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晶圓級封裝產業(WLP),晶圓級封裝產業(WLP)是什么意思

2010年03月04日 11:35 www.solar-ruike.com.cn 作者:佚名 用戶評論(0
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晶圓級封裝產業(WLP),晶圓級封裝產業(WLP)是什么意思

一、晶圓級封裝(Wafer Level Packaging)簡介 晶圓級封裝(WLP,Wafer Level Package) 的一般定義為直接在晶圓上進行大多數或是全部的封裝測試程序,之后再進行切割(singulation)制成單顆組件。而重新分配(redistribution)與凸塊(bumping)技術為其I/O繞線的一般選擇。WLP

一、晶圓級封裝(Wafer Level Packaging)簡介
晶圓級封裝(WLP,Wafer Level Package) 的一般定義為直接在晶圓上進行大多數或是全部的封裝測試程序,之后再進行切割(singulation)制成單顆組件。而重新分配(redistribution)與凸塊(bumping)技術為其I/O繞線的一般選擇。WLP封裝具有較小封裝尺寸(CSP)與較佳電性表現的優勢,目前多用于低腳數消費性IC的封裝應用(輕薄短小)。

晶圓級封裝(WLP)簡介

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資料來源:Georgia Institute of Technology(2005/09), IBT Research 整理

常見的WLP封裝繞線方式如下:1. Redistribution (Thin film), 2. Encapsulated Glass substrate, 3. Gold stud/Copper post, 4. Flex Tape等。此外,傳統的WLP封裝多采用Fan-in 型態,但是伴隨IC信號輸出pin數目增加,對ball pitch的要求趨于嚴格,加上部分組件對于封裝后尺寸以及信號輸出腳位位置的調整需求,因此變化衍生出Fan-out 與Fan-in + Fan-out 等各式新型WLP封裝型態,其制程概念甚至跳脫傳統WLP封裝,目前德商英飛凌與臺商育霈均已經發展相關技術。

二、WLP的主要應用領域

整體而言,WLP的主要應用范圍為Analog IC(累比IC)、PA/RF(手機放大器與前端模塊)與CIS(CMOS Image Sensor)等各式半導體產品,其需求主要來自于可攜式產品(iPod, iPhone)對輕薄短小的特性需求,而部分NOR Flash/SRAM也采用WLP封裝。此外,基于電氣性能考慮,DDR III考慮采用WLP或FC封裝,惟目前JEDEC仍未制定最終規格(注:至目前為止, Hynix, Samsung與 Elpida已發表DDR III產品仍采FBGA封裝),至于SiP應用則屬于長期發展目標。此外,采用塑料封裝型態(如PBGA)因其molding compound 會對MEMS組件的可動部份與光學傳感器(optical sensors)造成損害,因此MEMS組件也多采用WLP封裝。而隨著Nintendo Wii與APPLE iPhone與iPod Touch等新興消費電子產品采用加速傳感器陀螺儀等MEMS組件的加溫,成為WLP封裝的成長動能來源。

WLP的主要應用領域

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資料來源:SamsungElectronics(2004/09),IBTResearch整理

各種封裝型態的比較

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資料來源: Infineon(2006), IBT Research 整理

三、WLP的優點與挑戰

僅就以下四點討論WLP發展的挑戰,至于優點請參考下圖。

1.組件縮小化

伴隨制程微縮的組件縮小化(footprint change),對WL-CSP的設計造成挑戰,特別是Fan-in型態的WL-CSP的Ball diameter與ball pitch的技術難度提升,甚至造成封裝良率的提升瓶頸,進而導致成本上升,此議題必須妥善因應,否則WLP的應用將局限于小尺寸與低腳數組件,市場規模也將受限。

2.價格

WLP必須與傳統封裝如TSOP接近甚至更低,而其設計架構、使用材料與制造流程將對最終生產良率扮演最重要的價格因素,更是WLP封測廠商能否成功的關鍵要素。

3.可靠度

晶粒與基板之間的thermal mismatch隨尺次越大越加嚴重,其所造成的solder ball fatigue(錫鉛球熱疲勞)導致WLP 輸出腳數多局限于輸出腳數小于60的產品,而隨著半導體組件輸出信號腳數的增加,加強bumping 連結強度的重要性日趨提高。

4.測試方法(Wafer level testing and burn-in)

KGD(Known Good Die)的價格必須與TSOP相近,而WLP對于高密度接觸點與接觸點共平面性/壓力的要求相當嚴格,成本不易壓低。而WLP相關治具套件的開發與規模經濟成為WLP cost-down以及市場成長的重要關鍵,畢竟最終價格效能(C/P ratio)還是封裝型態選擇的關鍵要素。

WL-CSP的優點

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資料來源: Infineon(2005/09), IBT Research 整理

四、WLP市場規模與主要供貨商

2005年WLP封裝市場規模達到2.1億美元,預計于2010年將成長至5.5億美元,期間產值CAGR達到21%,成長率不僅優于整體半導體產業,亦優于整體封裝產業,而如前所述消費性電子產品對輕薄短小特性的需求,以及加速傳感器與陀螺儀等MEMS組件的封裝需求為WLP市產的主要成長動能來源。目前WLP主要的供貨商包括主要如STM等IDM大廠(一貫化整合制程需求)、日月光等主要封測委外代工廠(具有bumping技術與產能優勢)、聚焦WLP技術的專業封測廠如臺積電與OV合資的精材科技(以CMOS組件封裝為主,并發展TSV- Through Silicon Vias等多元新興封裝技術),以及臺商育霈與大陸長江電子等廠商。

2005~2010 WLP封裝市場規模

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資料來源: IEK(2007/05), IBT Research 整理 單位: 百萬美元

WLP(晶圓級封裝):超越IC封裝的技術

圓級封裝(WLP)是一項公認成熟的工藝,元器件供貨商正尋求將WLP用于更多的領域,而業界對WLP技術的支持推動著該技術快速走向成熟。WLP中一個關鍵工藝是晶圓凸點,其技術發展已進入實用階段,日趨成熟穩定。隨著組件供貨商(包括功率和光電子器件)正積極轉向WLP應用,其使用范圍也在不斷擴大。


晶圓級封裝的背景


晶圓級封裝技術源自于倒裝芯片。晶圓級封裝的開發主要是由集成器件制造廠家(IBM)率先啟動。1964年,美國IBM公司在其M360計算器中最先采用了FCOB焊料凸點倒裝芯片器件。1969年,美國Delco公司在汽車中使用了焊料凸點器件。二十世紀70年代,NEC、日立等日本公司開始在一些計算器和超級計算器中采用FCOB器件。到了二十世紀90年代,世界上成立了諸如Kulicke and Soffa’s Flip Chip Division、Unitive、Fujitsu Tohoku Electronics、IC Interconnect等眾多晶圓凸點的制造公司,這些公司擁有的基礎技術是電鍍工藝與焊膏工藝。這些公司利用凸點技術和薄膜再分布技術開發了晶圓級封裝技術。FCD公司和富士通公司的超級CSP(Ultra? CSP與Supper CSP)是首批進入市場的晶圓級封裝產品。

1999年,晶圓凸點的制造公司開始給主要的封裝配套廠家發放技術許可證。這樣,倒裝芯片和晶圓級封裝也就逐漸在世界各地推廣開來。例如,***的ASE公司和Siliconware公司以及韓國的Amkor公司就是按照FCD公司的技術授權來制造超級CSP(Ultra CSP)的。


晶圓級封裝技術的現狀


隨著IC芯片技術的發展,芯片封裝技術也不斷達到新的水平,目前已可在單芯片上實現系統的集成。

在眾多的新型封裝技術中,晶圓級封裝技術最具創新性、最受世人矚目,是封裝技術取得革命性突破的標志。晶圓級封裝技術的構思是在整片晶圓上進行CSP封裝技術的制造,也就是在晶圓級基本完成了大部分的封裝工作。因此,晶圓級封裝結構,則可省略覆晶技術點膠的步驟,目前可采用彈性體或是類彈性體來抵消應力,而這些彈性體的制程,可在整片晶圓上完成,因此省去了對一個個組件分別點膠的復雜制程。方形晶圓封裝技術的設計理念,首先為增加組件與底材之間的距離,亦即選用更大的錫鉛焊料球實現導電性,現有的晶圓級封裝技術,采用重新布局技術來加大錫鉛焊料球的間距,以達到加大錫鉛焊料球體積的需求,進而降低并承受由基板與組件之間熱膨脹差異而產生的應力,提高組件的可靠性。

晶圓級封裝和晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)是同一概念,它是芯片尺寸封裝的一個突破性進展,表示的是一類電路封裝完成后仍以晶圓形式存在的封裝,其流行的主要原因是它可將封裝尺寸減小到和IC芯片一樣大小以及其加工的成本低,晶圓級封裝目前正以驚人的速度增長,其平均年增長率(CAGR)可達210%,推動這種增長的器件主要是集成電路、無源組件、高性能存儲器和較少引腳數的器件。

目前有5種成熟的工藝技術可用于晶圓凸點,每種技術各有利弊。其中金線柱焊接凸點和電解或化學鍍金焊接凸點主要用于引腳數較少的封裝(一般少于40),應用領域包括玻璃覆晶封裝(COG)、軟膜覆晶封裝(COF)和RF模塊。由于這類技術材料成本高、工序時間長,因此不適合I/O引腳多的封裝件。另一種技術是先置放焊料球,再對預成形的焊料球進行回流焊接,這種技術適用于引腳數多達300的封裝件。目前用得最多的兩種晶圓凸點工藝是電解或化學電鍍焊料,以及使用高精度壓印平臺的焊膏印刷。

印刷焊膏的優點之一是設備投資少,這使很多晶圓凸點加工制造廠家都能進入該市場,為半導體制造廠家服務。隨著WLP逐漸為商業市場所接受,全新的晶圓凸點專業加工服務需求持續迅速增長。的確,大多數晶圓凸點加工廠都以印刷功能為首要條件,并提供一項或多項其它技術。業界許多人士都認為焊膏印刷技術將主導多數晶圓凸點的應用。

最近幾年,將四種不同類型的CSP確定為區別新涌現出的封裝方法的商業化途徑:作為小型化的BGA的剛性和柔性互連、引線框架基和晶圓級封裝。由于經濟方面的考慮推動著封裝技術向著晶圓級封裝(WLP)的方向發展,以便在布局定位之前,使每種芯片的封裝定形,并確定測試方法。向300mm晶圓尺寸過渡推動著越來越多的晶圓級封裝程序的定形方法的出臺。WLP對于低針腳數無源組件、EEPROM、閃存、DRAMASIC和微處理機已是一種經濟的方法。用于互連的面數組對于IC的I/O間距與印制電路板(PCB)的布線密度匹配也是很有必要的,這對于將用于微電子系統的不同組件或模塊組合到一起是很必要的。因此,10年前開發出的重新布局技術對于WLP來說是一種最基本的工藝步驟。

目前的大容量WLP與Phoenix, Arizona和Unitive(自1999年在***)(開始從MCNC分離出來,現在屬于Amkor的一部分)的FCI(前者倒裝芯片技術)的技術類似。他們的商標名為UltraCSP(FCI)和Xtreme(Unitive/Amkor)的這種技術制定了標準,現在WLP每星期的出貨量達百萬件。

WLP是在市場不斷地追求小型化的壓力下,倒裝芯片技術與SMT和BGA結合的產物。業內對于晶圓級封裝理念的命名還不明確,定義上有些混亂。關鍵是在組裝前是否需要對器件進行進一步的封裝。如果不需要的話,就應將這種技術定義為晶圓級封裝。對于多數高I/O微處理機和ASIC來說,在實施最后表面組裝焊接前,芯片是裝在互連載體上的,這樣的話,就不是晶圓級封裝了。縮略語FCIP(封裝內倒裝芯片,Flip Chip in Package)應用于這些方法中。

用于CSP的所有晶圓級方法的獨特性能是在封裝內沒有采用(圓片級)鍵合技術。其是集BGA/CSP、倒裝芯片和晶圓處理的經濟性優點于一體,使其成為一種低成本的封裝方法。

新的和改良的微電子系統要求更加復雜的器件,由于板上的子系統布線方面的因素,這類器件會限制性能。堆棧的各塑料封裝不僅有成本高的缺點,而且不能夠為實現縮小整體封裝尺寸和像電阻電容、電感和濾波器這樣的無源組件的集成提供有效的方法。3D系統集成提供了一種可以克服這些缺點的技術。

采用倒裝芯片進行垂直集成要求有一個重新布局軌跡的基體芯片,使其與二個芯片的I/O布局匹配。這樣,就能夠使倒裝芯片的性能優點與集成到重新布局層中的無源組件的選擇相結合。圖2所示是在重新布局的IC焊盤的第二個硅芯片上裝有倒裝芯片的微控制器的堆棧式FC-WLP。從基體芯片到WLCSP基板的互連是使用線焊的方法完成的。

在這種方法中,晶圓級上的功能基體芯片被用作第二個芯片的倒裝芯片鍵合的有源基板。使用共晶或無鉛焊料球實現電子和機械互連,其方法是采用電鍍技術沉積無鉛焊料。將基體芯片重新布局在可焊的UBM的面數組。重新布局是由電鍍銅軌跡達到低電氘率。


使用低K成像的BCB實現介質隔離


目前,晶圓級封裝正向更廣泛的應用領域過渡:MEMS和MOEMS乃至被應用于生物醫學領域。

1995年,Shellcase公司將用于光學組件的WLP應用于兩塊平行玻璃板之間的芯片密封。外部焊盤擴充到芯片的劃線。

然后,將晶圓的有源面膠粘到玻璃板,使晶圓的厚度減薄到100μm。將第二塊玻璃板膠粘到晶圓的反面,并將其局部鋸開,使延長的焊盤裸露出來。操作員在UBM焊盤的數組面上進行鍍覆,粘附焊料球,通過切片使最終的晶圓定位。在這個封裝中的芯片的有源面有通路。

Schott電子封裝公司已推出了以光學應用為重點的新的封裝技術。光學封裝和多數MEMS封裝必須解決一個最基本的問題,即當將SMT組裝技術應用于器件中時:必須使傳感器表面與環境相互作用而不會出現由于封裝所造成的任何限制,同時,保護傳感器器件不受環境的影響。

如果傳感器的有源面是在器件的一面,而用于互連的柵數組觸點布設在圖像傳感器芯片反面的話,用于傳感器的WLP是可制造的。硅-導通孔-觸點對于這種方法來說是至關重要的。這種方法對以光學應用為重點的新的封裝技術是一種將WLP和MEMS工藝技術智能的組合,是Schott 電子封裝公司所獲得的結果,而且柏林的Fraunhofer IZM公司為生產進行的共同深層次開發。這種新技術的特性是在完成了低成本組裝后能夠完全接觸到傳感器前面的硅-導通孔-觸點。因此,是可以采用晶圓級封裝的,因為傳感器的有源面是在鍵合到玻璃晶圓器件的一面和在底部對互連的柵數組觸點重新布局。

基本工藝步驟是將傳感器晶圓鍵合到玻璃晶圓上,研磨傳感器晶圓,在硅中蝕刻導通孔,以便在反面開出一個焊盤,采用噴涂的方法,在反面重新布局觸點,進行深層金屬板印刷,最后植球。所有的工藝步驟都是高產量的全自動生產。像CCD這樣的光學傳感器的性能沒有變化。

這種新的高可靠性技術將會進一步降低傳感器的封裝成本,為客戶或汽車產品市場開發出一種新的應用方法。還開發出了晶圓級封裝的一個新的應用領域。可移植的無線中樞神經界面這種新的封裝理念正在開發中。完全集成的、無線中樞神經記錄器件將使患者從與聯機相關的感染和障礙的風險中解脫出來,允許接口節點網絡穿過中心和外圍神經系統分布。長期可移植的無線神經中樞界面要求在濕電化學環境下感應、數據處理、通訊和操作功率的生物配伍和長期穩定的高密度集成。此項研究的目的是為下一代無線猶他神經中樞界面的硅聚酰亞胺、陶瓷和SMD組件的堆棧混合組裝開發一種生物配伍晶圓級集成和互連技術。


晶圓級封裝的未來趨勢


使用無鉛和細間距凸點的晶圓級封裝(WLP)在全球WLP的市場需求中所占份額還較小。盡管根據國際半導體技術藍圖(ITRS)預測:到2009年,凸點間的間距(相鄰凸點中心到中心的距離)為100mm。但對于量產的凸點制造商來說,目前市場對間距<100mm凸點的需求量非常低。例如,焊料凸點的先導者IBM,仍在許多產品中使用間距為220mm的C4凸點技術。對細間距互連來說,目前一個很小但增長迅速的應用領域是在高密度象素探測器數組上的應用。與此同時,很多市場和實際應用對無鉛焊料的需求也呈快速增長態勢。大量汽車電子產品和手機的OEM供貨商發現,客戶對于無鉛產品的需求正持續增長。


結論


隨著越來越多晶圓焊料凸點專業廠家將焊膏印刷工藝用于WLP封裝,批量壓印技術開始在半導體封裝領域廣泛普及。然而,大型EMS企業也走進了WLP領域。封裝和板卡之間的邊界,以及封裝與組裝工藝之間的邊界日漸模糊,迫使企業必須具備晶圓級和芯片級工藝技術來為客戶服務。當然,這些企業對精密絲網印刷工藝已很熟悉,多年來一直采用這種工藝技術進行器件貼裝前的焊膏涂敷。因此,將印刷技術轉向WLP工藝相對比較容易。

在十年內,晶圓級封裝在半導體工業中的基礎結構已發生變化。集成的無源組件、3D集成和MEMS/MOEMS采用了可靠的WLP理念。3D集成系統在與降低了互連長度結合時對板子的空間要求小,為高頻應用提供了較小的寄生效應。集成的無源組件將進一步推動著WLP向前發展。因此,WLP將向著SiP方向發展。因為工藝技術、工藝設備和材料以及人們通常的思維方式在許多方面達成了共識,WLP和SiP在業界的應用將會從倒裝芯片和晶圓凸點植球基礎結構方面受益,目前正以驚人的步伐向前發展。此外,WLP必須轉變成復雜的系統集成和實現無鉛化,以迎接快速發展的半導體的需求和滿足客戶日益提高的功能性需求。

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