能表現的行動應用或企業(yè)部署環(huán)境。

　　▲ Lisa Spelman 展示新款 SSD。

　　英特爾也在同一個發(fā)表會裡發(fā)布了新款的雙 PCI 通道 SSD：DC D3700 與 DC D3600 系列，D3700 採用非揮發(fā)性記憶體通道架構（Non-Volatile Memory Express，NVMe），這樣的設計可以承受關鍵冗余（Critical Redundancy）與容錯移轉（failover）；這樣的設計可以提供多達 6 倍于傳統雙 SAS 通道的 SSD 效能。