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28V預(yù)匹配氮化鎵功放管
48V預(yù)匹配氮化鎵功放管
參考應(yīng)用電路
其中部分測試數(shù)據(jù)如下：
D1A32? ?1.3-1.8GHZ? 數(shù)據(jù)鏈
D1A35? ?2.0-4.0GHZ 寬帶功放? 、?雷達(dá)
D1A25??2.7-3.5 GHZ? ?雷達(dá)
編輯：黃飛
?
預(yù)匹配氮化鎵功放管參考應(yīng)用電路
- 雷達(dá)(115428)
- 氮化鎵(114708)
- GaN(67132)
- 功放管(17453)
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的功放管問題吧。 在Hifi領(lǐng)域中，有人不惜使用超百萬購買一套高端的Hifi設(shè)備來聽音樂，這種高端Hifi設(shè)備還原出高保真無損音樂，這種設(shè)備生產(chǎn)技術(shù)要求極高，電路、電壓能優(yōu)化到僅使用低至1對功放管就能
2015-12-15 10:45:21
功放音量小，功放管發(fā)燙
,整流二極管和兩個(gè)濾波電容都正常，接上音響有一個(gè)功放管和一個(gè)三極管發(fā)燙的特別歷害，把公共地與后面的電路斷開電壓還是1V，50V請高手指點(diǎn)具體是什么問題？
2011-03-19 12:24:10
氮化鎵: 歷史與未來
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質(zhì)的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類第一次制備出能夠發(fā)出藍(lán)
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵GaN 來到我們身邊竟如此的快
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵一瓦已經(jīng)不足一元，并且順豐包郵？聯(lián)想發(fā)動氮化鎵價(jià)格戰(zhàn)伊始。
氮化鎵充電器從最開始量產(chǎn)至今，已過去了四年多，售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民，近日發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵快充直接將價(jià)格拉低至 59.9 元，一瓦已經(jīng)不足一元
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵充電器
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率？
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵發(fā)展評估
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢，針對 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運(yùn)行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵場效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤，不看肯定后悔
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通的方法
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通，這個(gè)系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對能力
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎？
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
CGH40010F氮化鎵（GaN）高 電子遷移率晶體管
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV40030氮化鎵高電子遷移率晶體管
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-25 09:37:45
CGHV40030氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CHZ9012-QFA功率放大器
產(chǎn)品采用符合RoHS的SMD封裝提供。功能 內(nèi)部匹配的GAN功率晶體管射頻帶寬（GHz）最小值-最大值 2.7-3.4功率（W） 65歲PAE（％） 55封裝 QFN塑料包裝CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
CMPA801B025F氮化鎵（GaN）高電子遷移率 基于晶體管
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
ETA80G25氮化鎵合封芯片支持90-264V輸入，支持27W功率輸出
，只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的，高性價(jià)比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關(guān)管，控制器以及驅(qū)動器
2021-11-28 11:16:55
IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會在深圳召開
應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了關(guān)于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅(qū)動器IC的精彩報(bào)告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)
2018-11-05 09:51:35
Infineon的LDMOS功放管簡介
。這三個(gè)不同功率等級的功放管封裝結(jié)構(gòu)完全一樣，電路簡單可相互兼容。該類功放管超寬的工作帶寬及同封裝不同功率等級的特點(diǎn)為功放設(shè)計(jì)者提供了很大便利。
2019-07-08 08:10:02
MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場和應(yīng)用
MACOM的貨源外，該協(xié)議還授權(quán)意法半導(dǎo)體在手機(jī)、無線基站和相關(guān)商用電信基礎(chǔ)設(shè)施以外的射頻市場上制造、銷售硅上氮化鎵產(chǎn)品。通過該協(xié)議，MACOM期望獲得更高的晶片產(chǎn)能和優(yōu)化的成本結(jié)構(gòu)，取代現(xiàn)有的LDMOS
2018-02-12 15:11:38
MACOM：硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
Micsig光隔離探頭實(shí)測案例——氮化鎵GaN半橋上管測試
測試背景地點(diǎn)：國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時(shí)會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化鎵晶體管
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報(bào)價(jià)QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
QPD1018氮化鎵晶體管
`QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
SGN2729-250H-R氮化鎵晶體管
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
SGN2729-600H-R氮化鎵晶體管
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報(bào)價(jià)TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
【轉(zhuǎn)帖】電子管功放和普通功放有什么區(qū)別
消耗在電路內(nèi)部，這部分電能使管子和元件等溫度升高，嚴(yán)重時(shí)會燒壞晶體管。要重視功放管的散熱問題，為了保證功率管的安全工作，一般給大功率管加裝散熱片。如何提高效率、減小功耗是功率放大器的一個(gè)重要問題。3
2018-05-10 17:07:51
為什么氮化鎵(GaN)很重要？
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
為什么氮化鎵比硅更好？
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢？
應(yīng)用范圍也越來越廣。據(jù)報(bào)道，美國特斯拉公司的馬達(dá)驅(qū)動逆變器使用的是碳化硅半導(dǎo)體。另外，很多讀者都已經(jīng)在電器市場上看到了使用了氮化鎵半導(dǎo)體的微型 AC轉(zhuǎn)換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導(dǎo)體，其內(nèi)部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22
什么是氮化鎵功率芯片？
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">電路構(gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化鎵功率芯片？
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化鎵技術(shù)
實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，同時(shí)通過在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化鎵（GaN）？
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化鎵（GaN）？
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時(shí)提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268
明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價(jià)格優(yōu)勢，實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
光隔離探頭應(yīng)用場景之—— 助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問題
，F(xiàn)AE很直觀就發(fā)現(xiàn)了電路問題所在。該客戶對電源電路進(jìn)行了調(diào)整，最終解決了所有的問題。這個(gè)案例對氮化鎵原廠FAE來說不算典型，幾乎是每天都要面對的情形，因?yàn)橄掠慰蛻魷y試設(shè)備所限，很難真正發(fā)現(xiàn)氮化鎵電路
2023-02-01 14:52:03
國產(chǎn) C 波段內(nèi)匹配功率管 4.4~5GHz
XYN044050-P53是一款氮化鎵內(nèi)匹配功率管，采用先進(jìn)的平面內(nèi)匹配合成技術(shù)和成熟的薄膜混合集成工藝，產(chǎn)品的典型工作頻帶為4.4~5GHz，具有高功率、高效率及溫度等環(huán)境適應(yīng)性等特點(diǎn)，能夠廣泛應(yīng)用于各種射頻/微波系統(tǒng)中。徐：***
2020-01-09 15:33:18
如何在Datasheet上查找功放管的電流
如題，我要做一個(gè)最高輸出為20V，20A的功放，選用的是2SA1943和2SC5200這對功放管，并聯(lián)起來用，要放大的信號有正弦也有直流。 我現(xiàn)在想要算出我需要幾對管子，我手上有Datasheet
2016-04-19 17:46:04
如何學(xué)習(xí)氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通?
精通，這個(gè)系列直播共分為八講，從0到1全面解密電源設(shè)計(jì)，帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析
2020-11-18 06:30:50
如何完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源？
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何用集成驅(qū)動器優(yōu)化氮化鎵性能
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
將低壓氮化鎵應(yīng)用在了手機(jī)內(nèi)部電路
MOS管對向串聯(lián)來實(shí)現(xiàn)電池關(guān)斷的，因?yàn)楣鐼OS管內(nèi)部存在體二極管，只能控制充電方向或者放電方向的關(guān)閉，無法徹底關(guān)斷電路，所以需要使用兩顆對向串聯(lián)來使用。氮化鎵鋰電保護(hù)板應(yīng)用可以說是有鋰電池的地方就離不開
2023-02-21 16:13:41
微帶傳輸線阻抗匹配應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)
阻抗匹配可以很好的解決這一問題。微帶傳輸線阻抗匹配電路設(shè)計(jì)現(xiàn)通過工程實(shí)例分析與大家分享微帶傳輸線阻抗匹配的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。使用一款MESFET功放管進(jìn)行功率放大器設(shè)計(jì)，該功率放大器的工作頻率為5.3GHz
2019-06-24 06:43:36
急急急，本人想用功放管做一個(gè)H橋驅(qū)動電機(jī)。
本人想用功放管做一個(gè)H橋驅(qū)動電機(jī)。電機(jī)功率較大，電壓12V，電流需要達(dá)到4A。第一次用功放管做H橋，不知道選什么樣的功放管，希望對這方面了解的大神可以幫忙解釋一下。真的非常感謝。在線等，真的很急！
2017-03-16 10:40:20
支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)介紹
實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，同時(shí)通過在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案
2022-11-10 06:36:09
數(shù)字功放與模擬功放的區(qū)別
開關(guān)狀態(tài)，不會產(chǎn)生交越失真。 3. 功放和揚(yáng)聲器的匹配 由于模擬功放中的功放管內(nèi)阻較大，所以在匹配不同阻值的揚(yáng)聲器時(shí)，模擬功放電路的工作狀態(tài)會受到負(fù)載(揚(yáng)聲器)大小的影響。而數(shù)字功放內(nèi)阻不超過
2022-06-27 17:50:09
有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見錯(cuò)誤觀念
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
電子管功放和普通功放有什么區(qū)別
電路。 電子管膽機(jī)功放和普通功放的區(qū)別 1、制作材質(zhì)不同，前者采用電子管、后者采用半導(dǎo)體三極管。 2、音色：前者動態(tài)范圍寬廣，顯得音色厚實(shí)。后者不同功放的動態(tài)范圍差距很大，有的聲音顯得單薄
2018-05-08 10:22:10
自制功放管恒溫電路
這就是功放管恒溫電路的原理圖當(dāng)溫度小于50°時(shí)，12v電壓經(jīng)過3k電阻15Ω電阻和四個(gè)二極管串聯(lián)分壓加到431控制極的電壓高于2.5v，431輸出端為低電平，TIP41c截止，風(fēng)扇不轉(zhuǎn)。溫度高于50
2017-06-25 14:49:02
請問candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎？
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
誰發(fā)明了氮化鎵功率芯片？
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管—氮化鎵器件
的晶體管”。 伊斯曼和米什拉是對的。氮化鎵的寬帶隙（使束縛電子自由斷裂并有助于傳導(dǎo)的能量）和其他性質(zhì)讓我們能夠利用這種材料承受高電場的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化鎵是固態(tài)射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域
2023-02-27 15:46:36
采用ADMU4121來驅(qū)動氮化鎵半橋電路，上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高是為什么？
采用ADMU4121來驅(qū)動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因?yàn)轵?qū)動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
高壓氮化鎵的未來分析
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
高壓氮化鎵的未來是怎么樣的
會產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說，當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時(shí)，其原因在于流經(jīng)電路開關(guān)內(nèi)的電子會產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
功放管的三種工作狀態(tài)
功放管的三種工作狀態(tài)
低頻功率輸出級按功放管的工作狀態(tài)為甲類、乙類、丙類三種。
它們各有特點(diǎn)：
2009-12-02 11:05:34
2497
2497立體聲功放管及電路 (Stereo Tube Amplifi
立體聲功放管及電路 (Stereo Tube Amplifier)
By Weslee Kinsler
The circuit is simple
2009-12-25 15:29:164668
4668
功放管保護(hù)器電路圖
如圖所示電路為功放管保護(hù)器電路:
工作原理：圖中K是電源開關(guān)，T1控制用小型電源變壓器，T2是功放電源變壓器。IC1(S1-S4)是四雙向
2010-10-03 15:39:426771
6771AMEYA360熱門新聞：我國對鎵鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制！#氮化鎵 #鍺元素 #半導(dǎo)體材料
氮化鎵
jf_09983350發(fā)布于 2023-07-05 13:40:14
#氮化鎵 #英飛凌 8.3億美元！英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司 (GaN Systems)
半導(dǎo)體氮化鎵
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22
功放管保護(hù)器電路,Amplifier protection circuit
功放管保護(hù)器電路,Amplifier protection circuit
關(guān)鍵字：功放管保護(hù)器電路
功放管保護(hù)器電路
?如圖所示電路
2018-09-20 19:09:151077
1077安森美功放管怎么樣
安森美功放管怎么樣 安森美對管是美國的名牌優(yōu)質(zhì)大功率管。 安森美管是一種功率放大器，用來放大電流和電壓，從而增強(qiáng)信號的強(qiáng)度。它可以加強(qiáng)輸出電流和電壓，使信號發(fā)出更加強(qiáng)大的功率，從而使音響器件發(fā)出更好
2023-03-27 14:21:344022
4022安森美功放管解讀 安森美功放管怎么樣 安森美功放管優(yōu)缺點(diǎn)
安森美功放管解讀 安森美功放管怎么樣 安森美功放管優(yōu)缺點(diǎn) 功放管主要用于傳導(dǎo)電流。功放管作為一種功率放大器，用來放大電流和電壓，從而增強(qiáng)信號的強(qiáng)度。它可以加強(qiáng)輸出電流和電壓，使信號發(fā)出更加強(qiáng)大的功率
2023-03-29 16:09:5815105
15105數(shù)字萬用表測功放管好壞的方法
數(shù)字萬用表測功放管好壞的方法? 本文將詳細(xì)介紹如何使用數(shù)字萬用表測量功放管的好壞。首先，我們需要使用數(shù)字萬用表，這是一款廣泛應(yīng)用于測試和測量電氣、電子設(shè)備和電路的多功能測試儀器。數(shù)字萬用表有許多
2023-09-02 11:20:135188
5188CREE功放管漏級偏置電路對稱設(shè)計(jì)分析
CGH40045F-TB漏級偏置電路采用對稱設(shè)計(jì)，主要分析原因在于降低偏置網(wǎng)絡(luò)阻抗，提高視頻帶寬VBW，從而減小功放管的電記憶效應(yīng)。
2023-10-10 10:40:58527
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選擇功放管要注意的三個(gè)參數(shù)
選擇功放管時(shí)，我們需要注意的三個(gè)參數(shù)是功率、失真率和頻率響應(yīng)。下面將詳細(xì)介紹這些參數(shù)的定義、影響因素及如何選擇。 功率： 功率是衡量功放管輸出能力的重要參數(shù)。通常以瓦特（W）為單位表示。功率越大
2024-03-01 14:21:26233
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工商網(wǎng)監(jiān)
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