美國(guó)SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢(shì)。基于這些優(yōu)勢(shì)，當(dāng)SiC-MOSFET用于AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC
2019-04-24 12:46:442091 PI看到了電動(dòng)車的這個(gè)發(fā)展趨勢(shì)，因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用碳化硅（SiC）初級(jí)開關(guān)MOSFET的汽車級(jí)開關(guān)電源IC，將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:224954 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，進(jìn)而縮短產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身
2022-08-30 09:31:001210 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過去的2023年，國(guó)產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來了全面爆發(fā)，眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求打進(jìn)汽車供應(yīng)鏈。而今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車降價(jià)
2024-03-13 01:17:002639 
CRD-060DD12P，用于單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代傳統(tǒng)的雙開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器，用于三相應(yīng)用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產(chǎn)品而設(shè)計(jì)的，僅用作評(píng)估Cree開關(guān)設(shè)備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻。 不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。 SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
`請(qǐng)問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
可以很快期待Littelfuse和英飛凌的產(chǎn)品。 圖5：各供應(yīng)商的SiC MOSFET開發(fā)活動(dòng)現(xiàn)狀。 多芯片功率模塊也是SiC世界中客戶和供應(yīng)商之間的熱門話題。圖6也摘自Yole的D
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng),所以不僅能保持實(shí)際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應(yīng)對(duì)
2018-11-29 14:35:50
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。
2019-07-30 06:18:11
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢(shì).更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
開來，并應(yīng)用于電纜以將電線與電纜所穿過的環(huán)境隔離開來。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導(dǎo)通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
實(shí)現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率和高效率 將于6月5日至7日在PCIM歐洲電力電子展的6號(hào)展廳318展臺(tái) 展示采用全新低電感封裝的五個(gè)標(biāo)準(zhǔn)模塊的完整產(chǎn)品線 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供
2018-10-23 16:22:24
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個(gè)評(píng)估板提供了一個(gè)半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動(dòng)電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力
電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)洹Ｎ?/div>
2020-04-24 18:08:05
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
半導(dǎo)體產(chǎn)品采用的是也是平面柵MOSFET結(jié)構(gòu)。基于平面柵結(jié)構(gòu)，派恩杰已經(jīng)發(fā)布了650V-1700V各個(gè)電壓平臺(tái)的SiC MOSFET，而且已經(jīng)順利在新能源龍頭企業(yè)批量供貨，實(shí)現(xiàn)“上車”。
2022-03-29 10:58:06
1700V耐壓的產(chǎn)品。Si-PND通過在n-層積蓄少數(shù)載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過Si-SBD的高耐壓與低電阻，但關(guān)斷速度較慢。盡管FRD是Si-PND中提高了速度的產(chǎn)品，但其trr
2018-11-29 14:33:47
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
:?全SiC功率模塊由ROHM自主生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成。?與Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。?全SiC功率模塊正在不斷進(jìn)化，最新產(chǎn)品搭載了最新的第三代SiC-MOSFET。
2018-11-27 16:38:04
二極管方面已經(jīng)做出了許多努力。這些新一代二極管的主要開發(fā)采用體晶圓、薄晶圓技術(shù)、n+背表面接觸、激光退火和多質(zhì)子注入，均用于二極管制造［1-5］。本文介紹了具有不同額定電流的1700V軟恢復(fù)二極管。具有尾
2023-02-27 09:32:57
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
` 本帖最后由 電子發(fā)燒友doodle 于 2017-3-2 14:14 編輯
2月的最后一天，小米發(fā)布了旗下第一代松果處理器：澎湃S1。該款處理器是由小米和聯(lián)芯共同設(shè)計(jì)完成的，性能配置就不
2017-03-02 14:11:54
的產(chǎn)品線涉及基礎(chǔ)核心技術(shù)產(chǎn)品、碳化硅成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。公司基礎(chǔ)核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中650V/3A～100A,1200V/2A～50A和1700V/3300V等系列的碳化硅
2018-03-12 14:55:36
的行列中，推出相關(guān)產(chǎn)品。
國(guó)內(nèi)規(guī)模比較大的有華潤(rùn)微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產(chǎn)品，而更多的初創(chuàng)企業(yè)也在進(jìn)入車規(guī)SiCMOSFET賽道。比如芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80m
2024-01-19 14:55:55
的行列中，推出相關(guān)產(chǎn)品。
國(guó)內(nèi)規(guī)模比較大的有華潤(rùn)微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產(chǎn)品，而更多的初創(chuàng)企業(yè)也在進(jìn)入車規(guī)SiCMOSFET賽道。比如芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80m
2024-01-19 14:53:16
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
金鑒出品】新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電紅外熱點(diǎn)定位+FIB解析碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢(shì)，可以突破現(xiàn)有電動(dòng)汽車電機(jī)設(shè)計(jì)上因器件性能而受到的限制，這是目前國(guó)內(nèi)外電動(dòng)汽車電機(jī)領(lǐng)域研發(fā)
2018-11-02 16:25:31
采用雙溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，與正在量產(chǎn)中的第2代平面型（DMOS結(jié)構(gòu)）SiC-MOSFET相比，導(dǎo)通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。實(shí)際的SiC-MOSFET產(chǎn)品下面是可供
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
MOSFET 的單通道驅(qū)動(dòng)核，可以驅(qū)動(dòng)目前市面上大部分 1700V 以內(nèi)的單管碳化硅 MOSFET， 該驅(qū)動(dòng)核設(shè)計(jì)緊湊，通用性強(qiáng)。 3、電源模塊 Q15P2XXYYD 是青銅劍科技自主研發(fā)的單通道
2023-02-27 16:03:36
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
更進(jìn)一步。其中UF系列的最新產(chǎn)品在1200V和650V器件上的導(dǎo)通電阻達(dá)到了同類產(chǎn)品最低，分別小于9毫歐和7毫歐。這些器件具有低損耗體二極管效應(yīng)以及固有的抗過電壓和短路的能力，與Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，故ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)1200V的產(chǎn)品，同時(shí)在推進(jìn)1700V耐壓的產(chǎn)品。Si-PND通過在n-層積蓄少數(shù)載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)
2019-07-10 04:20:13
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉(zhuǎn)換器 評(píng)估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出，搭載了ROHM適用于大功率工業(yè)設(shè)備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的導(dǎo)通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出，上述IC的柵極驅(qū)動(dòng)電壓在每種MOSFET將要飽和前變?yōu)閂GS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
（IPS-RA）4. 航空級(jí)智能功率開關(guān)（IPS-AA）納/ 微電網(wǎng)與航空電子5.用于奈米／微電網(wǎng)V2G／V2H的高效雙向SiC功率轉(zhuǎn)換器6.航空電子逆變器。航空電子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆變器該
2019-06-27 04:20:26
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
驅(qū)動(dòng)1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設(shè)計(jì):通過對(duì)幾種常用的1700V IGBT 驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行詳細(xì)的分析，對(duì)M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進(jìn)行深入的討論，給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部
2009-06-19 20:29:52
39 華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:481938 羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品（圖1）。特點(diǎn)是與該公司第一代產(chǎn)品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導(dǎo)通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531594 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:001922 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:173606 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品
2018-10-23 11:34:375600 支持電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469 值從SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。 在電動(dòng)汽車牽引電機(jī)或充電站等汽車應(yīng)用中，以及在太陽能發(fā)電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用中，使用SiC MOSFET可使設(shè)計(jì)者獲得各種好處，包括： ●減小功率級(jí)的尺寸和重量 ●實(shí)現(xiàn)更高的功率密度 ●減小功率電路無源元件的尺
2020-11-26 16:33:521178 
參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設(shè)計(jì)輔助電源而開發(fā)的。該參考板旨在支持客戶為三相系統(tǒng)設(shè)計(jì)輔助電源，工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:032396 
在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢(shì)更為凸顯。 下文主要對(duì)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國(guó)外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對(duì)比。 國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件，為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)
2022-02-16 14:10:121888 近期，華潤(rùn)微重磅發(fā)布自主研發(fā)量產(chǎn)的SiC MOSFET產(chǎn)品，這是華潤(rùn)微繼去年SiC二極管產(chǎn)品上市后的又一大作，進(jìn)一步豐富了公司的SiC產(chǎn)品系列，是公司在寬禁帶領(lǐng)域的又一里程碑。
2022-03-28 16:20:081793 （SiC）初級(jí)開關(guān) MOSFET。這些新設(shè)備可產(chǎn)生高達(dá) 70 瓦的輸出功率，用于 600 和 800 伏電池和燃料電池電動(dòng)乘用車，以及電動(dòng)巴士、卡車和一系列工業(yè)電源應(yīng)用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:271216 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動(dòng)功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:582310 BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于小型表貼封裝（TO263-7L）中。主要
2022-08-14 10:00:241278 
Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計(jì)
2022-08-28 11:17:068 高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí)，應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-28 17:50:15527 
安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:19433 重點(diǎn)必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－規(guī)格篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)更容易支持自動(dòng)安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:19389 
內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－優(yōu)點(diǎn)篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)更容易可自動(dòng)安裝的小型表貼封裝BM2SC12x...
2023-02-08 13:43:21390 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:23656 
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:24518 
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05434 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 根據(jù)公司披露：上海瀚薪具備多年的車規(guī)級(jí)SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。量產(chǎn)產(chǎn)品均在各市場(chǎng)龍頭企業(yè)得到認(rèn)可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903 
前幾天，三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄（.點(diǎn)這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:55860 ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureRange：-40～150°CStatus
2022-03-04 10:51:05495 
對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57428 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線，開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
ARK（方舟微）研發(fā)銷售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主（包括具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓（UltraVt?）耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品），以及N溝道-增強(qiáng)型MOSFET和P溝道-增強(qiáng)型MOSFET。產(chǎn)品耐壓等級(jí)覆蓋0～1700V區(qū)間。
2023-11-07 14:47:57360 
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）全套AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。包括之前通過測(cè)試認(rèn)證的650V
2023-12-06 14:04:49323 
瑤芯微此次參評(píng)的專注于“車規(guī)級(jí)低比導(dǎo)通電阻SiC MOSFET”，專家們一致贊賞該產(chǎn)品具有卓越的研究成果，堪稱行業(yè)翹楚。憑借諸多優(yōu)點(diǎn)，經(jīng)過嚴(yán)謹(jǐn)評(píng)鑒，評(píng)委會(huì)授予瑤芯微的SiC MOSFET技術(shù)極高評(píng)價(jià)，同時(shí)認(rèn)定其擁有自主創(chuàng)新產(chǎn)權(quán)，展現(xiàn)了強(qiáng)勁的技術(shù)實(shí)力。
2023-12-25 10:56:54456 近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 
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