某些場(chǎng)合的通信不能依賴于任何預(yù)先架設(shè)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)施，而是需要一種能夠臨時(shí)快速自動(dòng)組織網(wǎng)絡(luò)的移動(dòng)通信技術(shù)。因此、傳感器網(wǎng)絡(luò)將逐漸引領(lǐng)人類步入“網(wǎng)絡(luò)即傳感器”的傳感時(shí)代。

低噪聲放大器LNA （ low noise amp lifier）是射頻接收前端的主要組成部分。由于位于接收前端的第一級(jí)，直接與天線相連，所以它的噪聲特性將對(duì)整個(gè)系統(tǒng)起著決定性作用。同時(shí)，天線接收的信號(hào)一般很弱，所以低噪聲放大器本身必需提供足夠的增益放大信號(hào)，并把有用的信號(hào)完整地傳輸?shù)较乱患?jí)。

本文設(shè)計(jì)的低噪聲放大器，工作在2. 4 GHz頻段上，采用SM IC 0. 13μm RF CMOS工藝設(shè)計(jì)。對(duì)于射頻系統(tǒng)，尤其是應(yīng)用于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)中的模塊，功耗是必須首先考慮的問題。在此基礎(chǔ)上放大器需提供足夠的增益以及低噪聲系數(shù)，并且滿足一定的帶寬、線性度以及穩(wěn)定度。但是最小噪聲系數(shù)與最大增益是不可能同時(shí)得到的。因此，如何在限定功耗的前提下盡可能實(shí)現(xiàn)輸入輸出功率匹配以及提高低噪聲放大器的噪聲性能成為設(shè)計(jì)中的最大挑戰(zhàn)。

1　低噪聲放大器設(shè)計(jì)

1. 1　電路結(jié)構(gòu)

本文采用的低噪聲放大器電路結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1　低噪聲放大器原理圖

該低噪聲放大器主體電路采用共源共柵的差分結(jié)構(gòu)，由于共柵級(jí)電路的輸入阻抗很小，抑制了共源級(jí)的電壓增益，從而遏制了密勒效應(yīng)，提高了反向隔離度，同時(shí)使輸入阻抗受共源管M1、M2 柵漏間電容以及后級(jí)電路影響變小，使放大器穩(wěn)定性增強(qiáng)。

在該結(jié)構(gòu)中，片內(nèi)電阻R1、R2 分壓產(chǎn)生偏置電壓Vbias ，通過Rg1、Rg2加在共源管M1、M2 柵極， 為其提供直流偏置。為了保證較低的噪聲系數(shù)， Rg1、Rg2應(yīng)選取阻值較大的電阻， 以隔離偏置電路中電阻R1、R2 帶來的噪聲。晶體管M3、M4 為共柵MOS管。

片內(nèi)源極電感Ls1、Ls2以及M1、M2 柵源間附加電容Cex1、Cex2配合柵極片外電感Lg1、Lg2 ， 實(shí)現(xiàn)低噪聲放大器的輸入匹配。電感Ld1、Ld2分別和電容Cd1、Cd2并聯(lián)，再分別與Cd3、Cd4串聯(lián)， 實(shí)現(xiàn)低噪聲放大器的輸出匹配。

分析圖1所示差分共源共柵放大器的半電路工作狀態(tài)，對(duì)于工作于飽和區(qū)的MOS管有：

為保證低噪聲放大器滿足較小的噪聲系數(shù)，放大電路中的MOS管的柵長應(yīng)盡量選擇最小值，本工藝最小柵長為0. 13μm，所以，共源管M1 和共柵管M3 的柵長L1、L3 皆設(shè)為0. 13μm。在此情況下，改變共源管和共柵管的柵寬W1、W3 ，可以調(diào)整M1、M3的跨導(dǎo)gm1、gm3。根據(jù)共源共柵電路性質(zhì)可知，改變共源管和共柵管的跨導(dǎo)可以改變放大器的增益。本次設(shè)計(jì)采用1. 2 V電源電壓供電，為了保證一定的線性度，以及確保M1 柵源電壓Vgs1大于閾值電壓Vth （本工藝的Vth約為430 mV） ，選擇直流偏置電壓Vgs1為600 mV。對(duì)于工作于飽和區(qū)的MOS管，其漏極電流Id 表示為：

本次設(shè)計(jì)要求功耗限制為8 mW， 在偏置電壓Vgs1以及各工藝參數(shù)都已確定的情況下， 共源管M1和共柵管M3 的柵寬W1、W3 決定了該放大器的工作電流Id ，即決定了放大器的功耗。設(shè)計(jì)時(shí)，在保證增益的前提下， 調(diào)整W1、W3 ， 仿真得到半電路工作電流約為3 mA，即總電流約為6 mA，滿足指標(biāo)要求。

該低噪聲放大器增益控制電路采用信號(hào)加成模式，增益控制MOS管Mc1、Mc2由VC1控制，Mc3、Mc4由VC2控制。在半電路中，通過改變Vc1可以改變Mc1的通斷，在Id1不變的情況下，則可以改變流過M3 電流Id3。而工作在飽和區(qū)的M3 管的跨導(dǎo)gm3可以表示為：

所以改變Id3可以改變gm3 ， 進(jìn)而實(shí)現(xiàn)放大器增益的改變。

1. 2　輸入匹配

圖1所示低噪聲放大器輸入端半電路及其小信號(hào)等效電路如圖2所示。

圖2　輸入端電路結(jié)構(gòu)及小信號(hào)模型

首先考慮輸入端未接入M1、M2 柵源間附加電容Cex1、Cex2時(shí)的情況。通過輸入端電路小信號(hào)模型分析得放大器輸入阻抗為：

為了得到最小的噪聲系數(shù)， 源阻抗最佳值（最佳噪聲源阻抗） Zop t應(yīng)滿足：

其中，α為共源管跨導(dǎo)與其源漏電導(dǎo)的比值。δ為一常數(shù)，γ為一系數(shù)， 在長溝道器件中，δ的值約為1. 33，γ的值約為0. 67， 在短溝道器件中， 這兩個(gè)值都會(huì)因?yàn)槎虦系佬?yīng)而變大。定義c為柵噪聲與漏噪聲相關(guān)系數(shù)， 其值一般為0. 395 j， 為一純虛數(shù)，反映了柵和溝道間噪聲引起的的容性耦合程度。

源級(jí)電感Ls 和柵極電感Lg 不會(huì)導(dǎo)致最佳噪聲源阻抗的實(shí)部發(fā)生變化，而僅對(duì)電抗部分產(chǎn)生影響。

要實(shí)現(xiàn)功率和噪聲同時(shí)匹配，必須使輸入阻抗Zin和最佳噪聲源阻抗Zop t共軛匹配， 令Zin = 50 Ω，則有：

即：

式（6）中有4個(gè)方程， 4個(gè)未知數(shù)，只有一組解，即功率匹配和噪聲匹配同時(shí)滿足時(shí)， 功耗（ Id ）是確定的，不可以優(yōu)化。而在限定功耗的情況下，功率匹配和噪聲匹配則不可能同時(shí)滿足。

于是在電路設(shè)計(jì)中就需要在噪聲匹配和功率匹配中進(jìn)行折中。下面引入M1 管柵源間附加電容Cex ，這樣，輸入阻抗變?yōu)椋?/p>

最佳噪聲阻抗Z ′ op t表示為：

這樣， 為了使功率和噪聲同時(shí)匹配， 令Zin =Z ′ op t*= 50Ω，得到：

式（ 9）中有4個(gè)方程， 5個(gè)未知數(shù)，則可以限定任何一個(gè)參數(shù)，再優(yōu)化其它參數(shù)。所以，在功耗（ Id ）限定的情況下， 仍然可以進(jìn)行功率噪聲匹配。引入Cex后，通過調(diào)整Cex ，首先可以使最佳噪聲源阻抗Z ′op t實(shí)部為50Ω。

再選擇Ls ，使電路滿足Re ［ Z′in ］ = Re ［ Z ′op t ］ =50Ω。根據(jù)式（8） 、式（9）可以推出：

式（10）指出，選取的Ls 的電感值在引入Cex后亦可以比沒有連接Cex時(shí)有所降低。Ls 為源極負(fù)反饋電感，由于電感中的寄生電阻影響以及該電感本身的負(fù)反饋性質(zhì)，低感值的電感可以做到更好的噪聲系數(shù)。

最后，調(diào)整片外電感Lg ，使諧振頻率為ω0 （設(shè)計(jì)要求ω0 為2. 43 GHz） ，ω0 表示為：

由于Cadence工具的局限性，仿真S參數(shù)時(shí)無法顯示Sop t曲線，噪聲匹配很難做到最優(yōu)。在實(shí)際設(shè)計(jì)過程中，當(dāng)共源管M1、M2 寬長比以及其偏置電路都已經(jīng)確定時(shí)，可以通過掃描Cex參數(shù)，比較最小噪聲系數(shù)NFmin ，選取其最佳值。當(dāng)最小噪聲系數(shù)NFmin確定后，再通過進(jìn)一步調(diào)整Cex ，盡量滿足功率匹配。在此過程中，必須同時(shí)關(guān)注噪聲系數(shù)NF和最小噪聲系數(shù)NFmin的變化，最后通過比較，選擇折中的優(yōu)化結(jié)果，確定恰當(dāng)?shù)腃ex和 Ls、Lg 值。

1. 3　輸出匹配

電路輸出端通過漏極電感并聯(lián)、串聯(lián)電容的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。漏極電感的選取對(duì)低噪聲放大器的性能有較大影響。電感值的大小直接影響放大器的增益。較大感值的電感可以增加LC并聯(lián)諧振電路的等效阻抗，從而帶來更高的電壓增益。但是大電感的自諧振頻率較低，而射頻電路要求的工作頻率卻很高。同時(shí)， 大電感也會(huì)占用更大的芯片面積，引入較大的噪聲。而且，當(dāng)電感值過大使放大器輸出阻抗實(shí)部超過50Ω時(shí)，必需通過在輸出端并聯(lián)電感或增加源極跟隨器等緩沖電路的方法才能將輸出阻抗匹配到50Ω。如果直接并聯(lián)電感，則會(huì)使輸出端直流短路，要解決這個(gè)問題，則必須串聯(lián)一個(gè)大電容后再將此電感并入電路，對(duì)于整體設(shè)計(jì)來說，引入了更多的無源元件，一方面大大影響了電路性能，另一方面也占用了更多面積。而增加一級(jí)緩沖電路，則會(huì)增加放大器的額外功耗。對(duì)于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)中的模塊，這兩種方法都不可行。因此，具體設(shè)計(jì)時(shí)，需選取恰當(dāng)?shù)碾姼校饶鼙ＷC應(yīng)有的增益，又可以使輸出阻抗實(shí)部在 50Ω附近。

由于該電路結(jié)構(gòu)具有較高的隔離度，輸出端阻抗的調(diào)整對(duì)輸入端影響不大，可以在輸出端單獨(dú)進(jìn)行匹配。具體設(shè)計(jì)過程中，可以首先在輸出端只連接漏極電感Ld ，通過仿真其S22參數(shù)，仿真其對(duì)應(yīng)頻率2. 43GHz下的輸出阻抗。然后對(duì)照Smith圓圖，先并聯(lián)電容將輸出阻抗實(shí)部調(diào)整到50Ω，再通過串聯(lián)電容，將輸出阻抗虛部調(diào)整到0。這樣，最后可以將輸出阻抗匹配到50Ω，實(shí)現(xiàn)輸出端功率匹配。

2　低噪聲放大器的版圖及后仿真結(jié)果

本次設(shè)計(jì)的低噪聲放大器版圖如圖3所示，芯片面積約為： 735μm ×780μm。因?yàn)殡娐窞閷?duì)稱結(jié)構(gòu)，所以在版圖的繪制上也需注意對(duì)稱性，這樣有利于提高電路性能。芯片左側(cè)為SGS焊盤，用來接入差分輸入信號(hào)。芯片右側(cè)為SGS焊盤，用來接差分輸出信號(hào)。芯片上下端各為三針直流焊盤，用來提供增益控制信號(hào)Vc1、Vc2 ，對(duì)稱的電源Vdd以及對(duì)稱的地Gnd。在焊盤組間空隙處，增加了電源Vdd到地Gnd的濾波電容組濾除電源Vdd上的紋波，旁路外界干擾，這種結(jié)構(gòu)可以在最大利用版圖面積的同時(shí)進(jìn)一步提高了電路性能。

圖3　低噪聲放大器版圖

在Cadence Spectre仿真環(huán)境下對(duì)電路的S 參數(shù)，噪聲系數(shù)NF以及穩(wěn)定性系數(shù)KF進(jìn)行了后仿真，后仿真在TT工藝角，溫度為27 ℃情況下進(jìn)行。

電路在1. 2 V電源電壓下工作電流約為6. 0 mA。

S11后仿真結(jié)果如圖4 所示，高增益時(shí)S11約為- 29. 8 dB，中增益時(shí)S11約為- 17. 7 dB，低增益時(shí)S11約為- 16. 3 dB。三種情況下S11均滿足小于- 10 dB，輸入匹配良好。

圖4　S11仿真結(jié)果

S21后仿真結(jié)果如圖5 所示，高增益時(shí)S21約為21. 2 dB，中增益時(shí)S21約為11.0 dB，低增益時(shí)S11約為2. 8 dB。基本滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)中的高增益20 dB，中增益10 dB，低增益0 dB要求。

圖5　S21仿真結(jié)果

S22后仿真結(jié)果如圖6 所示，高增益時(shí)S22約為- 20. 7 dB，中增益時(shí)S22約為- 10 dB，低增益時(shí)S22約為- 10 dB。三種情況下S22均滿足小于- 10 dB，輸出匹配良好。

圖6　S22仿真結(jié)果

噪聲系數(shù)如圖7所示。在2. 43 GHz上，后仿真噪聲系數(shù)NF約為0. 49 dB，與最小噪聲系數(shù)NFmin后仿真結(jié)果0. 46 dB比較接近，噪聲匹配良好。

圖7　噪聲系數(shù)NF仿真結(jié)果

輸入1 dB壓縮點(diǎn)如圖8所示，在高增益下約為- 20. 2 dBm，根據(jù)1 dB壓縮點(diǎn)與IIP3的關(guān)系，可以推出，該放大器IIP3約為- 10. 6 dBm。

圖8　低噪聲放大器輸出1 dB壓縮點(diǎn)仿真結(jié)果

其它后仿真結(jié)果：反向隔離度S12在三種增益狀態(tài)下均小于- 45 dB;穩(wěn)定度KF約為6. 2，其值遠(yuǎn)大于1，放大器絕對(duì)穩(wěn)定。

3　總結(jié)

本次設(shè)計(jì)的低噪聲放大器芯片在限定功耗的基礎(chǔ)上，保證了較高的增益，同時(shí)進(jìn)行了輸入匹配的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了給定功耗條件下的功率和噪聲同時(shí)匹配。

該低噪聲放大器在最高增益為21 dB時(shí)噪聲系數(shù)約為0. 5 dB，并且通過放大器S11、S22參數(shù)反應(yīng)出其輸入輸出阻抗功率匹配性能良好。放大器增益控制電路滿足設(shè)計(jì)要求。綜上所述，該低噪聲放大器性能優(yōu)良，實(shí)現(xiàn)后有望應(yīng)用于無線傳感網(wǎng)射頻收發(fā)芯片中。
來源；電子工程網(wǎng)