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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>8英寸碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)小批量銷(xiāo)售

8英寸碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)小批量銷(xiāo)售

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約2?mm的8英寸碳化硅晶片。 ? Hobby點(diǎn)評(píng):今年一月,國(guó)內(nèi)爍科晶體實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn),而僅僅幾個(gè)月后,國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底就再傳來(lái)了好消息。碳化硅器件的成本中,襯底占比超過(guò)40%,所以碳化硅襯底尺寸提高,單位襯底上制造出
2022-05-07 00:55:003759

國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能分析,與海外龍頭差距擴(kuò)大?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)新能源汽車(chē)市場(chǎng)規(guī)模急劇上漲,對(duì)于碳化硅產(chǎn)業(yè)而言,上游產(chǎn)能擴(kuò)充是現(xiàn)今各大廠(chǎng)商所一直努力的方向。可以看到過(guò)去一年里,海內(nèi)外都持續(xù)投入到包括碳化硅上游襯底和外延片、中游
2023-02-20 09:13:0116076

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381637

海外大廠(chǎng)搶灘2023,國(guó)內(nèi)企業(yè)加速追趕碳化硅襯底8英寸節(jié)點(diǎn)

嚴(yán)重供不應(yīng)求。增加產(chǎn)能的有效方法就是提高襯底尺寸,目前碳化硅襯底尺寸正在從6英寸往8英寸發(fā)展。 ? 全球最大的碳化硅襯底供應(yīng)商Wolfspeed,今年4月剛剛開(kāi)始在全球首個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠(chǎng)試產(chǎn),預(yù)計(jì)今年年底可以向客戶(hù)供貨。8英寸
2022-09-07 07:56:002422

8英寸襯底井噴,11月國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新進(jìn)展

空間大 ? 國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距,另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來(lái)越大。這使得國(guó)內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中,無(wú)論是從市場(chǎng)需求,還是
2023-12-12 01:35:001178

8英寸!第四代半導(dǎo)體再突破,我國(guó)氧化鎵研究取得系列進(jìn)展,產(chǎn)業(yè)化再進(jìn)一步

氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料,是被國(guó)際普遍關(guān)注并認(rèn)可開(kāi)啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比,氧化鎵的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者,其禁帶寬度達(dá)到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小,可靠性好?! ?7)碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性,反向恢復(fù)電流小,開(kāi)關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)?! ?8
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

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碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢(xún)我司人員!附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
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碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出。    2、SiCMOSFET  對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET,它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大,開(kāi)關(guān)損耗很大,額定工作結(jié)溫低,但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線(xiàn)的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

,同比增長(zhǎng)15.77%。2020年H1,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額為3539億元,同比增長(zhǎng)16.1%。碳化硅(SiC)的應(yīng)用碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,也是目前制造水平最成熟,應(yīng)用最廣
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車(chē)電子發(fā)展新動(dòng)力

大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線(xiàn)路板;在引擎室中,由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求,現(xiàn)有的以樹(shù)脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無(wú)線(xiàn)雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13

碳化硅深層的特性

碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來(lái),低碳生活也是隨之而來(lái),隨著太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料,碳化硅銷(xiāo)售市場(chǎng)也是十分火爆,許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開(kāi)始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

商用。  碳化硅肖特基二極管從2001年開(kāi)始商用,至今已有20年商用積累,并在部分高中端電源市場(chǎng)批量應(yīng)用,逐步向通用市場(chǎng)滲透,具備廣闊的市場(chǎng)前景?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)等關(guān)鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

的小電流,因此碳化硅肖特基二極管的開(kāi)關(guān)損耗比硅快速恢復(fù)二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗,能快速穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)器件的正反切換,提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音,同時(shí)易于改善EMI?! ∫韵聹y(cè)試結(jié)果
2023-02-28 16:34:16

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

CMPA801B025F 小批量可4-6周到港訂貨

Wolfspeed通過(guò)領(lǐng)導(dǎo)基于碳化硅和氮化鎵的下一代系統(tǒng)的創(chuàng)新和商業(yè)化,將電力和無(wú)線(xiàn)系統(tǒng)從硅的局限中解放出來(lái)。Wolfspeed用于電力和射頻(RF)應(yīng)用的寬頻帶半導(dǎo)體產(chǎn)品通過(guò)提高效率、提高開(kāi)關(guān)
2019-03-13 09:19:18

PCB樣品及小批量收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)

最大的努力,做的更好!?。r(jià)格做得最低!!!品質(zhì)做的最好?。?!速度做得最快?。?!從9月20號(hào)起公司大幅度降價(jià)[/td][/td][/td]我公司小批量{雙雙面板}價(jià)格為480-650平米,2個(gè)平米以下
2011-05-09 10:47:15

SIC碳化硅二極管

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2016-11-04 15:50:11

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

能在不影響產(chǎn)量的情況下,制造出10的晶片。大尺寸的塊狀基板(如下圖所示)。森教授認(rèn)為,與目前的碳化硅基板相比,其成本相當(dāng),而且能達(dá)到更大的尺寸。日本大坂大學(xué)、豐田公司等公司,都參與了日本環(huán)保部的“在
2023-02-23 15:46:22

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
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創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車(chē)、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車(chē)、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù),2017年推出基于6
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圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

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在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

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基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開(kāi)關(guān)及低損耗等
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新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類(lèi)似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
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范圍-5V~-15V,客戶(hù)根據(jù)需求選擇合適值,常用值有-8V、-10V、-15V;  · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓,保證開(kāi)通穩(wěn)定?! ?)碳化硅MOSFET:不同廠(chǎng)家碳化硅MOSFET對(duì)開(kāi)關(guān)電壓要求不盡相同
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2012-03-15 10:20:43

被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

,同時(shí)在正向電壓也減少,耐壓也大大超過(guò)200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
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請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
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本人維修線(xiàn)路板,有懂貼片元件怎樣識(shí)別和小批量購(gòu)買(mǎi)?請(qǐng)大師幫忙
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107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠(chǎng)商名單來(lái)咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠(chǎng)商名單來(lái)咯!

元器件碳化硅
車(chē)同軌,書(shū)同文,行同倫發(fā)布于 2022-08-04 15:48:57

中芯國(guó)際力爭(zhēng)在2010年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)

中芯國(guó)際力爭(zhēng)在2010年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn) 2010年,中芯國(guó)際將加強(qiáng)65納米的嵌入式工藝平臺(tái)和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時(shí)力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)
2010-03-08 09:33:16471

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛(ài)好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

世紀(jì)金光研制成功碳化硅6英寸單晶并實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn) 將持續(xù)推進(jìn)第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用

半導(dǎo)體制備技術(shù)。近日,記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“世紀(jì)金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn),研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
2019-11-09 11:32:515219

中國(guó)電科山西碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地實(shí)現(xiàn)4英寸晶片量產(chǎn)

據(jù)中央紀(jì)委國(guó)家監(jiān)委網(wǎng)報(bào)道,目前,中國(guó)電科山西碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地已經(jīng)實(shí)現(xiàn)4英寸晶片的大批量產(chǎn),6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經(jīng)開(kāi)始工程化驗(yàn)證,預(yù)計(jì)年底達(dá)到產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用與國(guó)際水平相當(dāng)。 此外
2020-06-09 18:58:422344

碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展史及未來(lái)展望

碳化硅襯底生產(chǎn)的國(guó)外核心企業(yè),主要是美國(guó)CREE,美國(guó) II-VI,和日本昭和電工,三者合計(jì)占據(jù)75%以上的市場(chǎng)。技術(shù)上,正在從 4 英寸襯底向 6 英寸過(guò)渡,8 英寸硅基襯底在研。
2020-10-19 14:59:079808

同光晶體完成融資,將用于6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目

國(guó)投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示,第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“同光晶體”)完成A輪融資,投資方包括:國(guó)投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實(shí)現(xiàn)淶源基地6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目快速擴(kuò)產(chǎn)和現(xiàn)有產(chǎn)品優(yōu)化提升。
2020-12-03 11:05:153054

簡(jiǎn)述碳化硅襯底的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程

隨著下游新能源汽車(chē)、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā),引爆了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場(chǎng)需求,國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過(guò)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè),今天我們首先
2021-07-29 11:01:184375

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267

國(guó)內(nèi)首條!基本半導(dǎo)體汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊專(zhuān)用產(chǎn)線(xiàn)正式通線(xiàn)

高端數(shù)字化智能工廠(chǎng)。 該基地將于2022年3月進(jìn)行小批量試生產(chǎn),年中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付,2022年產(chǎn)能為25萬(wàn)只模塊,2025年之前將提升至150萬(wàn)只。 ? 本文圖源?基本半導(dǎo)體 這是基本半導(dǎo)體針對(duì)即將迎來(lái)爆發(fā)期的新能源汽車(chē)碳化硅市場(chǎng),提前布局、搶
2021-12-31 10:55:432797

國(guó)產(chǎn)替代給力 大族激光光刻機(jī)已小批量銷(xiāo)售

國(guó)產(chǎn)替代給力 大族激光光刻機(jī)已小批量銷(xiāo)售 臺(tái)積電2nm的工藝都要在2025年投產(chǎn);不知道2nm的工藝需要什么樣的高端光刻機(jī)才做得出來(lái)。我們看到國(guó)產(chǎn)化好消息是,大族激光的光刻機(jī)已實(shí)現(xiàn)小批量銷(xiāo)售
2022-04-19 17:32:217948

意法半導(dǎo)體新廠(chǎng)2023年開(kāi)始投產(chǎn) 加強(qiáng)碳化硅組件及解決方案襯底供應(yīng)

意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠(chǎng),以支持意法半導(dǎo)體客戶(hù)對(duì)汽車(chē)及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠(chǎng)預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-08 17:04:031349

意法半導(dǎo)體將在意大利興建整合式碳化硅襯底制造廠(chǎng)

意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠(chǎng),以支持意法半導(dǎo)體客戶(hù)對(duì)汽車(chē)及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠(chǎng)預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-09 09:10:55741

ST與Soitec合作開(kāi)發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證, 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),支持汽車(chē)電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造
2022-12-08 12:22:48616

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物
2023-02-02 14:50:021981

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè)

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場(chǎng)格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié),目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷,根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90%的SiC
2023-02-02 15:02:543931

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

碳化硅模塊上車(chē)高濕測(cè)試

碳化硅模塊上車(chē)高濕測(cè)試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、派恩杰、中車(chē)時(shí)代電氣、基本半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車(chē)上,浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項(xiàng)目開(kāi)始
2023-02-21 09:26:452

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

晶錠進(jìn)過(guò)晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底;再經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)就變成碳化硅外延片,也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過(guò)光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

碳化硅襯底市場(chǎng)群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠(chǎng)積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 10:30:041284

碳化硅:第三代半導(dǎo)體之星

按照電學(xué)性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類(lèi)型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過(guò)在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437

簡(jiǎn)述碳化硅襯底類(lèi)型及應(yīng)用

碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483430

如何在中試線(xiàn)上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底?

從實(shí)際情況上看,目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn),而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍,這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本。但為什么目前市場(chǎng)上主流還是6英寸碳化硅襯底?
2023-06-20 15:01:24765

國(guó)產(chǎn)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié),襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),碳化硅器件的成本構(gòu)成中,襯底、外延、前段、 研發(fā)費(fèi)用和其他分別占比為 47%,23%,19%,6%,5%,襯底+外延合計(jì)約 70%
2023-06-26 11:30:56733

碳化硅8英寸時(shí)代倒計(jì)時(shí) 中國(guó)廠(chǎng)商能否搭上“早班車(chē)”

碳化硅襯底碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門(mén)檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期,受到新能源汽車(chē)、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的推動(dòng),碳化硅廠(chǎng)商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn),。國(guó)內(nèi)外廠(chǎng)商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導(dǎo)體、三星和三菱電機(jī)等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競(jìng)爭(zhēng)。
2023-07-14 16:22:58690

三安半導(dǎo)體首發(fā)8英寸碳化硅襯底,國(guó)內(nèi)8英寸加速布局!

從產(chǎn)能來(lái)看,湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月,較2022年底新增3,000片/月,提升25%;GaN-on-Si(硅基氮化鎵)產(chǎn)能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過(guò)數(shù)家國(guó)際大客戶(hù)驗(yàn)證,并實(shí)現(xiàn)批量出貨,且2023年、2024年供應(yīng)已基本鎖定。
2023-09-14 11:14:541009

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06529

科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線(xiàn)

2023年9月,科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線(xiàn)。
2023-10-18 09:17:46404

科友半導(dǎo)體官宣,首批8吋碳化硅襯底下線(xiàn)

科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅(SiC)中試線(xiàn)在2023年4月正式貫通后,同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線(xiàn)建設(shè),加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè),今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969

三安光電碳化硅實(shí)現(xiàn)了8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)

三安光電10月23日宣布,旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展,實(shí)現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn),部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車(chē)企業(yè)供應(yīng)鏈。
2023-10-25 14:55:04411

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤(pán)點(diǎn)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié),是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57931

環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)

環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯(cuò)估了客戶(hù)對(duì)8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè),預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶(hù)進(jìn)行認(rèn)證,并于2025年量產(chǎn)。
2023-10-27 15:07:43394

碳化硅襯底,新能源與5G的基石.zip

碳化硅襯底,新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:403

超40個(gè),碳化硅項(xiàng)目企業(yè)匯總

單晶生長(zhǎng),以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體;2)襯底環(huán)節(jié),碳化硅晶體經(jīng)過(guò)切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片,也即半導(dǎo)體襯底材料;
2023-12-05 15:26:53561

晶盛機(jī)電:正式進(jìn)入碳化硅襯底項(xiàng)目量產(chǎn)階段

晶盛機(jī)電公司決定從2017年開(kāi)始,碳化硅生長(zhǎng)設(shè)備及技術(shù)研發(fā)(r&d)開(kāi)始,通過(guò)研究開(kāi)發(fā)組的技術(shù)攻堅(jiān),2018年,公司成功開(kāi)發(fā)了6英寸生長(zhǎng)碳化硅決定,2020年長(zhǎng)征及加工研發(fā)試驗(yàn)生產(chǎn)線(xiàn)建立?!?/div>
2023-12-06 14:08:17379

線(xiàn)路板生產(chǎn)該選大批量還是小批量?

線(xiàn)路板生產(chǎn)該選大批量還是小批量?
2023-12-13 17:22:10335

超芯星完成數(shù)億元C輪融資,助力碳化硅襯底產(chǎn)能提升

自2019年4月在江蘇南京建立以來(lái),超芯星專(zhuān)注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士,他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷以及廣闊的國(guó)際視野,為1至6英寸碳化硅襯底的研究和商業(yè)化注入獨(dú)特見(jiàn)解。
2023-12-14 10:05:56389

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ),外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607

8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

當(dāng)前,大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08616

國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底廠(chǎng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線(xiàn),覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠(chǎng)商還自研單晶爐設(shè)備及外延片等產(chǎn)品。
2024-01-12 11:37:03864

江蘇丹陽(yáng)延陵鎮(zhèn)與博藍(lán)特半導(dǎo)體達(dá)成碳化硅襯底布局戰(zhàn)略合作

在這次考察中,考察團(tuán)主要針對(duì)博藍(lán)特公司計(jì)劃將其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目引入到延陵鎮(zhèn),這筆交易總預(yù)算高達(dá)十億元人民幣,其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬(wàn)片六至八英寸碳化硅襯底的能力。如果按照企業(yè)預(yù)期估算,該項(xiàng)目完成后每年潛在銷(xiāo)售額將達(dá)到 15 億元。
2024-01-19 13:57:20787

河南第一塊8英寸碳化硅SiC單晶出爐!

平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線(xiàn)傳來(lái)喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶,全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長(zhǎng)晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
2024-02-21 09:32:31337

晶盛機(jī)電6英寸碳化硅外延設(shè)備熱銷(xiāo),訂單量迅猛增長(zhǎng)

聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝,量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
2024-03-22 09:39:2974

成功打入博世、英飛凌供應(yīng)鏈,國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底收獲期來(lái)臨

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近期國(guó)內(nèi)碳化硅襯底供應(yīng)商陸續(xù)獲得海外大廠(chǎng)的訂單,4月底,天岳先進(jìn)在2022年年報(bào)中披露去年公司與博世集團(tuán)簽署了長(zhǎng)期協(xié)議,公司將為博世供應(yīng)碳化硅襯底產(chǎn)品
2023-05-06 01:20:002328

2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過(guò)去的2023年里,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進(jìn)展神速,同時(shí)三安和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可,簽下
2024-01-08 08:25:342171

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