其實(shí)電路的每個(gè)node都有一個(gè)極點(diǎn)，但是他到底長(zhǎng)啥樣？只要輸入和輸出之間有兩條通路就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)零點(diǎn)，零點(diǎn)并不能單單的說是由于前饋，反饋，或者串聯(lián)并聯(lián)一個(gè)電容產(chǎn)生的。產(chǎn)生的原因還是和具體的電路結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的。

還是一個(gè)簡(jiǎn)單的單極點(diǎn)電路。和之前唯一不同的地方，在于gate和drain之間被加上了一個(gè)Cc。因?yàn)檫@個(gè)Cc的存在，這個(gè)電路中出現(xiàn)了一個(gè)比較明顯的零點(diǎn)。當(dāng)然，一般的mosfet的Cgd都是不太大的，除非用在諸如兩級(jí)運(yùn)放之間的miller capacitor那種Cc，這個(gè)零點(diǎn)才是我們需要考慮的。

作者君不情愿的畫了小信號(hào)模型，那個(gè)，然后的推導(dǎo)，親們自己去推哈~~作者君小憩一會(huì)會(huì)……

那個(gè)，怎么樣？推出來了嗎？

好吧，作者君就直接公布自己的答案（Ro是上圖中兩個(gè)電阻的并聯(lián)之和）：

分母有個(gè)很明顯的極點(diǎn)，分子有個(gè)明顯的零點(diǎn)。極點(diǎn)咱們就先不管了，來看看這個(gè)零點(diǎn)：

很顯然，自然界沒有負(fù)數(shù)的頻率。因此，我們還是來關(guān)心 好了。

Cc就相當(dāng)于前一篇文章中提到的跨在input和output之間的電容，而gm從分子挪到分母去，則是之前的output接地電阻變成了1/gm。

話說，為什么這個(gè)零點(diǎn)只跟這個(gè)nmos的gm有關(guān)系呢？

原因還是在于零點(diǎn)的特性：當(dāng)頻率大于零點(diǎn)之后，這個(gè)零點(diǎn)才能逐漸被忽略掉。

設(shè)想一下，如果現(xiàn)在有個(gè)很高頻的input signal，那么這個(gè)電路中唯一的nmos就變成了gate和drain短接在一起的一個(gè)diode了。一個(gè)diode的等效電阻是1/gm，所以這個(gè)零點(diǎn)也就跟gm有關(guān)了。

很多書上說，零點(diǎn)的存在，其實(shí)是提供了一條所謂的“feed-forward”前饋通路。道理同上，也就是走了“捷徑”。捷徑的存在，導(dǎo)致本來應(yīng)該被mos放大的signal直接跑到了output那端，自然也就嚴(yán)重的影響了mos的放大性能。