韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》發(fā)布消息稱(chēng)，三星電子已成功研發(fā)出5納米(nm)半導(dǎo)體工藝，并于4月中正式量產(chǎn)首個(gè)利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對(duì)于新一代半導(dǎo)體的精密工藝問(wèn)題，三星電子與各企業(yè)間的技術(shù)較量
2019-05-22 10:25:42
4668 昨日（6月3日），華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，其90納米BCD工藝在華虹無(wú)錫12英寸生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。90納米BCD工藝具備高性能指標(biāo)及較小的芯片面積等優(yōu)質(zhì)特色。 據(jù)了解，華虹半導(dǎo)體的90納米BCD工藝
2021-06-04 09:36:175405 近日，SK海力士在官網(wǎng)宣布，適用第四代10納米（1a）級(jí)工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移動(dòng)端DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）產(chǎn)品已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)。 自從10納米級(jí)DRAM產(chǎn)品開(kāi)始，半導(dǎo)體
2021-07-12 10:57:064340 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊： 在28納米產(chǎn)品和新平開(kāi)發(fā)軟件平臺(tái)Vivado發(fā)布后，賽靈思并沒(méi)有停止新工藝開(kāi)發(fā)的腳步。日前賽靈思宣布了其20納米的產(chǎn)品規(guī)劃。 賽靈思全球高級(jí)副總裁、亞太區(qū)執(zhí)行總
2012-11-14 10:43:401136 在國(guó)際電子電路研討會(huì)大會(huì)（ISSCC）上，三星展示了采用10納米FinFET工藝技術(shù)制造的300mm晶圓，這表明三星10納米FinFET工藝技術(shù)最終基本定型。
2015-05-28 10:25:271715 TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過(guò)他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，還會(huì)用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:09989 。iPhone 7 搭載的是 蘋(píng)果 A10 Fusion 芯片，這款芯片采用兩顆高性能核心和兩顆高能效核心。目前，我們還不清楚 A11 芯片的設(shè)計(jì)，但是臺(tái)積電會(huì)采用 10納米工藝制作。
2017-03-28 08:35:571215 攻關(guān)企業(yè)級(jí)12納米制程SSD主控芯片。 魏智汎還透露，華存在研SSD主控芯片將采用臺(tái)積電12納米工藝，預(yù)計(jì)2020年第一季度流片，第三季度發(fā)布。相較于目前市場(chǎng)SSD主控芯片主流的28納米工藝制程，及極少數(shù)高端PCIe主控采用的16納米工藝，江蘇華存的
2019-07-09 17:16:251266 一則消息十分引人關(guān)注。高通最新發(fā)布旗下第三代5G基帶芯片驍龍X60，該芯片將采用三星5納米工藝進(jìn)行代工生產(chǎn)。
2020-03-09 10:08:121582 1K107鐵基納米晶的衍生型號(hào)有：1K107、1K107A、1K107B、1K107D，這些型號(hào)的區(qū)別在哪里？成分？退火工藝？性能？
2017-04-27 10:43:58
（Microcontroller Unit, MCU）市場(chǎng)，最新推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲(chǔ)器（95納米5V SG eNVM）工藝平臺(tái)。在保證產(chǎn)品穩(wěn)定性能的同時(shí)，95納米5V SG eNVM工藝平臺(tái)以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23
各位請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有mentor graphics HyperLynx V7.0或者mentor graphics HyperLynx V8.0，可否發(fā)一份給我或者發(fā)個(gè)資源鏈接，包括破解文件的，謝謝了！郵箱shuaigogo@yeat.net。
2014-03-15 09:51:16
工藝庫(kù)TSMC0.18um和TSMC0.18umrf有什么區(qū)別呢？求大神解答
2021-06-23 07:33:12
納米位移計(jì)真的可以測(cè)到納米級(jí)別的物體的位移？
2015-07-23 10:36:36
平行ZnO納米線(xiàn)制成柔性壓電納米發(fā)電機(jī) 圖10縱向排列ZnO納米線(xiàn)制成柔性壓電納米發(fā)電機(jī) 圖11ZnO纖維制成柔性壓電納米發(fā)電機(jī)（左為在紡織纖維周?chē)鷱较蛏L(zhǎng)ZnO納米線(xiàn)，右為ZnO納米
2020-08-25 10:59:35
納米定位平臺(tái)跟納米平臺(tái)的區(qū)別是什么？
2015-07-19 09:42:13
實(shí)用和更堅(jiān)固的制造工藝來(lái)封裝它。NG-B納米編碼器簡(jiǎn)介：NG-B計(jì)量系統(tǒng)的一些特點(diǎn)是獨(dú)一無(wú)二的，特別像它低成本、快速、高度精確的插值算法（一種圖像處理方法）的特點(diǎn)。雙軸PolarFlash處理傳感器的信號(hào)
2013-11-18 14:53:25
的日常防護(hù)需求。尤其適合對(duì)手機(jī)，智能穿戴設(shè)備做整機(jī)處理，并可達(dá)到IPX7的專(zhuān)業(yè)防水等級(jí)。特點(diǎn)：具有防水、耐腐蝕，導(dǎo)電性能。 主要工藝：在真空狀態(tài)，一定條件納米材料形成氣體沉積在產(chǎn)品表面。360°無(wú)死角
2018-09-19 13:34:06
7nm移動(dòng)處理器，采用全新A76架構(gòu)，相比蘋(píng)果的A12要早了半個(gè)月，而驍龍的855和三星的Exynos 9820要到年底甚至是明年年初才會(huì)正式公布量產(chǎn)。可見(jiàn)，7納米制造工藝并不是中國(guó)芯難以翻越的大山
2018-09-05 14:38:53
STM32WL MCU 的生產(chǎn)工藝（nm）是多少？我們正在考慮設(shè)計(jì)一個(gè)系統(tǒng)，該系統(tǒng)必須在可能的輻射環(huán)境中運(yùn)行，而工藝的納米尺寸將對(duì)此產(chǎn)生影響。
2022-12-26 07:15:25
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線(xiàn)制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號(hào)：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V族半導(dǎo)體納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)的光子學(xué)特性編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導(dǎo)體納米線(xiàn) (NW) 由于其沿納米線(xiàn)軸對(duì)電子和光子
2021-07-09 10:20:13
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號(hào)：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
什么是納米？為什么制程更小更節(jié)能？為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
如何判定依據(jù)有納米防水防潮膜。回答：產(chǎn)品傾斜30°，10cm高得地方，滴直徑約5mm水珠，水珠在產(chǎn)品上方不會(huì)有任何粘附，直接流下來(lái)，流下后產(chǎn)品看不出任何水跡。即為有，反之有水痕的就無(wú)。問(wèn)題三：納米防水防潮膜
2018-09-28 23:44:17
一半，而性能提高兩倍。通過(guò)選擇一個(gè)高性能低功耗的工藝技術(shù)，一個(gè)覆蓋所有產(chǎn)品系列的、統(tǒng)一的、可擴(kuò)展的架構(gòu)，以及創(chuàng)新的工具，賽靈思將最大限度地發(fā)揮 28 納米技術(shù)的價(jià)值， 為客戶(hù)提供具備 ASIC 級(jí)功能
2019-08-09 07:27:00
有精度可以真正達(dá)到納米的納米位移計(jì)嗎？
2015-08-26 10:41:07
求TSMC90nm的工藝庫(kù)，請(qǐng)問(wèn)可以分享一下嗎？
2021-06-22 06:21:52
，7項(xiàng)專(zhuān)利已經(jīng)受理，5項(xiàng)專(zhuān)利正在申請(qǐng)中。目前擁有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、部分產(chǎn)品國(guó)際領(lǐng)先的生產(chǎn)工藝，高純超細(xì)氧化鋁、5n氧化鋁、超活性高純納米二氧化鈦、納米氧化鈦、高純納米氧化鋯、納米氧化鋁、納米氧化鋅、納米氧化鈰
2011-11-12 09:57:00
碳納米纖維是指具有納米尺度的碳纖維，依其結(jié)構(gòu)特性可分為納米碳管即空心碳納米纖維和實(shí)心碳納米纖維。
2019-09-20 09:02:43
請(qǐng)教各位大佬TSMC0.18um中，BCD工藝和mixsignal工藝的區(qū)別，除了mos結(jié)構(gòu)上會(huì)有hvnw和nbl隔離之外，還有其他的嗎
2021-06-25 07:08:49
納米磁性薄膜材料的濕法工藝馮則坤，何華輝關(guān)鍵詞：納米薄膜，磁性材料，電鍍摘 要：介紹了納米磁性薄膜材料特性、類(lèi)型，綜述了近年來(lái)興起的濕法工藝及其用濕法
2010-02-07 16:42:46
37 臺(tái)積電率先量產(chǎn)40納米工藝
臺(tái)積電公司日前表示，40納米泛用型（40G）及40納米低耗電（40LP）工藝正式進(jìn)入量產(chǎn)，成為專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域唯一量產(chǎn)40納米工藝的公司
2008-11-22 18:27:07725 中芯國(guó)際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（“中芯國(guó)際”，紐約
2009-10-15 08:22:44793 英飛凌、TSMC擴(kuò)大合作，攜手65納米嵌入式閃存工藝
英飛凌科技股份公司與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司近日共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴(kuò)大合作，攜手開(kāi)發(fā)
2009-11-10 09:02:381977 高通攜手TSMC，繼續(xù)28納米工藝上合作
高通公司（Qualcomm Incorporated）與其專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)伙伴－TSMC前不久日共同宣布，雙方正在28納米工藝技術(shù)進(jìn)行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910 英特爾大連廠(chǎng)十月投產(chǎn) 65納米工藝生產(chǎn)芯片組
英特爾近日宣布，其大連芯片廠(chǎng)將在2010年10月份如期投產(chǎn)。大連芯片廠(chǎng)將采用65納米工藝生產(chǎn)300毫米芯片組。
2010-02-08 09:17:52808 賽靈思宣布采用 28 納米工藝加速平臺(tái)開(kāi)發(fā)
全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商賽靈思公司 (Xilinx Inc. ) 今天宣布，為推進(jìn)可編程勢(shì)在必行之必然趨勢(shì)，正對(duì)系統(tǒng)工
2010-02-23 11:16:21383 Mentor Graphics Board Station PCB設(shè)計(jì)復(fù)用方法
本文介紹了一種 PCB 設(shè)計(jì)復(fù)用方法，它是基于 Mentor Graphics 的印制電路板設(shè)計(jì)工具 Board Station 進(jìn)行的。一個(gè)設(shè)
2010-03-21 18:33:102750 
參考流程 8.0 版（Reference Flow 8.0）提供高級(jí)DFM 性能WILSONVILLE, Ore. and HSINCHU, Taiwan – 2007 年6 月5 日 –明導(dǎo)公司 (Mentor Graphics 納斯達(dá)克代號(hào): MENT) 與臺(tái)灣半導(dǎo)體制造
2010-06-20 11:14:031112 近期，高通公司宣布將推出首款基于28納米工藝的Snapdragon芯片組MSM8960并宣布此芯片組將于2011財(cái)年開(kāi)始出樣。基于28納米工藝的該芯片組采用新的CPU內(nèi)核為特征，主要針對(duì)高端
2010-11-24 09:19:571471 隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步，超大規(guī)模集成電路（VLSI）的特征尺寸已經(jīng)步入納米范圍。納米級(jí)工藝存在著很多不同于以往微米、亞微米工藝的特點(diǎn)，因此為制造和設(shè)計(jì)都帶來(lái)了很多難題，諸
2011-05-28 16:36:270 中國(guó)頂尖設(shè)計(jì)公司已經(jīng)采用28納米尖端技術(shù)開(kāi)發(fā)芯片，而本地9.2%無(wú)晶圓廠(chǎng)半導(dǎo)體公司亦采用先進(jìn)的45納米或以下的工藝技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)及大規(guī)模量產(chǎn)
2011-09-13 09:00:403212 新思科技有限公司（Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS）日前宣布：即日起推出其用于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）28納米高性能（HP）和移動(dòng)高性能（HPM）工藝技術(shù)的
2012-02-22 14:04:27754 珠海全志科技與TSMC今（26）日共同宣布，成功推出采用TSMC55納米工藝生產(chǎn)的A10系列系統(tǒng)整合芯片（SoC）平臺(tái)，藉由搭配珠海全志科技全新的Android 4.0.3 軟件開(kāi)發(fā)工具包（Software Devel
2012-03-27 08:52:402408 臺(tái)積電TSMC已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)28納米工藝的ARM處理器了。TSMC在2011年第四季度開(kāi)始從28納米芯片獲得營(yíng)收，目前28納米工藝芯片占有公司總營(yíng)收的額5%。在今年晚些時(shí)候，TSMC將加速28納米芯片的生
2012-04-18 10:22:37830 
據(jù)媒體報(bào)道，展訊通信宣布，業(yè)界首款基于40納米CMOS工藝的2.5G基帶芯片產(chǎn)品SC6530已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用。
2012-05-02 08:34:19687 TSMC今（3）日宣布，采用28納米高效能工藝生產(chǎn)的ARM? Cortex-A9雙核心處理器測(cè)試芯片在常態(tài)下的處理速度高達(dá)3.1GHz。
2012-05-04 08:54:331910 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對(duì)設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)行檢查。光學(xué)臨近校正法
2012-09-29 10:30:461761 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對(duì)設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)
2012-10-08 16:00:14915 東芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布，該公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出第二代19納米工藝技術(shù)，該技術(shù)將于本月晚些時(shí)候用于量產(chǎn)每單元2比特的64吉比特NAND存儲(chǔ)芯片。
2013-05-23 10:34:251176 日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。
2013-07-25 10:10:521049 俄勒岡州威爾遜維爾，2015 年 4 月 6 日—Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT ）今天宣布，TSMC和Mentor Graphics已經(jīng)達(dá)到在10nm EDA認(rèn)證合作的第一個(gè)里程碑
2015-04-20 14:18:061658 Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT）今天宣布，Calibre? nmPlatform 已通過(guò)TSMC 10nm FinFET V0.9 工藝認(rèn)證。此外，Mentor
2015-09-21 15:37:101300 Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT）今天宣布，正與 GLOBALFOUNDRIES 展開(kāi)合作，認(rèn)證 Mentor? RTL 到 GDS 平臺(tái)（包括 RealTime
2015-11-16 17:16:231078 俄勒岡州威爾遜維爾，2016 年 3 月 11 日—Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT）今日宣布，與三星電子合作，為三星代工廠(chǎng)的10 納米 FinFET 工藝提供各種
2016-03-11 14:39:211266 WILSONVILLE， Ore.， 2016年3月15日— Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT）今天發(fā)布了一款結(jié)合設(shè)計(jì)、版圖布局和驗(yàn)證的解決方案，為TSMC集成扇出型 （InFO） 晶圓級(jí)封裝技術(shù)的設(shè)計(jì)應(yīng)用提供支持。
2016-03-15 14:06:02988 2016年3月22日，中國(guó)上海——楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ： CDNS）今日宣布，用于10納米 FinFET工藝的數(shù)字、定制／模擬和簽核工具通過(guò)臺(tái)積電（TSMC）V1.0設(shè)計(jì)參考手冊(cè)（DRM）及SPICE認(rèn)證。
2016-03-22 13:54:541026 ，中芯長(zhǎng)電將為美國(guó)高通公司提供14納米硅片凸塊量產(chǎn)加工。這是中芯長(zhǎng)電繼規(guī)模量產(chǎn)28納米硅片凸塊加工之后，中國(guó)企業(yè)首次進(jìn)入14納米先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2016-08-04 11:42:23854 明年是蘋(píng)果進(jìn)入智能手機(jī)市場(chǎng)十周年，蘋(píng)果準(zhǔn)備推出一款重大升級(jí)內(nèi)容的新手機(jī)，其中蘋(píng)果按照慣例將會(huì)采用A11應(yīng)用處理器。據(jù)媒體報(bào)道，蘋(píng)果應(yīng)用處理器的芯片代工廠(chǎng)臺(tái)積電，目前已經(jīng)就緒10納米制造工藝，將為量產(chǎn)蘋(píng)果的新處理器做好準(zhǔn)備。
2016-11-24 14:24:221561 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電、三星電子10納米制程量產(chǎn)進(jìn)入倒數(shù)計(jì)時(shí)階段，然近期卻陸續(xù)傳出量產(chǎn)卡關(guān)消息，半導(dǎo)體業(yè)者透露，臺(tái)積電為蘋(píng)果（Apple）生產(chǎn)新一代iPad處理器A10X，出現(xiàn)良率不如預(yù)期情況
2016-12-22 10:17:15686 明年將會(huì)是10納米工藝移動(dòng)芯片爆發(fā)的年代，雖然有消息爆出10納米工藝的芯片良品率并不讓人樂(lè)觀，但是作為明年高端處理器的標(biāo)簽，各家芯片廠(chǎng)依舊對(duì)10納米工藝趨之若鶩。
2016-12-30 13:43:111213 賽靈思、Arm、Cadence和臺(tái)積公司今日宣布一項(xiàng)合作，將共同構(gòu)建首款基于臺(tái)積7納米FinFET工藝的支持芯片間緩存一致性（CCIX）的加速器測(cè)試芯片，并計(jì)劃在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? （AFS?） Platform 獲得 TSMC 12nm FinFET Compact
2017-10-11 11:13:422372 7納米工藝將成為明年的重點(diǎn)制程工藝，但受成本太高的原因，據(jù)悉明年僅三星蘋(píng)果兩家手機(jī)繼續(xù)采用7納米處理器。高通沒(méi)有采用臺(tái)積電最新的7納米工藝，會(huì)繼續(xù)延用三星電子的10納米工藝。
2017-12-14 08:59:366197 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級(jí)芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331114 近日高通驍龍670被曝光，這又將成為繼驍龍845后的又一中高端神U。高通明年中高端旗艦也許就靠它了。驍龍670或?qū)⒉捎?b class="flag-6" style="color: red">10納米制程工藝，支持最高6GB的DDR4X內(nèi)存。
2017-12-28 16:46:302996 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道，三星電子今天宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:416063 據(jù)報(bào)道，基于10納米工藝的驍龍670處理器已經(jīng)曝光了它的首個(gè)跑分成績(jī)，作為一款高通中端處理器，最近有著頗高的關(guān)注度。跑分表明其單核分?jǐn)?shù)為1863，多核的跑分成績(jī)則為5256。
2018-01-05 09:46:523546 
TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Mentor 同時(shí)宣布，已更新了 Calibre nmPlatform 工具，可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術(shù)
2018-05-17 15:19:003391 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片代工商臺(tái)積電的CEO魏哲家日前透露，他們的7納米工藝已投入生產(chǎn)，更先進(jìn)的5納米工藝最快會(huì)在明年底投產(chǎn)。 臺(tái)積電CEO：7納米芯片已量產(chǎn) 5納米工藝最快明年底投產(chǎn) 魏哲家是在不久前
2018-06-29 12:23:015747 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片代工商 臺(tái)積電 的CEO魏哲家日前透露，他們的7納米工藝已投入生產(chǎn)，更先進(jìn)的5納米工藝最快會(huì)在明年底投產(chǎn)。
2018-08-01 16:48:343225 Credo 在2016年展示了其獨(dú)特的28納米工藝節(jié)點(diǎn)下的混合訊號(hào)112G PAM4 SerDes技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗100G光模塊，并且快速地躍進(jìn)至16納米工藝結(jié)點(diǎn)來(lái)提供創(chuàng)新且互補(bǔ)的112G連接
2018-10-30 11:11:125204 近日，華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線(xiàn)通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2018-12-12 15:15:012029 華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線(xiàn)通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-01 15:13:003780 在2018年臺(tái)積電的7納米工藝領(lǐng)跑三星后，三星不甘示弱地推出于2020年3納米工藝量產(chǎn)計(jì)劃，以超車(chē)臺(tái)積電。至此，先進(jìn)工藝賽道呈現(xiàn)“你方未唱罷我已登場(chǎng)”的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。
2018-12-22 10:47:133007 隨著晶圓代工廠(chǎng)臺(tái)積電及記憶體廠(chǎng)三星電子的7納米邏輯制程均支援極紫外光（EUV）微影技術(shù)，并會(huì)在2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段，半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定正在開(kāi)發(fā)中的7納米制程會(huì)支援新一代EUV技術(shù)。
2019-01-03 11:31:593812 華虹集團(tuán)旗下上海華力與聯(lián)發(fā)科技股份有限公司共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一——基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線(xiàn)通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-07 14:15:453224 最近，三星以及臺(tái)積電在先進(jìn)半導(dǎo)體制程打得相當(dāng)火熱，彼此都想要在晶圓代工中搶得先機(jī)以爭(zhēng)取訂單，幾乎成了14納米與16納米之爭(zhēng)，然而14納米與16納米這兩個(gè)數(shù)字的究竟意義為何，指的又是哪個(gè)部位？而在縮小工藝后又將來(lái)帶來(lái)什么好處與難題？以下我們將就納米工藝做簡(jiǎn)單的說(shuō)明。
2019-04-29 10:35:449233 
就在臺(tái)積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外光（EUV）技術(shù)的7納米技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段后，半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定開(kāi)始進(jìn)入10納米時(shí)代，預(yù)計(jì)采用10納米產(chǎn)品將在6月開(kāi)始出貨。同時(shí)，英特爾將加速支援EUV技術(shù)的7納米制程研發(fā)，預(yù)期2021年可望進(jìn)入量產(chǎn)階段，首款代表性產(chǎn)品將是Xe架構(gòu)繪圖芯片。
2019-05-14 16:32:463239 英特爾預(yù)計(jì)其制造工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)將保持2年一飛躍的節(jié)奏，從2019年的10納米工藝開(kāi)始，到2021年轉(zhuǎn)向7納米EUV（極紫外光刻），然后在2023年采用5納米，2025年3納米，2027年2納米，最終到2029年的1.4納米。
2019-12-11 10:31:203165 在現(xiàn)在的芯片設(shè)計(jì)制造領(lǐng)域，無(wú)論是IDM企業(yè)還是代工企業(yè)，能夠突破14納米制造工藝的企業(yè)沒(méi)幾家，而能夠達(dá)到10納米的更是少之又少，也就是三星和臺(tái)積電了，至于英特爾，這種擠牙膏的企業(yè)，不說(shuō)也罷！
2019-12-13 17:17:133840 臺(tái)積電（TSMC）日前在新竹舉行年度股東大會(huì)中，首度透露在其5納米（N4）與3納米制程之間，將會(huì)有4納米制程（N4）的開(kāi)發(fā)。
2020-07-09 15:19:561322 9月25日消息 據(jù)wccftech報(bào)道，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）在2nm半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)的研發(fā)方面取得了重要突破：臺(tái)積電有望在2023年中期進(jìn)入2nm工藝的試生產(chǎn)階段，并于一年后開(kāi)始批量生產(chǎn)
2020-09-25 17:08:151297 日前，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博士在投資者調(diào)研會(huì)議上透漏了公司最新進(jìn)展，特別是在先進(jìn)工藝上的最新情況。 梁博士表示，14 納米在去年第四季度進(jìn)入量產(chǎn)，良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。隨著我們展現(xiàn)出的研發(fā)執(zhí)行
2020-11-20 10:44:011645 美國(guó)芯片制造商英特爾公司當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一表示，將在第一季度提升10納米制造工藝技術(shù)的數(shù)據(jù)中心芯片產(chǎn)量，今年內(nèi)10納米制造工藝技術(shù)芯片的產(chǎn)量將會(huì)超過(guò)14納米工藝制造技術(shù)芯片，使得新一代芯片制造技術(shù)成為該公司今年產(chǎn)量的關(guān)鍵組成部分。
2021-01-12 14:03:081509 本月17日消息，臺(tái)積電在2022年北美技術(shù)論壇會(huì)上，推出了2納米芯片的制程工藝，并表示2納米芯片將在2025年量產(chǎn)。
2022-06-23 16:39:534248 臺(tái)積電在2022年北美技術(shù)論壇上，表示3納米預(yù)計(jì)于今年下半年量產(chǎn)，并將搭配TSMC FINFLEX架構(gòu)。
2022-07-01 15:02:161065 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7納米工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14納米工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:35:55123297 ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷(xiāo)售廠(chǎng)商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE： 3035）今日推出支援多家晶圓廠(chǎng)FinFET工藝的芯片后端設(shè)計(jì)服務(wù)（design implementation service），由客戶(hù)指定制程（8納米、7納米、5納米及更先進(jìn)工藝）及生產(chǎn)的晶圓廠(chǎng)。
2022-10-25 11:52:17724 5nm制造工藝是什么呢？首先，我們需要了解一下納米級(jí)別的定義。納米級(jí)別是指長(zhǎng)度范圍在1到100納米之間的物質(zhì)，也就是說(shuō)，它們比人類(lèi)頭發(fā)的直徑還要小100倍。由于這種尺寸在物理和化學(xué)上具有獨(dú)特的特性，因此在信息技術(shù)、生物醫(yī)學(xué)和能源等領(lǐng)
2023-08-30 17:49:5717367 10月19日，韓國(guó)三星電子在德國(guó)慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動(dòng)。在這個(gè)活動(dòng)上，三星電子以霸氣十足的姿態(tài)公布了其芯片制造的先進(jìn)工藝路線(xiàn)圖和代工戰(zhàn)略，宣稱(chēng)將在未來(lái)3年內(nèi)量產(chǎn)2納米
2023-11-01 15:07:53430 
據(jù)報(bào)道，韓國(guó)三星代工廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始試制其第二代 3 納米級(jí)別工藝技術(shù)的芯片，稱(chēng)為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑，因?yàn)槿桥c臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)下一代先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國(guó)知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:14456 
近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14321
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