碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
充電器、電機(jī)和太陽能逆變器,不僅可以從這些新器件中受益匪淺,不僅在效率上,而且在尺寸上,可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是,不僅器件的特性讓人對新設(shè)計(jì)充滿好奇,也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅(SiC)技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值,對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,工程師們越來越多地在尋找新的解決方案,并對技術(shù)提出更多的要求,以滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求。碳化硅半導(dǎo)體是滿足這些需求的優(yōu)選答案,其本身也在不斷改進(jìn),以期提供與舊技術(shù)相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì),2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
精細(xì)化,集成化方向發(fā)展。 在新技術(shù)驅(qū)動下,汽車電子行業(yè)迎來新一輪技術(shù)革命,行業(yè)整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下,車用電路板也會向上成長。車用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點(diǎn)吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來,低碳生活也是隨之而來,隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料,碳化硅的銷售市場也是十分火爆,許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì),2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元,同比增長15.77%。2020年H1,中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元,同比增長16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代,都是產(chǎn)業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域均有不小單的作用。
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。 相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
有限公司(以下簡稱“薩科微”)為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕,致力補(bǔ)齊國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾,都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn),強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
復(fù)雜的設(shè)計(jì),功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件? 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí),碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半導(dǎo)體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。 02 圖騰柱無橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡谡胫芷冢╒AC大于0)的時(shí)候,T2為主開關(guān)管。 當(dāng)T2開通時(shí),電感L儲能,電流
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用,導(dǎo)致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生,如碳化硅場效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
芯片以充分開發(fā) SiC 的高溫性能。此外,還有 EMI 濾波器集成,溫度、電流傳感器集成、微通道散熱集成等均有運(yùn)用到碳化硅封裝設(shè)計(jì)當(dāng)中。3.2 散熱技術(shù)散熱技術(shù)也是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一大重點(diǎn)和難點(diǎn)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
發(fā)展筑牢了根基。張軍軍對半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展充滿信心,對薩科微的未來更是充滿信心。目前薩科微的產(chǎn)品市場主要在碳化硅SiC MOS管、高中低壓的場效應(yīng)管、可控硅、TVS二極管與電源管理芯片、霍爾傳感器這一
2023-02-21 09:24:40
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用,需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動。 接下來介紹基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動產(chǎn)品 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低
2023-02-27 16:03:36
好,硬度大(莫氏硬度為9.5級,僅次于世界上最硬的金剛石(10級))、導(dǎo)熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強(qiáng)等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。二、碳化硅半導(dǎo)體器件由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),日前宣布作為公司強(qiáng)力進(jìn)軍工業(yè)和汽車用功率半導(dǎo)體元件市場戰(zhàn)略的一項(xiàng)舉措,Littelfuse對碳化硅技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的初創(chuàng)公司Monolith
2015-12-22 11:04:2210718 華為為5G鋪路,布局碳化硅半導(dǎo)體,打破國外第三代半導(dǎo)體市場壟斷
2019-08-27 11:19:034989 碳化硅半導(dǎo)體器件供應(yīng)商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日,毅達(dá)資本在官方微信宣布,已完成對致瞻科技的投資。依托核心團(tuán)隊(duì)10余年的碳化硅功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和驅(qū)動系統(tǒng)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)
2020-11-30 10:33:272199 SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32140 Qorvo今天宣布,已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。
2021-11-04 15:00:28714 基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 12月30日,基本半導(dǎo)體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行,首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線,采用先進(jìn)碳化硅專用封裝工藝技術(shù),打造
2021-12-31 10:55:432796 與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:043206 在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆變器設(shè)計(jì)
2022-08-27 15:57:02567 億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透,碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè),均發(fā)表了對行業(yè)發(fā)展的積極展望,并計(jì)劃投資擴(kuò)大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開。 激進(jìn)的擴(kuò)產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導(dǎo)體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對內(nèi)采購及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-08 17:04:031349 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導(dǎo)體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對內(nèi)采購及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-09 09:10:55741 ? ? ? 日本媒體報(bào)道稱日本羅姆(ROHM)12月將開始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅(SiC),羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)了研發(fā)。據(jù)稱,羅姆在福岡縣筑后市工廠的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實(shí)施量產(chǎn)
2022-11-28 16:51:24498 雙方同意對Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證, 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),支持汽車電動化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造
2022-12-08 12:22:48616 半導(dǎo)體屆“小紅人”——碳化硅肖特基,讓你的電源溫度低過冰墩墩
2022-12-30 17:05:47437 碳化硅(SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始,了解一下它的物理特性和特征。
2023-01-09 09:03:392345 希科半導(dǎo)體(蘇州)有限公司宣布碳化硅外延片投產(chǎn)。據(jù)悉,該產(chǎn)品通過了行業(yè)權(quán)威企業(yè)歐陸埃文思材料科技(上海)有限公司和寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的雙重檢測,具備媲美國際大廠碳化硅外延片的品質(zhì),解決了國外產(chǎn)品的卡脖子問題,為我國碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個(gè)新紀(jì)錄。
2023-01-13 10:54:281006 汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅(SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420962 對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,屬于第三代半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度高達(dá)3.0eV,相比第一代半導(dǎo)體材料硅,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導(dǎo)熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637 碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了
2023-02-07 17:35:461631 碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長,這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448 與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。 隨著新行業(yè)和產(chǎn)品采用電子和半導(dǎo)體,設(shè)計(jì)師和制造商正在尋找改進(jìn)和更智能
2023-02-20 15:51:550 晶圓(前端工藝)。碳化硅晶圓再經(jīng)過劃片封裝測試(后段工藝)就變成了我們現(xiàn)在使用的半導(dǎo)體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 )和碳化硅(SiC) ,二者憑借著優(yōu)異的物理性能,逐步搶占傳統(tǒng)的硅器件所統(tǒng)治的市場。 預(yù)計(jì)到2026年,二者將會形成每年200億美元的市場份額。 憑借 領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs 的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以 雙擎驅(qū)動 的姿態(tài)在
2023-02-24 14:21:06577 憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
2023-02-27 09:09:35261 本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理,并重點(diǎn)對碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 意法半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 硅(Si)是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個(gè)例子。鍺(Ge)是另一種純半導(dǎo)體,用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成,包括砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN)、硅鍺 (SiGe) 和碳化硅 (SiC)。我們稍后將回到最后一項(xiàng)。
2023-05-24 11:26:141681 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 三安光電近日宣布,將與國際功率半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:0385 羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724 如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域,碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢中的一個(gè)反例。
2023-08-17 14:27:151085 igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:049049 碳化硅又稱金剛砂,是以石英砂、石油焦、木屑、食鹽等為原料,經(jīng)電阻爐高溫冶煉而成。事實(shí)上,碳化硅在很久以前就被發(fā)現(xiàn)了。其特點(diǎn)是:化學(xué)性能穩(wěn)定,導(dǎo)熱系數(shù)高,熱膨脹系數(shù)小,耐磨性好,硬度高(莫氏硬度等級
2023-09-22 15:11:04306 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969 公司之一, GeneSiC 為政府機(jī)構(gòu)開發(fā)了尖端的碳化硅技術(shù)?, 重點(diǎn)關(guān)注性能和穩(wěn)健性, 并發(fā)布了幾代碳化硅二極管和 MOSFET 技術(shù),額定值高達(dá) 6.5 kV 在各種封裝中以及裸片. 2022年, 納微半導(dǎo)體收購了GeneSiC半導(dǎo)體, 創(chuàng)建了業(yè)界唯一一家專注于SiC和GaN的純下一代功率半導(dǎo)體公司
2023-10-25 16:32:01609 目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計(jì)算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項(xiàng)目投資建設(shè)期需18-24個(gè)月,去年有許多碳化硅項(xiàng)目的投資,要2025年才會釋放產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664 前段時(shí)間,奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron(,最近,奧迪又有1款碳化硅車型公布,同時(shí)Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 16:13:051423 2023年11月,日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53451 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)預(yù)測,未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計(jì),2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603 碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18331 碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體(Si)是兩種常見的半導(dǎo)體材料,它們在電子器件制造中具有廣泛的應(yīng)用。然而,碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn): 更高的熱導(dǎo)率:碳化硅的熱導(dǎo)率是傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體
2024-01-10 14:26:52231 第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越,應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314
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