四、Parallel NandFlash

　　Parallel NandFlash同樣采用了Parallel接口通信協(xié)議，NandFlash在工藝制程方面分有三種類型：SLC、MLC、TLC。NandFlash技術(shù)Flash Memory具有以下特點：以頁為單位進行讀和編程操作，以塊為單位進行擦除操作；具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時間是2ms，而NOR技術(shù)的塊擦除時間達到幾百ms；芯片尺寸小，引腳少，是位成本（bit cost）最低的固態(tài)存儲器；芯片包含有壞塊，其數(shù)目取決于存儲器密度。壞塊不會影響有效塊的性能，但設(shè)計者需要有一套的壞塊管理策略！

　　對比Parallel NorFalsh，NandFlash在擦除、讀寫方面，速度快，使用擦寫次數(shù)更多，并且它強調(diào)更高的性能，更低的成本，更小的體積，更大的容量，更長的使用壽命。這使NandFlash很擅于存儲純資料或數(shù)據(jù)等，在嵌入式系統(tǒng)中用來支持文件系統(tǒng)。其主要用來數(shù)據(jù)存儲，大部分的U盤都是使用NandFlash，當前NandFlash在嵌入式產(chǎn)品中應(yīng)用仍然極為廣泛，因此壞塊管理、掉電保護等措施就需要依賴NandFlash使用廠家通軟件進行完善。

　　我們通常見到的S34ML01G100、MX30LF2G18AC、MT29F4G08ABADA等型號都是Parallel NandFlash，其常見的封裝多為TSOP48、BGA63、BGA107，BGA137等。

　　五、SPI NandFlash

　　SPI NandFlash，采用了SPI NorFlash一樣的SPI的通信協(xié)議，在讀寫的速度上沒什么區(qū)別，但在存儲結(jié)構(gòu)上卻采用了與Parallel NandFlash相同的結(jié)構(gòu)，所以SPI nand相對于SPI norFlash具有擦寫的次數(shù)多，擦寫速度快的優(yōu)勢，但是在使用以及使用過程中會同樣跟Parallel NandFlash一樣會出現(xiàn)壞塊，因此，也需要做特殊壞塊處理才能使用；

　　SPI NandFlash相對比Parallel NandFlash還有一個重要的特點，那就是芯片自己有內(nèi)部ECC糾錯模塊，用戶無需再使用ECC算法計算糾錯，用戶可以在系統(tǒng)應(yīng)用當中可以簡化代碼，簡單操作；

　　我們通常見到的W25N01GVZEIG、GD5F4GQ4UBYIG、F50L1G41A等型號都是SPI NandFlash，其常見的封裝多為QFN8、BGA24等。

　　六、eMMC Flash

　　eMMC采用統(tǒng)一的MMC標準接口，自身集成MMC Controller，存儲單元與NandFlash相同。針對Flash的特性，eMMC產(chǎn)品內(nèi)部已經(jīng)包含了Flash管理技術(shù)，包括錯誤探測和糾正，F(xiàn)lash平均擦寫，壞塊管理，掉電保護等技術(shù)。MMC接口速度高達每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升級的性能，同時其接口電壓可以是 1.8v 或者是 3.3v。

　　eMMC相當于NandFlash+主控IC ，對外的接口協(xié)議與SD、TF卡一樣，主要是針對手機或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標準規(guī)格。eMMC的一個明顯優(yōu)勢是在封裝中集成了一個控制器，它提供標準接口并管理閃存，使得手機廠商就能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其它部分，并縮短向市場推出產(chǎn)品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應(yīng)商來說，同樣的重要。

　　eMMC由一個嵌入式存儲解決方案組成，帶有MMC（多媒體卡）接口、快閃存儲器設(shè)備（Nand Flash）及主控制器，所有都在一個小型的BGA 封裝，最常見的有BGA153封裝;我們通常見到的KLMAG8DEDD、THGBMAG8B4JBAIM、EMMC04G-S100等型號都是eMMC Flash。eMMCFlash存儲容量大，市場上32GByte容量都常見了，其常見的封裝多為BGA153、BGA169、BGA100等。

　　七、USF2.0

　　JEDEC在2013年9月發(fā)布了新一代的通用閃存存儲器標準USF2.0，該標準下得閃存讀寫速度可以高達每秒1400MB，這相當于在兩秒鐘內(nèi)讀寫兩個CD光盤的數(shù)據(jù)，不僅比eMMC有更巨大的優(yōu)勢，而且它甚至能夠讓電腦上使用的閃存存儲介質(zhì)固態(tài)硬盤也相形見絀。UFS閃存規(guī)格采用了新的標準2.0接口，它使用的是串行界面，很像PATA、SATA的轉(zhuǎn)換，并且它支持全雙工運行，可同時讀寫操作，還支持指令隊列。相對之下，eMMC是半雙工，讀寫必須分開執(zhí)行，指令也是打包，在速度上就已經(jīng)是略遜一籌了，而且UFS芯片不僅傳輸速度快，功耗也要比eMMC5.0低一半，可以說是日后旗艦手機閃存的理想搭配。目前僅有少數(shù)的半導體廠商有提供封裝成品，如三星、東芝電子等。

　　Flash因功能不同，使用的領(lǐng)域也各異，它在電子市場上應(yīng)用極為廣泛，需求量極大，每日的需求量可達百萬的數(shù)量級，工廠要保證生產(chǎn)效率就必須要求所用的編程高穩(wěn)定、高速度，目前國內(nèi)ZLG致遠電子的SmartPRO 6000F-Plus是給Flash量身定制的一款高效能的Flash專燒編程器。