三極管的基本結(jié)構(gòu)
1
硅管與鍺管的區(qū)分方法
①看型號(hào): 9011/9013/9014/9016/9018/8050是硅管NPN型
9012/9015/8550是鍺管PNP型
②讓該管工作在 放大狀態(tài) ,測(cè)Ube電壓(基極與發(fā)射極的電壓),如果 電壓Ube=0.2~0.3V (歐姆檔指針偏轉(zhuǎn)了4/5)則是鍺管,如果 Ube=0.6~0.7V (歐姆檔指針偏轉(zhuǎn)了1/2--3/5)則是硅管。
2
TTL與CMOS的區(qū)分方法
三極管從結(jié)構(gòu)上分為 雙極型晶體管 (BJT、電流控制)與 場(chǎng)效應(yīng)型三極管 (FET,電壓控制器件)。
不加特殊說(shuō)明,電路里通常指 前者 (電流控制)。而后者如MOS管(電壓控制),可類比NPN理解,它也有三個(gè)級(jí):源極S(發(fā)射極)、漏極D(集電極)、柵極G(基級(jí))。
區(qū)別TTL和CMOS:
由晶體管構(gòu)成的集成電路為TTL:電源電壓5V,多余的輸入端可懸空;
由MOS管構(gòu)成的集成電路為CMOS:電源電壓3V~8V,多余的輸入端不可懸空。
三極管的截止、放大與飽和
1
NPN型類比理解
我們先以NPN硅管為例,為了便于理解,可以類比下面的水管:
水源 (Vcc)從上面(集電極)奔流而來(lái)(Ic),中間有一個(gè) 水閥 (基級(jí)),靠 小水流 (Ib)掀動(dòng)閥門使水流流到下面(發(fā)射極)的水管(Ie)。
①截止?fàn)顟B(tài)
從電流角度: Ib太小 (Ib≈0) ,頂不動(dòng)閥門,閥門的關(guān)閉導(dǎo)致水被困在上面的水管中不能流動(dòng) **(Ic=0;Ie=0)** 。
從電壓角度: φb太小導(dǎo)致Ube達(dá)不到發(fā)射結(jié)開(kāi)啟電壓 (Ube<0.5V) ; φc=Vcc (上面連接水源,當(dāng)然有水); **φe=φ地=0** (下面沒(méi)水)。因此 **Uce=φc-φb=Vcc** 。
注:此時(shí)集電極反偏,發(fā)射極反偏。(可以這樣理解, φp>φn就是正偏,否則反偏 )
②放大狀態(tài)
從電流角度: Ib增大 ,頂開(kāi)閥門,水會(huì)從上面Ic通過(guò)打開(kāi)的閥門流下,和小電流Ib匯入到下管(發(fā)射極), Ie=Ic+Ib。 這樣就實(shí)現(xiàn)小電流(Ib)控制大電流(Ic)的功能,故名“放大”,放大倍數(shù)為 β ,即Ic=β Ib。所以:Ie>Ic>Ib。
從電壓角度: φb升高→Ube增大(從0.6V到0.7V),因此 φc>φb>φe 。此時(shí) Uce≈1/2Vcc 。
注:此時(shí)集電極反偏,發(fā)射極正偏。
③飽和狀態(tài)
從電流角度: Ib繼續(xù)增大 ,閥門開(kāi)到最大,由于管徑的限制,水流趨向于恒定,即Ic會(huì)繼續(xù)增大到 Vcc/Rc (串聯(lián)在集電極的電阻)之后恒定不變。此時(shí),Ic不會(huì)再受Ib的控制,Ib的增大已無(wú)法影響Ic。
從電壓角度: φb升高到使Ube=0.7V時(shí),三極管相當(dāng)于導(dǎo)線,使得 Uce=0 。此時(shí),可理解為開(kāi)關(guān)的閉合。因此φb>φe,φb>φc。
注:此時(shí)集電極正偏,發(fā)射極反偏。
2
PNP型類比理解
再以PNP為例,為了便于理解,可以類比下面的水管:
與NPN不同 ,PNP型三極管是從發(fā)射極e流入,從基級(jí)b和集電極c流出。
①截止?fàn)顟B(tài)
從電流角度: 閥門Ib太小( Ib≈0 )打不開(kāi)閥門,從而造成水被堵在發(fā)射極下不來(lái)( **Ie=0,Ic=0** )
從電壓角度: φb太大 接近Vcc ,導(dǎo)致Ueb達(dá)不到發(fā)射結(jié)開(kāi)啟電壓( Ueb=φe-φb<0.5V ); φe=Vcc (上面連接水源,當(dāng)然有水); **φc=φ地=0** (下面沒(méi)水)。因此 **Uec=φe-φc=Vcc** 。
注:此時(shí)集電極反偏,發(fā)射極反偏。
②放大狀態(tài)
從電流角度: Ib增大 ,頂開(kāi)閥門,水會(huì)從上面Ie通過(guò)打開(kāi)的閥門流下,分流為小電流Ib和集電極電流Ic,即 Ie=Ib+Ic 。這樣就實(shí)現(xiàn)基級(jí)(Ib)控制集電極(Ic)的功能,故名“放大”,放大倍數(shù)為β,即 Ic=β Ib。所以: Ie>Ic>Ib 。
從電壓角度: φb降低→ Ueb升高 (從0.6V到0.7V),因此 φe>φb>φc 。此時(shí) Uce≈1/3Vcc~2/3Vcc 。
注:此時(shí)集電極反偏,發(fā)射極正偏。
③飽和狀態(tài)
從電流角度: Ib繼續(xù)增大 ,閥門開(kāi)到最大,由于管徑的限制,水流趨向于恒定,即Ic會(huì)繼續(xù)增大到 Vcc/Rc (串聯(lián)在集電極的電阻)之后恒定不變。此時(shí),Ic不會(huì)再受Ib的控制,Ib的增大已無(wú)法影響Ic。
從電壓角度: φb降低到使Ueb達(dá)到0.7V時(shí),三極管相當(dāng)于導(dǎo)線,使得 Uec=0 。此時(shí),可理解為開(kāi)關(guān)的閉合。因此φb<φe,φb<φc。
注:此時(shí)集電極正偏,發(fā)射極反偏。
3
歸納總結(jié)
結(jié)合上述可得:
4
例題分析
例1: 在電路中測(cè)得硅材料三極管的三個(gè)電極的電位如下圖所示,處于飽和狀態(tài)的有:
分析: 對(duì)于NPN的飽和狀態(tài),有φb>φe,φb>φ c,Ube=0.7V ,故選D;
對(duì)于PNP的飽和狀態(tài),有 φb<φe,φb<φc,Ueb=0.7V ,故選B。
例2: 下列各三極管的管型、電流方向及大小均正確的是:
分析: NPN為 2入1出 (集電極、基級(jí)入,發(fā)射極出),排除A;
PNP為 1入2出 (發(fā)射極入,集電極、基級(jí)出),排除D;
又三極管的管腳排布依次為 ebc (倒過(guò)來(lái)cbe),中間永遠(yuǎn)是基級(jí)b;
對(duì)于NPN來(lái)說(shuō),C項(xiàng)中間腳是基級(jí)b,應(yīng)該是入的,排除C;
故選B。
例3: 如圖所示是小明在電子控制技術(shù)實(shí)踐課上搭建的電路,經(jīng)測(cè)量V1的Ube=0.7V,Uce=3V。下列關(guān)于V1工作狀態(tài)的判斷中,正確的是( )
A.飽和狀態(tài)
B.放大狀態(tài)
C.截止?fàn)顟B(tài)
D.條件不足,無(wú)法判斷
思路一: Ube=0.7V,Uce=3V,由于NPN型發(fā)射極e接地,即 **φe=0** ,故而φb=0.7V,φc=3V。由**φc>φb>φe**可知其為放大狀態(tài)。
思路二: 已知Ube=0.7V,Uce=3V,從而Uce≈1/2Vcc,Ube∈[0.6V,0.7V],可知其為放大狀態(tài)。
故選B。
例4:
分析: A、設(shè)電阻R1左端電位為φa,右端電位為φb(即V1基級(jí)電位);因?yàn)閂1是PNP型三極管,基級(jí)應(yīng)該是“出”(即 電位從φb到φa經(jīng)過(guò)電阻R1形成電壓降 )。因此當(dāng)R1阻值變大,導(dǎo)致自右到左的電壓降變大, 定左 ,則右端φb應(yīng)當(dāng)增大。故V1高電位更易截止,電熱器不發(fā)熱。
BC、繼電器不能正常工作,電熱器不發(fā)熱。
D、V2起保護(hù)三極管V1的作用(防止繼電器反向自感電動(dòng)勢(shì)對(duì)三極管集電極的沖擊),而與電路控制功能無(wú)關(guān),故選D。
例5: 小明在測(cè)試電路時(shí),發(fā)現(xiàn)R4的阻值不符合電路要求,導(dǎo)致J2始終都不能吸合,合理的調(diào)整措施是 ▲ (在A..增大R4;B.減小R4中選擇合適的選項(xiàng),將序號(hào)填入“ ▲ ”處)
分析: 此題常見(jiàn)錯(cuò)誤選A,誤認(rèn)為電流從R4左端流向右端,自左向右形成電壓降,增大R4可使R4消耗更多電勢(shì),從而使V2基級(jí)電位降低。
事實(shí)上,由V2是PNP型三極管可知, 基級(jí)應(yīng)該是“出” ,即R4自右向左形成電壓降(此時(shí)應(yīng) 定左 )。故為了讓R4的右端電勢(shì)(即V2基級(jí)電位)降低,應(yīng)當(dāng)減小R4的分壓,選B。
三、多用電表測(cè)三極管
首先要明確,應(yīng)該使用電表的歐姆檔測(cè)電阻,根據(jù) “紅進(jìn)黑出” 原則(“進(jìn)、出”是從****電表的角度而言),又因電源在電表內(nèi)部,得知此時(shí)黑表筆卻是高電位,紅表筆為低電位。
1
判斷好壞
基本思想: 對(duì)于NPN型,有 ①?gòu)闹虚g的P到兩邊的N(P→N)是否都是正偏;②從兩邊的N到中間的P(N→P)是否都是反偏。
若①②都滿足則是好的NPN型;
若①不滿足、②滿足則是斷路問(wèn)題;
若①滿足、②不滿足則是短路問(wèn)題。
具體操作: ①歐姆檔R×100或×1k,黑表筆(高電位)接中間基級(jí)b,紅表筆(低電位)接另外兩極,是否 阻值都很小 (指針偏轉(zhuǎn)角度大);
②紅表筆(低電位)接中間基級(jí)b,黑表筆(高電位)接另外兩極, 是否阻值都很大 (指針偏轉(zhuǎn)角度小)。
PS:各位可以思考一下PNP型的檢驗(yàn)方法~
2
確定基級(jí)
基本思想: 由于三極管(NPN或PNP)的集電極和發(fā)射極之間必有一段是 由N到P的(即反偏) ,其本質(zhì)就是經(jīng)多次驗(yàn)證,若某次正接反接都是反偏,則剩下的就是基級(jí)。
具體操作: 歐姆檔R×100,紅黑表筆多次正反測(cè)量任意兩個(gè)管腳,若某次測(cè)得 阻值都很大 ,則剩下的那只腳為基級(jí)b。
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確定類型
基本思想: 對(duì)于 NPN型 ,從中間的P到兩邊的N (P→N) 都是 正偏 ;否則為PNP。
具體操作: 歐姆檔R×100或×1k,黑表筆(高電位)接中間基級(jí)b,紅表筆(低電位)接另外兩極,若 阻值都很小 (指針偏轉(zhuǎn)角度大), 即為NPN ;若阻值都很大即為PNP。
思考:若測(cè)得阻值一大一小,有哪些可能?
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例題分析
例6: 判斷D項(xiàng)是否正確:
分析: 9013是NPN型硅管,從集電極c到發(fā)射極e必定是 ①?gòu)?N (集電極c)經(jīng) P (基級(jí)b) ② P (基級(jí)b)再到 N (發(fā)射極e)的過(guò)程。圖中給定的是第①個(gè)過(guò)程—— 反偏 (電阻大),這不足以說(shuō)明三極管是好的,當(dāng)然更無(wú)法說(shuō)明它是壞的。
例7: 用R×1k擋測(cè)電子元器件,僅測(cè)一次,下列結(jié)果能證明電子元器件已損壞的是:
分析: A、發(fā)光二極管 長(zhǎng)腳為正 ,卻接到了電表的紅表筆(歐姆檔狀態(tài)下是 低電位 ),二極管反偏截止,電阻很大,即指針幾乎不偏轉(zhuǎn),與題圖吻合,說(shuō)明它是好的;排除A。
B、黑表筆(高電位)進(jìn)入基級(jí),紅表筆(低電位)出,由題圖知測(cè)得阻值很大, 其為反偏 。若此三極管為NPN,則可判斷其斷路;若為PNP,則紅表筆還需要檢測(cè)另一個(gè)P腳才可下結(jié)論;而圖中未告知三極管類型,無(wú)法判斷,排除B。
C、電位器(電阻)阻值不可能小到0,由題圖可知,此電阻內(nèi)部斷路,已損壞,故選C。
D、圖中未告知干簧管狀態(tài),無(wú)法確定,排除D。
復(fù)合管在門電路中的應(yīng)用
1
處理方式:等效法
注意:復(fù)合管放大倍數(shù)β=β1×β2。
2
例題分析
例8: 當(dāng)水缸內(nèi)的熱敏電阻(正溫度系數(shù))檢測(cè)出水溫 低于下限設(shè)定溫度時(shí),加熱絲加熱 ;當(dāng)熱敏電阻檢測(cè)出水溫 高于上限設(shè)定溫度時(shí),停止加熱。 則虛框中應(yīng)是什么邏輯門?
分析: 假設(shè)Rt1是下限溫控電阻 ,則Rt2是上限溫控電阻。當(dāng)溫度在設(shè)定范圍內(nèi)升高時(shí),電熱絲是加熱的,即 J1J2均閉合 ,Rt2處于短路狀態(tài);這樣當(dāng)溫度超過(guò)上限時(shí),Rt2無(wú)法起作用,因此假設(shè)錯(cuò)誤。
所以 Rt1應(yīng)是上限溫控電阻,Rt2是下限溫控電阻 。當(dāng)溫度在設(shè)定范圍內(nèi)升高時(shí),電熱絲是加熱的,即J1J2均閉合,Rt2處于短路狀態(tài)(無(wú)所謂);超過(guò)上限,上限溫控電阻 Rt1變大 ,導(dǎo)致Rt1上端電位升高,記為 1 。
把復(fù)合管看成 1個(gè)PNP三極管 ,要使電熱絲不加熱(繼電器不吸合,三極管截止),該等效三極管的基級(jí)應(yīng)當(dāng)是 高電位 1 ;
又因?yàn)镽t2一直被短路,故記Rt上端電勢(shì)為 0 。而0,1要出1的話,只能是或門、與非門。
當(dāng)溫度降到下限溫度以下時(shí)(此時(shí) J1J2均斷開(kāi) ),Rt1、Rt2上端都是0,因此此時(shí)需要電熱器加熱(繼電器吸合、三極管導(dǎo)通),對(duì)于等效PNP三極管來(lái)說(shuō),基級(jí)必須為低電位 0才能導(dǎo)通。而0,0要出0的話,不可能是與非門。
故只能填 或門 。
評(píng)論
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