碳化硅功率半導體在新能源汽車的應用機遇
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碳化硅功率模塊及電控的設計、測試與系統評估
,并簽訂戰略合作協議,合作內容包含了基于某些客戶的需求,進行基于羅姆碳化硅芯片的功率半導體模塊,及對應電機控制器的開發。本文即介紹臻驅對碳化硅功率模塊的開發、測試及系統評估。 Introduction 碳化硅功率半導體近年來在能源轉換
2020-11-24 11:51:471754
1200V碳化硅MOSFET系列選型
。尤其在高壓工作環境下,依然體現優異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性,也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
600V碳化硅二極管SIC SBD選型
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料,SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型
碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點,被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?
復雜的設計,功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件? 當傳統硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時,碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54
在開關電源轉換器中充分利用碳化硅器件的性能優勢
技術需求的雙重作用,導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙(WBG)技術器件應運而生,如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
新能源汽車市場火爆,碳化硅電路板事態也瘋狂
,保證各大功率負載的正常運行。同時在汽車驅動模塊中還需要抗震耐磨的PCB,而碳化硅材料的耐磨與抗震等機械性能優良,能保證其長久的使用壽命。根據時報,新能源汽車電源模塊至2020年市場空間有望提升
2020-12-09 14:15:07
碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低,具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅功率器件可靠性之芯片研發及封裝篇
,封裝也是影響產品可靠性的重要因素。基本半導體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標準進行測試。目前碳化硅二級管產品已通過AEC-Q101測試,工業級1200V碳化硅MOSFET也在進行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
碳化硅半導體器件有哪些?
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅SiC技術導入應用的最大痛點
。 功率半導體就是這樣。在首度商業化時,碳化硅的創新性和較新的顛覆性技術必然很昂貴,盡管認識到了與硅基產品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潛在優勢,大多數工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47
碳化硅二極管選型表
`海飛樂技術目前產品范圍包括有:快恢復二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊,各種以及寬禁帶(WBG)半導體器件,涵蓋變頻、逆變、新能源汽車、充電樁、高頻電焊、特種電源等
2019-10-24 14:21:23
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
碳化硅基板——汽車電子發展新動力
上,對介電常數要求嚴格,雖然有低溫共燒陶瓷,仍然無法滿足他們的要求,需要一種性能更好的升級產品,建議可以使用富力天晟的碳化硅基板;因應汽車需求而特別開發的產品(如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等),也在向
2020-12-16 11:31:13
碳化硅基板——三代半導體的領軍者
電子設備的能耗,因此碳化硅器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類電機系統在高壓應用領域,使用碳化硅陶瓷基板的半導體碳化硅功率器件,功耗降低效果明顯,設備的發熱量大幅減少,同時可減少最高
2021-01-12 11:48:45
碳化硅深層的特性
碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22
碳化硅的歷史與應用介紹
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅肖特基二極管技術演進解析
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅肖特基二極管的基本特征分析
。 基本半導體自主研發推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產品,具有極高的工作效率,性能優越達到國際先進水平,可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
碳化硅陶瓷線路板,半導體功率器件的好幫手
,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言,半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比,故在相似的功率等級下,SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
B1D02065K兼容代替SCS302AH IDH02G65C5 650V基本半導體碳化硅肖特基二極管
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管,與傳統的硅基器件相比,具有更優越的性能,零開關損耗,提高效率,降低解決方案成本,功率密度增加,實現更高的開關頻率,減少對散熱器
2021-11-09 16:36:57
TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品,基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究
項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
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為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應用呢?
應用范圍也越來越廣。據報道,美國特斯拉公司的馬達驅動逆變器使用的是碳化硅半導體。另外,很多讀者都已經在電器市場上看到了使用了氮化鎵半導體的微型 AC轉換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導體,其內部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22
從硅過渡到碳化硅,MOSFET的結構及性能優劣勢對比
近年來,因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動,碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度,更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實現變換器的高效高功率
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傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
你知道為飛機電源管理提供解決方案的碳化硅嗎?
,在這些環境中,傳統的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統和應用的性能,包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天,SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來,預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
創能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G
大功率適配器為了減小對電網的干擾,都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導體材料幾乎都是同時出現,強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
的功率半導體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。 02 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期(VAC大于0)的時候,T2為主開關管。 當T2開通時,電感L儲能,電流
2023-02-28 16:48:24
基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力,基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
應用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊
是基本半導體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發的產品。 該產品采用標準ED3封裝,采用雙面有壓型銀燒結連接工藝、高密度銅線鍵合技術、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
歸納碳化硅功率器件封裝的關鍵技術
,導通電阻更低;碳化硅具有高電子飽和速度的特性,使器件可工作在更高的開關頻率;同時,碳化硅材料更高的熱導率也有助于提升系統的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關速度快、損耗低等特性,使電力
2023-02-22 16:06:08
氮化硅陶瓷基板助力新能源汽車市場
既有新挑戰,也迎來了難得的發展機遇,要搶抓機遇,推動新能源汽車產業發展再上新臺階。(圖片來源:中汽協)新能源汽車包含大量高壓、大功率器件,如IGBT、MOSFET等對散熱都有較高要求,使得PCB的布置
2021-01-21 11:45:54
淺析碳化硅器件在車載充電機OBC上的應用
)功率器件產業化的倡導者之一,國內首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商,在國內碳化硅功率器件制造商中率先完成了質量管理體系---汽車行業生產件與相關服務件的組織實施ISO9007的要求
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概要:本文將討論諧振LLC和移相(Phase Shift)兩種隔離DC/DC拓撲的性能特點以及在新能源汽車電源中的應用,然后針對寬禁帶碳化硅MOSFET對兩種隔離DC/DC拓撲的應用進行了比較,并
2016-08-25 14:39:53
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器件損耗,提升系統效率,更適合應用于高頻電路。在新能源汽車電機控制器、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。 1、半橋兩并聯功率單元 該產品是青銅劍科技為基本半導體
2023-02-27 16:03:36
電動汽車的全新碳化硅功率模塊
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
被稱為第三代半導體材料的碳化硅有著哪些特點
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件,其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。原作者:大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
請教碳化硅刻蝕工藝
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
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因為新能源專場,在功率半導體的市場硅在一定時代還是占主導,基于各種優勢是很大的增長點,我們預測在未來的五年左右,碳化硅年復合增長率會達到10%。右面的圖整體碳化硅通用和應用市場,主要以二極管甚至包括碳化硅模塊,未來會多元化逐漸的占主導。
2020-09-06 10:51:553632
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領域,其對新能源、光伏、通信等產業的自主創新發展和轉型升級也起到了關鍵性作用。而其中,碳化硅是目前發展較為成熟的半導體材料,其工藝也逐漸精深并得到了廣泛的應用。 近幾年在新能源汽車對碳化硅器件的大量使用趨勢下
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高端數字化智能工廠。 該基地將于2022年3月進行小批量試生產,年中實現量產交付,2022年產能為25萬只模塊,2025年之前將提升至150萬只。 ? 本文圖源?基本半導體 這是基本半導體針對即將迎來爆發期的新能源汽車碳化硅市場,提前布局、搶
2021-12-31 10:55:432797
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2023-07-03 11:13:13326
新能源汽車碳化硅MOSFET出貨量突破1200萬只
聚焦強鏈補鏈,國基南方、55所持續推進新能源汽車用碳化硅MOSFET關鍵核心技術攻關和產業化應用,貫通碳化硅襯底、外延、芯片等全產業鏈量產平臺,率先在新能源汽車、光伏、智能電網等領域規模化應用,累計保障超過160萬輛新能源汽車應用需求。
2023-07-12 11:20:58316
羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業務達139億
羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業務達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發展,一直在積極布局碳化硅業務。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724
什么是第三代半導體技術 碳化硅的產業結構分析
第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料,用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的產業結構。
2023-08-11 10:17:54915
碳化硅的性能和應用場景
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042
碳化硅功率器件的基本原理及優勢
? 隨著新能源汽車的快速發展,碳化硅功率器件在新能源汽車領域中的應用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關速度和更小的尺寸等優點,因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880
碳化硅為什么如此火爆呢
隨著新能源汽車市場的爆發,電動汽車已經成為碳化硅最大的下游應用市場,行業普遍預估,2027年車用碳化硅功率器件市場規模能達到60億美元。
2023-09-11 11:52:50186
第三代寬禁帶半導體碳化硅功率器件的應用
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中,碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342
碳化硅功率器件的結構和工作原理
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件,具有高溫、高頻、高效等優點,被廣泛應用于電力電子、新能源等領域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎知識。
2023-09-28 18:19:571220
汽車缺“芯”,這是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵
目前汽車業仍結構性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設期需18-24個月,去年有許多碳化硅項目的投資,要2025年才會釋放產能,預計2025年碳化硅功率半導體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664
基本半導體:功率半導體的碳化硅時代
目前,全球碳化硅產業處于快速發展階段。據市場研究機構預測,未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態勢。根據公開信息統計,2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元,該數據包括多家上市公司,如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603
碳化硅功率器件的優勢應及發展趨勢
隨著科技的不斷進步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導體材料,在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發展潛力,將在多個領域展現出顯著的優勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優勢
2024-01-06 14:15:03353
碳化硅功率器件簡介、優勢和應用
碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379
碳化硅逆變器是什么 功能介紹
等。這些特性使得碳化硅逆變器在電力電子領域具有廣泛的應用前景,特別是在新能源、電動汽車、軌道交通等領域。碳化硅逆變器的工作原理是利用碳化硅半導體材料的高載流子遷移率和低導通電阻特性,實現對電能的高效轉換。具體
2024-01-10 13:55:54272
一文了解SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優勢
,高耐壓,高可靠性。可以實現節能降耗,小體積,低重量,高功率密度等特性,在新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網等領域具有明顯優勢。 一. 碳化硅MOSFET常見封裝TO247 碳化硅MOSFET是一種基于碳化硅半導體材料的場效應晶體管。它的工
2024-02-21 18:24:15412
芯動半導體與意法半導體簽署碳化硅戰略合作協議
近日,國內領先的半導體企業芯動半導體與國際知名半導體供應商意法半導體成功簽署碳化硅(SiC)芯片戰略合作協議。這一協議的達成,標志著雙方在SiC功率模塊領域的合作邁出了堅實的一步,將共同推動SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應用。
2024-03-15 09:44:43100
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