的內部結構，可以在內部工作原理中引導和直流電，以調節它們并將它們帶到需要的地方。晶體管就是其中之一。8050型晶體管是一種非常特殊的器件，被歸類為負-正-負（NPN）外延放大器晶體管，最常見于無線電
2023-02-16 18:22:30
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展?！?、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極
管，mos
管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點?。。?/div>
2016-06-07 23:27:44
？5. 連續脈沖？單脈沖？6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下？功率計算的積分公式使晶體管工作會產生電氣負載和熱負載。對晶體管來講，負載太大壽命會縮短，最壞的情況下會導致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
及制造工藝分類 晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
統通過VCCS輸入，取平均等技術獲得較理想的測試結果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數、開啟電壓等參數以及二極管一些參數的測定，并能測試比較溫度對這些參數的影響。系統具有通用的RS232 接口和打印機接口，可以方便的將結果打印、顯示。關鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數
2012-08-02 23:57:09
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率
2019-03-06 17:29:48
，發射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設計7年了，發覺這兩本書挺好的，發上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
的設計，運算放大電路的設計與制作。下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。本書面向實際需要，理論聯系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識。1．1 學習晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
等同hFE，甚至相差很大，所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結構和工藝等有關外，還與管子的工作電流（直流偏置）有關，工作電流IC在正常情況下改變時，β和hFE也會有所變化；若工作電流變得過小或
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”，不過根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關有很多優點，主要是；(1)容易關斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數等參數及外地人形尺寸等是否符合應用電路的要求。 2．末級視放輸出管的選用彩色電視機中使用的末級視放輸出管，應選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區（發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
電子，雷達和微波應用生產全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時，該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時，該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管，專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統而設計。 當在VCC = 50V的模式S脈沖突發條件下以C類模式運行時，此通用基本設備可提供
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達系統設計的大功率脈沖晶體管，該系統工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時，該通用基礎設備在100μs脈沖寬度和10％占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管，專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統而設計。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20％的占空比工作，在瞬時工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！?b class="flag-6" style="color: red">功率元器件的基本結構與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！?b class="flag-6" style="color: red">功率元器件的基本結構與特點
2019-03-27 06:20:04
，可提供至少250 W的峰值輸出功率，通常具有> 24 dB的增益和75％的效率。它通過50 V電源電壓工作。 為了獲得最佳的熱效率，該晶體管封裝在帶有環氧密封陶瓷蓋的金屬基封裝中。特征
2021-04-01 10:35:32
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
產生的噪聲更少。它比其他晶體管小，可以像其他晶體管一樣用于集成電路。X. 如何識別PNP晶體管PNP晶體管通常通過其結構來識別。在比較NPN和PNP晶體管的結構時，我們看到了各種差異。識別PNP晶體管
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
繼前篇內容，繼續進行各功率晶體管的比較。本篇比較結構和特征。功率晶體管的結構與特征比較下圖是各功率晶體管的結構、耐壓、導通電阻、開關速度的比較。使用的工藝技術不同結構也不同，因而電氣特征也不同。補充
2018-11-30 11:35:30
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計》(上)面向實際需要，理論聯系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識
2017-07-25 15:29:55
`內容簡介《射頻微波功率場效應管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構造，介紹了高功率場效應管的集約模型的構成；描述了功率管一般電氣參數的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭
2018-01-15 17:57:06
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管?！芳夹g根據其結構和制造工藝，晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管?！?當前容量根據目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調節器、電機控制器和顯示驅動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
本文探討了鰭式場效應晶體管的結構、它們在各種應用中的用途，以及它們相對于 MOSFET 的優缺點?！ ∈裁词泅捠綀鲂?b class="flag-6" style="color: red">晶體管？ 鰭式場效應晶體管是一種晶體管。作為晶體管，它是一個放大器和一個
2023-02-24 15:25:29
電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計(下)》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術
2017-06-22 18:05:03
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
單結晶體管有一個PN結和三個電極，一個發射極和兩個基極，所以又稱雙基極二極管。其結構、等效電路及電路符號如下圖所示。a、單結晶體管的結構；b、等效電路；c、電路符號它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
應用，大家都眾說紛紜，誰也無法準確全面的講出，想了解的看完下文，相信你會有所體會。 1、場效應晶體管低壓應用：當使用5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導致
2019-04-16 11:22:48
音頻放大器的差分輸入電路及調制、較大、阻抗變換、穩流、限流、自動保護等電路，可選用結型場效應晶體管。音頻功率放大、開關電源、逆變器、電源轉換器、鎮流器、充電器、電動機驅動、繼電器驅動等電路，可選用功率
2021-05-13 07:10:20
`場效應管與晶體管的比較（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管
2017-05-06 15:56:51
場效應管與晶體管的比較（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2
2018-11-05 17:16:04
場效應管與晶體管的比較（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2
2009-04-25 15:43:51
最高振蕩頻率是指晶體管的功率增益降為1時所對應的頻率。通常，高頻晶體管的最高振蕩頻率低于共基極截止頻率fα，而特征頻率fT則高于共基極截止頻率fα、低于共集電極截止頻率fβ。（四）集電極最大電流ICM
2012-07-11 11:36:52
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
率根據區域不同而不同。1-1. 熱限制區域在該區域，SOA線具有45o 的傾斜度（功率固定線）。在該區域，下降率是0.8%/oC。1-2. 2次下降區域晶體管存在熱失控引起的2次下降區域。在2次下降
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式。■數字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區別GI和hFE的區別VI(on)和VI(off)的區別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
一個級聯，功率器件是JFET，級聯中的下部晶體管是MOSFET。級聯碼的內部節點不可訪問，與IGBT相同。因此，只能影響打開，而不能影響關閉！可以快速關閉柵極處的MOSFET，但器件的關斷方式不會
2023-02-20 16:40:52
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半橋LLC諧振轉換器的拓撲結構。在較高頻率下，無源諧振電路（例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器）的尺寸明顯減小，從而提高了功率密度。此外，還需要考慮功率晶體管（Q1和Q2）的選擇，以權衡
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
器件擁有超高頻率，并由于橫向結構的模具，EPC7019輻射硬功率晶體管器件具有超低柵電荷。EPC 公司首席執行官兼聯合創始人亞歷克斯 · 利多在評論該產品時指出，基于 GaN 的晶體管為設計人員提供了
2022-06-15 11:43:25
電子產品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多
2016-01-26 16:52:08
2000一5000（α＝0.995-0.9998）?！ ∈且訮型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結隔離槽的集成電路才能制作這種結構的管子。由于這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
MOSFET 低得多的“通態”電阻 RON。這意味著對于給定的開關電流，跨雙極輸出結構的 I2R 下降要低得多。IGBT 晶體管的正向阻斷操作與功率 MOSFET 相同。當用作靜態控制開關時，絕緣柵極雙
2022-04-29 10:55:25
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
時鐘多米諾邏輯是晶體管級的結構，請問其結構如何，有何作用？如何理解比較好。
2019-07-25 05:56:04
。還是回到這篇文章的主題，晶體管的使用心得。由于本人所從事行業的限制，基本沒有機會像《晶體管電路設計》書中那樣深入的使用晶體管來搭建電路，而更多的是使用晶體管來實現功率負載的控制，還有配合運放或者其它
2016-06-03 18:29:59
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
電力晶體管工作原理和結構
電力晶體管的結構
電力晶體管(Giant Transistor)簡稱GTR，結構和工作原理都和小功率晶體管非常
2009-11-05 12:02:42
1960 本文將介紹雙極型晶體管的基本結構。雙極晶體管是雙極型結型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現代電力電子變換器中大多已經被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現代功率器件的結構。
2018-03-05 16:12:1422941 
近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位：首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:00538 
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