目前LED顯示封裝技術(shù)分為三個階段，分別是:傳統(tǒng)LED封裝、Mini-LED封裝和Micro-LED封裝。 ?

Mini-LED封裝目前有三個技術(shù)路線，分別是SMD、IMD和COB。SMD可以覆蓋P0.9以上的應(yīng)用市場，但在小屏應(yīng)用上面容易磕碰，可靠性稍微差一些。COB省去了SMT的貼片環(huán)節(jié)，能夠覆蓋P0.4~P2，而且是面光源發(fā)光，它的光線柔,但容易出現(xiàn)模塊化的色差。IMD是融合了SMD和COB的特點，它能在點間距上覆蓋到P0.4~P0.9,防磕碰能力強，可靠性也強。

Micro-LED封裝有如下幾個封裝技術(shù)路線:

第一種是單片式的集成封裝，這樣的封裝它具備了超高分辨率和超高亮度這個特點，但是它是存在無法解決彩色化的問題。

第二條路就是Micro陣列透鏡的光學(xué)合成，它是有比較復(fù)雜的一-個結(jié)構(gòu)，同時它無法滿足高分辨率和高亮度的要求。

第三是UV/B MicroLED陣列加上RGB量子點色轉(zhuǎn)化的全彩方案。可以看到除了量子點材料它穩(wěn)定性較差之外，無論是采用噴涂、光刻還是彩膜的方案，它都有一-些難點需要攻克。

第四就是基于RGB Micro-LED的MiP全彩封裝，它能夠兼顧良率和成本，最具量產(chǎn)可行性，核心是解決了降低Micro-LED的使用門檻、實本，最具量產(chǎn)可行性，核心是解決了降低Micro-LED的使用門檻、實現(xiàn)全測分選。

MIP(全程Micro LED in Package)本質(zhì)是Micro LED和分立器件的有機結(jié)合，即將大面積的整塊顯示面板分開封裝，這樣更小面積下其良率控制將得到極大提升，同時測試環(huán)節(jié)從芯片后移至封裝段，將有效降低成本提升速率。

MiP是將Micro-LED芯片和高精度的載板進行結(jié)合，從而實現(xiàn)扇出型封裝，能夠降低測試的難度和下游的貼裝難度。MiP器件能夠做到RGB Micro像素的全測、分選、混Bin，能使面板的顯示一致性高。MiP方案在分光分色的同時，能夠?qū)⒉涣歼M行篩選剔除，能夠保證出貨前的良率，降低下游的返修成本，這相對于傳統(tǒng)方案而言也是具備一定的優(yōu)勢。同時MiP擁有更好的適配性，一款MiP的器件能夠滿足不同點間距的產(chǎn)品應(yīng)用。

MIP封裝技術(shù)可以不大幅增加設(shè)備，能夠使用當(dāng)前機臺設(shè)備進行生產(chǎn)，這樣就大幅降低了企業(yè)的高昂的產(chǎn)線設(shè)備端投入。同時，MIP技術(shù)將原先需要在芯片端進行的測試后移至封裝后，從芯片測試改為對引腳的點測，效率得到大幅提升的同時也進一步降低了成本，保障下游客戶使用現(xiàn)有設(shè)備即可生產(chǎn)Micro LED顯示屏。已經(jīng)有國星光電、晶臺光電、芯映光電、利亞德、中麒光電等企業(yè)布局MIP封裝技術(shù)路線。

從產(chǎn)品性能上看，MIP顯示模組還具有高黑占比、特殊光學(xué)設(shè)計、兼容性強和應(yīng)用性強等優(yōu)勢。MIP封裝還更易于后期的檢測和修復(fù)。

COB是chip-on-board，即板上芯片封裝，是一種區(qū)別于SMD表貼封裝技術(shù)的新型封裝方式，具體是將裸芯片用導(dǎo)電或非導(dǎo)電膠粘附在PCB上，然后進行引線鍵合實現(xiàn)其電氣連接，并用膠把芯片和鍵合引線包封。這種封裝方式并非不需要封裝，只是整合了上下游企業(yè)，從封裝到LED顯示單元模組或顯示屏的生產(chǎn)都在一個工廠內(nèi)完成，整合和簡化了封裝企業(yè)和顯示屏制造企業(yè)的生產(chǎn)流程，生產(chǎn)過程更易于組織和管控，產(chǎn)品的點間距可以更小、可靠性成倍增加、成本更接近平民化。

目前COB封裝技術(shù)主要有以下三種發(fā)展方向：

第一種：單燈珠COB封裝技術(shù)

這種技術(shù)沿襲了傳統(tǒng)封裝技術(shù)的思路，具有較低的技術(shù)門檻，整個工藝路線和產(chǎn)業(yè)鏈布局也都沒有太大的改變。顯示屏廠還是購買封裝廠封裝好的COB燈珠，再通過SMT工藝一粒粒裝到LED顯示面板上

第二種：有限集成COB封裝技術(shù)

為了提高生產(chǎn)效率和降低像素失效率，同時避免大幅增加封裝技術(shù)的難度，有些廠家開始嘗試有限集成COB封裝技術(shù)。顯示屏廠從封裝廠購買的不再是單顆COB燈珠，而是有限集成封裝的帶有支架的COB模塊，然后將這些模塊通過SMT工藝裝到LED顯示面板上。

第三種：COB集成封裝技術(shù)

COB集成封裝技術(shù)指具有高集成度的COB封裝技術(shù)，一般至少應(yīng)具有0.5k以上的集成度，目前的技術(shù)已突破2k的集成度。整個LED顯示面板的燈珠集成都是在封裝環(huán)節(jié)中完成的，不再需要SMT工藝。COB的封裝技術(shù)又被歸類為免封裝或者省封裝的模式，但是這種封裝方式卻并不是省去封裝環(huán)節(jié)，而是省去封裝流程，和貼片工藝相比，COB的封裝流程要省去幾個步驟，在一定程度上節(jié)省了時間和工藝，也在一定程度上節(jié)約了成本。SMD的生產(chǎn)工藝需要經(jīng)過固晶、焊線、點膠、烘烤、沖壓、分光分色、編帶、貼片等環(huán)節(jié)，而COB的工藝在這個基礎(chǔ)上進行簡化，首先將IC貼在線路板上然后固晶、焊線、測試、點膠、烘烤，成為成品。

COB封裝面臨的挑戰(zhàn)

1、封裝過程的一次通過率

COB封裝方式由于其特性，COB封裝是要在一塊大的板子上，這塊板子上最多擁有1024顆燈，SMD如果封壞了一顆燈，只需要換一顆就行了，但是COB 封裝的1024顆燈封裝完成之后，要進行測試，所有燈確認(rèn)沒有問題之后，才能進行封膠。如何保證整板1024顆燈完全完好，一次通過率是非常大的挑戰(zhàn)。

2、成品一次通過率

COB產(chǎn)品是先封燈，封完燈之后，IC驅(qū)動器件要進行過回流焊工藝處理，如何保證燈面在過回流焊處理的時候，爐內(nèi)240度的高溫不對燈造成損害。這又是一大挑戰(zhàn)，和SMD相比，COB節(jié)省了燈面過回流焊的處理，但是器件面和SMD一樣，都需要過回流焊處理的，也就是說SMD要過兩次回流焊，不同的是，SMD過回流焊的時候，爐內(nèi)的溫度會對燈面造成兩種損傷，一種是焊線，溫度過高，就會急劇性快速膨脹，會造成燈絲拉斷，第二個是爐內(nèi)熱量通過支架的4 個管腳迅速傳遞到燈芯上，燈芯上可能會造成細(xì)小的碎化損傷，這種損傷很致命，檢測往往很難發(fā)現(xiàn)，包括做老化測試也很難檢測出，但是晶體的這種細(xì)小的損傷細(xì)微的裂縫，經(jīng)過一段時間這樣的缺點就會突出，進而導(dǎo)致燈泡失效。而COB就是要保證在燈面過回流焊的時候，爐內(nèi)高溫不對其造成損害，保證良品率，這也是非常重要的層面。

3、整燈維修

對于COB燈的維護，需要專業(yè)的一起來進行修護與維護。而單燈維護有一個最大的問題就是，修好之后，燈的周圍會出現(xiàn)一個圈，修一顆燈，周邊一圈都會被焊槍熏到，維修難度也比較高。

存在挑戰(zhàn)就需要找出相應(yīng)的解決辦法，目前來說，COB封裝在封裝以及維護過程中遇到的問題，企業(yè)都拿出了相應(yīng)的解決方案，比如在燈面過回流焊的時候，采用某種方式將燈面進行保護，減小損傷；在維護過程中采用逐點校正技術(shù)，保證燈珠之間的一致性。

?COB封裝有一個優(yōu)勢就是直接在PCB板上進行封裝，不受燈珠的限制，所以，對于COB來說點間距這個說法并不科學(xué)，理論上來說，COB封裝想要達(dá)到高密，是非常容易的。借用行業(yè)人士一句話來說，COB封裝就是為小間距量身打造的。

目前，多數(shù)企業(yè)基本都是SMD和COB雙路線發(fā)展，主流的P1.0間距以下LED直顯產(chǎn)品主要采用IMD和COB兩種技術(shù)。二者幾乎都能滿足目前已經(jīng)推出產(chǎn)品的P0.4-P0.9規(guī)格型號。某種角度看，MIP就像是獨立像素的COB封裝：即具有COB芯片級集成的可靠性，也擁有獨立燈珠的靈活性，且對micro時代巨量轉(zhuǎn)移的可靠性要求要低1-2個數(shù)量級。在更大眾一些的應(yīng)用產(chǎn)品，如P1.2、P1.5、乃至P3.0等產(chǎn)品上看MIP技術(shù)，其優(yōu)勢依然巨大。MIP幾乎是mini/micro 規(guī)格的LED晶體應(yīng)用在更大間距指標(biāo)LED直顯屏上的“最優(yōu)解”。MIP封裝產(chǎn)品可適應(yīng)P1.8-P0.7任意點間距，兼容性高，應(yīng)用廣泛。可實現(xiàn)混晶、分光分色，顯示效果更佳。倒裝共陰結(jié)構(gòu)，可靠性更高，更節(jié)能省電。因為間距指標(biāo)較大，這些產(chǎn)品上應(yīng)用COB技術(shù)反而可能得不償失。

COB技術(shù)是更擅長于高像素密度的高集成封裝。COB封裝產(chǎn)品定位中高端，目前主要銷售P1.6以內(nèi)的產(chǎn)品，且以P1.2產(chǎn)品銷售為主，從各點間距的比重來看，P1.2以內(nèi)優(yōu)勢更強。點間距越小，COB產(chǎn)品的綜合成本優(yōu)勢就越明顯，采用COB技術(shù)和SMD技術(shù)生產(chǎn)的P1.2產(chǎn)品在成本上相當(dāng)，當(dāng)點間距小于P1.2時，COB技術(shù)的綜合制造成本低于SMD技術(shù)。

COB封裝和MIP封裝有以下幾點區(qū)別：

原理不同：COB封裝的LED顯示屏具有更高的質(zhì)量，因為它們沒有使用支架，而是使用硅膠或?qū)щ娔z將芯片直接粘貼在基板上，然后進行引線鍵合，實現(xiàn)電氣連接。MIP封裝是在LED芯片電極制作完成后，通過互連機架將芯片電極與基板電極互連。

特點不同：COB封裝具有外形美觀、結(jié)構(gòu)簡單、成本低等優(yōu)點。MIP封裝具有實現(xiàn)超薄封裝、生產(chǎn)效率高、散熱性能好等優(yōu)點。COB技術(shù)融合了LED產(chǎn)業(yè)中游封裝和下游顯示技術(shù)，省去了支架成本以及部分制造環(huán)節(jié)，生產(chǎn)效率更高；MIP技術(shù)路線可以更好地實現(xiàn)Micro LED降本提質(zhì)，用MIP技術(shù)生產(chǎn)的P1.2產(chǎn)品在成本上與COB技術(shù)和SMD技術(shù)生產(chǎn)的P1.2產(chǎn)品相當(dāng)，但點間距小于P1.2時，MIP技術(shù)的綜合制造成本低于COB技術(shù)和SMD技術(shù)。

審核編輯：劉清