2022 年?5 月?18日，中國?– 意法半導體的?STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關
2022-05-19 10:50:42
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MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:021251 在高功率應用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優勢。其中包括更低的傳導和開關損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
開關電源控制器，專為具有電流模式控制的小型電源設備設計，PN8366集成超低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，驪微電子用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源，最大限度
2020-04-09 14:21:30
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開啟電壓同時提高跨導，也可以提高開關速度，降低開關損耗。但過低的閾值電壓會使MOSFET容易受到干擾誤導通，而跨導和工藝有關。
2017-03-06 15:19:01
過程中的開關損耗。開關損耗內容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關斷過程和和關斷損耗。功率MOSFET及驅動的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
，ZRL典型值為±1dps，這些功能適合各種應用，特別是在精確運動檢測和提高相機性能方面。該傳感器還支持意法半導體開發的使用浮點數學運算將計步誤差率降低60％的增強版計步器算法，并集成一個能夠識別公共汽車
2018-11-05 14:07:51
主CPU關閉時，可在低功耗時高能效地采集并存儲數據。 STM32L4+的片上大容量存儲器包括640KB的SRAM，可以輔助高速運算性能，最大限度提升圖形處理性能。此外，該系列產品還有高達2MB的雙區
2017-11-21 15:21:22
功率放大器以及商用和工業系統的功率放大器。意法半導體與遠創達的合作協議將擴大意法半導體LDMOS產品的應用范圍。協議內容保密，不對外披露。 相關新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
新產品的集成功率級都采用意法半導體RDS（ON）僅為500mΩ的專有MOSFET，高能效和經濟性兼備。STSPIN840的電橋輸出可以單獨使用或并聯，這有助于降低多電機驅動應用的物料清單成本。高功能集度
2018-08-29 13:16:07
? 意法半導體嵌入式軟件包集成Sigfox網絡軟件，適用于各種產品，按照物聯網應用開發人員的需求專門設計 ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
▌峰會簡介第五屆意法半導體工業峰會即將啟程，現我們敬邀您蒞臨現場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導體核心技術，推動加快可持續發展計劃，實現突破性創新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
的硬件和(免費)注冊中國，2018年2月9日 —— 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）今天宣布，包括學生
2018-02-09 14:08:48
和精確度。 該主板具充足的運算能力，能夠處理復雜的數據集，例如，意法半導體先進6軸慣性模塊輸出的OIS / EIS（光學或電子防抖）數據， 以及簡單的傳感器讀數，例如，氣壓表、加速計或陀螺儀數據。 該主板
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
、ETSI 和 ARIB 規范。新IC電路元件是采用意法半導體的集成無源器件(IPD)技術制造在玻璃襯底上，這樣設計可以最大限度地減少信號插入損耗，性能優于采用分立元件構建的電路。在同一芯片上集成所有
2023-02-13 17:58:36
中國，2018年4月10日 ——意法半導體的STLQ020低壓差（LDO）穩壓器可以緩解在靜態電流、輸出功率、動態響應和封裝尺寸之間權衡取舍的難題，為設計人員帶來更大的自由設計空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進的車載導航
2018-07-17 16:46:16
中國，2018年10月10日——意法半導體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調試探針，進一步改進代碼燒寫及調試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲
2018-10-11 13:53:03
`中國，2018年6月22日——意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓
2018-06-25 11:01:49
。在負載較低時，為最大限度地提高能效，STCH03進入準諧振模式（ZVS），通過檢測變壓器退磁來控制零電壓開關操作。檢測電路還提供電壓前饋控制功能，以確保恒流調整的精確度。STCH03將運行電流維持在
2018-07-13 11:35:31
解決方案，點燃“物聯網設備人機界面”革命中國，2018年7月12日——橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼
2018-07-13 15:52:39
STM32* 微控制器上開發先進的高能效電機驅動器的難度。此舉為空調、家電、無人機、樓宇自動化、機床、醫療設備、電動車等產品設備工程師研發先進電機驅動帶來更多機會，而且無需專門的研發經驗?；?b class="flag-6" style="color: red">意法半導體上一代
2018-03-22 14:30:41
和RAM）。例如，對于內存來說太大的單個層可以分為兩個步驟。之前的MLPerf Tiny結果顯示，與標準CMSIS-NN分數相比，意法半導體的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的優化版本）具有性能優勢。STM32CubeAI開發云還將支持意法半導體即將推出的微控制器，包括內部開發的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
中國，2018年8月1日——意法半導體的FDA803D 和FDA903D汽車級數字輸入音頻放大器功能豐富，有助于簡化系統集成，最大限度提高車載信息服務及緊急呼叫設備和混動/電動汽車聲學提示系統
2018-08-02 15:33:58
`中國，5月28日—— 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供貨商意法半導體（ STMicroelectronics ，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ）發布 了2018 年可持續發展
2018-05-29 10:32:58
意法半導體的TSB712A 精密運算放大器能夠在寬電壓和溫度范圍內保持穩定的參數，為工業控制、汽車系統等眾多應用帶來經濟且高端的信號調理性能。 電源電壓范圍寬達2.7V-36V或±1.35V至
2018-07-25 14:42:31
中國，2018年7月16日——意法半導體STEF01可編程電子熔斷器集成低導通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓范圍內，能夠維持高達4A的連續電流
2018-07-16 16:51:13
www.st.com/evalsp820。原貼地址 https://www.stmcu.com.cn/news/777相關新聞意法半導體高能效單片三相三路電流檢測BLDC驅動器：延長便攜設備和物聯網產品
2018-06-11 15:16:38
共享一個外部鉗位二極管的快速退磁功能。其他診斷功能包括兩個用于指示負載開路和過載／熱關斷的公共開漏引腳，以及用于指示單個通道過載／熱關斷的四個輸入／輸出開漏引腳。作為意法半導體智能功率開關產品大家族
2018-06-04 10:37:44
。無論是在最大亮度還是調光模式，控制器均可確保電壓轉換和電流控制電路擁有很高的能效，最大限度地延長電池的使用壽命。此外，每個通道的電流匹配度非常精確，從而可確保背光亮度保持一致，進一步提高
2011-11-24 14:57:16
利用雙電機無傳感器磁場定向控制（FOC）和有源功率因素校正（PFC），實現空調電機控制提高能效和降低系統成本是促使現代電機控制技術發展的推動力量，這些技術廣泛應用于各種風扇、泵機、壓縮機或減速電機
2018-12-04 09:54:53
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高
2022-11-02 12:02:05
要有深入了解，才能有利于理解和分析相應的問題?！ 「邏?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET原理與性能分析 在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓
2023-02-27 11:52:38
2a）可以減少橋損耗，采用交錯式PFC（圖2b）可以滿足較高功率應用的要求，以提升PFC能效。此外，還可以利用IC技術減少開關損耗，并利用更優化的拓撲結構來減少EMI濾波器損耗。 采用安森美半導體
2011-12-13 10:46:35
隨著現代微控制器和SoC變得越來越復雜，設計者面臨著最大化能源效率，同時實現更高水平的集成。最大限度地提高能量在低功耗SoC市場中，多個功率域的使用被廣泛采用。在
同時，為了解決更高級別的集成，許多
2023-08-02 06:34:14
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)于今日聯合宣布，將在意法半導體的ST Telemaco3P STA1385車載信息
2018-11-05 14:09:44
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
引言 如今，客戶要求產品不但節能，還要體積更小，從而推動功率轉換行業向前發展。交流/直流和直流/直流轉換器拓撲的不斷發展，改善了轉換器效率。功率MOSFET是功率轉換器的核心部件，是設計高能效產品
2018-12-07 10:21:41
的功率型分立器件針對軟開關諧振和硬開關轉換器進行了優化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統效率?；诘壍淖钚庐a品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。
2023-09-07 06:49:47
Degauque表示：“意法半導體高射頻性能的NFC方案最大限度地提高了工程師在新產品設計時的自由空間和靈活度。通過充分利用這一靈活性， NFC在Alcatel 3V智能手機上的集成過程被有效簡化
2018-06-11 15:22:25
智能電表芯片單片集成開發智能電表所需的全部重要功能，能夠滿足多個智能電網市場的需求。這些電表連接消費者和供電公司，提供實時電能計量和用電數據分析功能。意法半導體亞太區功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
ST意法半導體意法半導體擁有48,000名半導體技術的創造者和創新者，掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家半導體垂直整合制造商(IDM)，意法半導體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發
2022-12-12 10:02:34
MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
就可通過降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg)，最大限度地減少傳導損耗和提高開關性能。這樣，MOSFET就能應對開關過程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，甚至可在更高的開關頻率下可靠地工作。
2019-09-04 07:00:00
直接影響轉換器的體積、功率密度和成本。 然而，所使用的半導體開關遠非理想，并且由于開關轉換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關損耗。這些損耗對轉換器工作頻率造成了實際限制。諧振拓撲可以通過插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導體開關有哪些關鍵特性？低阻抗功率半導體開關有哪些應用優勢？
2021-06-26 06:14:32
最大限度地降低了動態損耗，提高了總體能效，特別是在從數百kHz至MHz不等的較高工作頻率下。為了實現高壓開關的零電壓開關（ZVS）工作，這三種拓撲都利用變壓器中的循環電流來進行開關QOSS放電。顯然
2022-04-12 11:07:51
最大限度地降低了動態損耗，提高了總體能效，特別是在從數百kHz至MHz不等的較高工作頻率下。為了實現高壓開關的零電壓開關（ZVS）工作，這三種拓撲都利用變壓器中的循環電流來進行開關QOSS放電。顯然
2022-06-14 10:14:18
物聯網（ IoT ）市場的成長需求。 光寶的新模塊集成了來自橫跨多重電子應用領域、全球領先半導體供貨商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼
2018-07-13 11:59:12
SiC-MOSFET的量產。SiC功率模塊已經采用了這種溝槽結構的MOSFET，使開關損耗在以往SiC功率模塊的基礎上進一步得以降低。右圖是基于技術規格書的規格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
所在各類半導體功率器件中，未來增長強勁的產品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導體市場仍由歐美日企業主導，其中英飛凌以 19%的市占率占據絕對領先地位。全球功率半導體前十名供應商
2022-11-11 11:50:23
頻性能的同時不會影響電池性能。此外，ST21NFCD的高集成度可最大限度地減小電路尺寸，從而節省材料成本?！俺鲩T問問和意法半導體有著長期穩定的合作關系，雙方曾合作開發多款適用于出門問問智能手表的關鍵
2018-07-13 13:06:48
描述 此項 25W 的設計在反激式拓撲中使用 UCC28740 來最大限度降低空載待機功耗，并使用 UCC24636同步整流控制器來最大限度減少功率 MOSFET 體二極管傳導時間。此設計還使用來
2022-09-23 06:11:58
條件下實現高能效，是達到這個市場需求的關鍵要素，同時也是半導體廠商研發新技術的動力?！ ∫驗檫^去幾年技術改良取得較大進步，意法半導體最新的功率MOSFET技術可以成功地替代變頻電機控制器的IGBT開關
2018-11-20 10:52:44
在數字無線通信產品測試中最大限度地降低電源瞬態電壓......
2019-08-19 07:42:24
開關頻率的PFC? SLLIMM* IPM逆變器電源? MDmesh M2超結功率MOSFET? 意法半導體Turbo 2超快高壓整流器? VIPER31輔助電源
2023-09-08 06:59:33
規模地進軍太陽能街燈應用打開了大門。 采用最大峰值功率追蹤技術提升太陽能板能效 對于太陽能街燈而言，提高太陽能電池板的光電轉換能效(目前僅為約30%)非常重要。太陽能電池板的電壓-電流(V-I)特性曲線
2009-03-24 12:03:30
最大限度提高Σ-Δ ADC驅動器的性能
2021-01-06 07:05:10
如何最大限度的去實現LTE潛力？
2021-05-25 06:12:07
可能會使變壓器收縮，因為所需的磁性材料更少。此外，隨著頻率的增加，變壓器鐵芯的磁性材料最終可以改變為更高效或更便宜的材料?！ 榱?b class="flag-6" style="color: red">最大限度地提高高功率 DC/DC 轉換器的開關頻率而不降低轉換器效率
2023-02-20 15:32:06
在本文中，我們將解釋針對不同的應用和工作條件仔細選擇IGBT變體如何提高整體系統效率。IGBT模塊中的損耗大致可分為兩類：傳導開關眾所周知，對于特定電壓下的任何給定過程，降低傳導損耗的努力將導致
2023-02-27 09:54:52
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
在電源設計中，為提高能效，通常采用同步整流，即用MOSFET取代二極管整流器，從而降低整流器兩端壓降和導通損耗，提供更高的電流能力，實現更高的系統能效。然而，傳統的同步整流在用于LLC諧振轉換器
2018-12-03 11:07:15
最新的電源模塊，結合高能效與強固的物理和電氣設計，用于要求嚴苛的工業應用。展出的電動工具演示將向觀眾演示安森美半導體的電源模塊如何幫助實現緊湊、高能效的設計，以支持較長的電池使用壽命。功率模塊是電源轉換
2018-10-30 09:06:50
碩果。堯遠通信科技的客戶充分利用CLOE追蹤器整體方案的優勢，針對不同用途的物聯網追蹤器設計高能效的LTE?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導體信息娛樂事業部總監Antonio Radaelli表示：“CLOE是我們與賽肯通信
2018-02-28 11:41:49
布局電源板以最大限度地降低EMI：第3部分
2019-08-16 06:13:31
布局電源板以最大限度地降低EMI：第1部分
2019-09-05 15:36:07
布局電源板以最大限度地降低EMI：第2部分
2019-09-06 08:49:33
“意法半導體，與智能同在”中國上海，2018年6月26日——橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）將參展
2018-06-28 10:59:23
的功率型分立器件針對軟開關諧振和硬開關轉換器進行了優化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統效率。基于氮化鎵的最新產品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。意法半導體的數字電源解決方案可以使用專用的評估板、參考設計、技術文檔和eDesignSuite軟件配置器和設計工具來實現
2023-09-06 07:44:16
碳化硅（SiC） MOSFET、超級結MOSFET、IGBT和汽車功率模塊（APM）等廣泛的產品陣容乃至完整的系統方案，以專知和經驗支持設計人員優化性能，加快開發周期。本文將主要介紹針對主流功率等級的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
高壓MOSFET原理與性能分析在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓
2020-03-31 17:08:29
大家好，首次發帖。本人為意法半導體工程師，因為下面一個molding工程師要辭職，繼續補充新鮮血液。要求：一.熟悉molding制程，需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
意法半導體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經驗…? 適用于汽車的高生產率
2023-09-08 06:33:00
的特性，還因為器件對IGBT的價格越來越有競爭力，制造商在系統層面引入了長期投資策略，以確保供應。 STPOWER產品組合 毫無疑問，進入SiC供應商榜首的制造商之一是意法半導體。意法半導體在過去幾年
2023-02-24 15:03:59
散熱器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等貼片封裝，從而大幅簡化熱管理。 因此，可以提高開關電源的功率密度，同時降低系統成本。 繼去年發布展示有巨大優勢的全新30V硅技術產品之后
2018-12-06 09:46:29
意法半導體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
新技術就可通過降低RDS（ON）和柵極電荷（Qg），最大限度地減少傳導損耗和提高開關性能。這樣，MOSFET就能應對開關過程中的高速電壓瞬變（dv/dt）和電流瞬變（di/dt），甚至可在更高的開關頻率下
2011-08-17 14:18:59
ADCSTM32H725ZGT6，V 18664341585,ST/意法半導體，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB閃存，564
2023-10-16 15:52:51
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，該器件經專門設計以最大限度地減小傳導損耗和開關節點振鈴，并提升DC-DC轉換器的整體效率
2011-05-18 09:09:07704 意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態電阻
2011-12-27 17:29:101277 
意法半導體新款的MDmesh? MOSFET內置快速恢復二極管
提升高能效轉換器的功率密度
2017-09-21 16:31:255915 這款 7.6mΩ，60V TO-220 NexFET?功率 MOSFET被設計成在功率轉換應用中最大限度地降低功率損耗。
2019-04-25 08:00:00
1 電子發燒友網站提供《最大限度地提高高壓轉換器的功率密度.doc》資料免費下載
2023-12-06 14:39:00308 燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。 意法半導體800V STPOWER MDmesh K6系列，為這種超級結晶體管技術樹立了高性能和易用性兼備的標桿。MDmesh K6 的RDS
2021-10-28 10:41:251491 意法半導體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41:471214 SiC FET 速度極快，邊緣速率為 50 V/ns 或更高，這對于最大限度地減少開關損耗非常有用，但由此產生的 di/dt 可能達到每納秒數安培。這會通過封裝和電路電感產生高電平的電壓過沖和隨后
2022-08-04 09:30:05729 
如何最大限度減少線纜設計中的串擾
2022-11-07 08:07:261 如何最大限度地提高電子設備中能量收集的效率
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