下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19
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恢復(fù)二極管兩種：采用先進(jìn)的擴鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
SBD。這就是SiC-SBD的一大優(yōu)點。下面是反向恢復(fù)特性的溫度依賴性和電流依賴性相關(guān)數(shù)據(jù)。上段的波形圖和圖表表示不同溫度的不同反向恢復(fù)特性。Si-FRD的溫度上升時載流子濃度也隨之上升，因此需要相應(yīng)
2018-11-29 14:34:32
范圍基本相同，可用于相同應(yīng)用。SiC-SBD是新的元器件，換個說法可以說，現(xiàn)有Si-PND/FRD覆蓋的范圍基本上都可以用SiC-SBD替換。尤其是高速性很重要的應(yīng)用等，在Si-FRD和SiC-SBD
2018-11-30 11:52:08
。在這里就SiC-SBD的可靠性試驗進(jìn)行說明。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數(shù)據(jù)。首先請看一下具體的項目和條件。對于進(jìn)行過半導(dǎo)體的可靠性探討和實際評估的人來說，這些標(biāo)準(zhǔn)和條件應(yīng)該都是司空見慣
2018-11-30 11:50:49
時間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動在包括車載
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時實現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-03-14 06:20:14
的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-04-22 06:20:22
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
的高耐壓范圍，那是與FRD一比高下的范圍，但其恢復(fù)特性遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于FRD是嗎？是的。下面是SiC-SBD和Si-FRD開關(guān)時的恢復(fù)特性比較。以及兩者的溫度依賴性比較。首先，一目了然的是SiC-SBD的恢復(fù)
2018-12-03 15:12:02
可靠性試驗分類方法及試驗標(biāo)準(zhǔn) 1.如可靠性測試以環(huán)境條件來劃分,可分為包括各種應(yīng)力條件下的模擬試驗和現(xiàn)場試驗;2.可靠性試驗以試驗項目劃分，可分為環(huán)境試驗、壽命試驗、加速試驗和各種特殊試驗;3.
2017-01-20 09:59:00
和電子輔料等可靠性應(yīng)用場景方面具有專業(yè)的檢測、分析和試驗能力，可為各研究院所、高校、企業(yè)提供產(chǎn)品的可靠性檢測、失效分析、老化測試等一體化服務(wù)。本中心目前擁有各類可靠性檢測分析儀器，其中包括
2018-06-04 16:13:50
設(shè)計(使用冗余技術(shù))，使用故障診斷技術(shù)等。可靠性主要包括電路可靠性及元器件的選型有必要時用一定儀器檢測。可靠性試驗是對產(chǎn)品進(jìn)行可靠性調(diào)查、分析和評價的一種手段。試驗結(jié)果為故障分析、研究采取的糾正措施
2015-08-04 11:04:27
電路器件與系統(tǒng)的可靠性預(yù)計和分配評估 第二章 電子產(chǎn)品可靠性試驗技術(shù)1、概述：環(huán)境試驗的發(fā)展、環(huán)境試驗的目的和應(yīng)用范圍、環(huán)境試驗和可靠性試驗2、環(huán)境試驗的基礎(chǔ)知識和術(shù)語3、環(huán)境試驗標(biāo)準(zhǔn)
2010-08-27 08:25:03
HALT & HASS是由美國軍方所延伸出的設(shè)計質(zhì)量驗證與制造質(zhì)量驗證的試驗方法，現(xiàn)已成為美國電子業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品驗證方法。它將原需花費6個月甚至1年的新產(chǎn)品可靠性試驗縮短至一周，且在這
2015-08-04 17:38:43
不是敘述技術(shù)工作本身。可靠性技術(shù)管理工作包括可靠性工作計劃管理、可靠性標(biāo)準(zhǔn)化管理、可靠性設(shè)計管理、生產(chǎn)過程的可靠性管理、可靠性試驗管理、失效分析管理、可靠性信息管理、可靠性教育管理等。 
2009-05-24 16:49:57
可靠性是我們在開展電子產(chǎn)品設(shè)計過程中常常繞不開的問題。例如，客戶需要我們提供相關(guān)的可靠性預(yù)計報告，客戶需要我們的產(chǎn)品提供相應(yīng)的可靠性試驗報告，或者企業(yè)內(nèi)部需要控制產(chǎn)品質(zhì)量，制定了一系列的可靠性工作
2017-12-08 10:47:19
當(dāng)組件上板后進(jìn)行一系列的可靠性驗證，可靠性驗證過程中產(chǎn)品失效時，透過板階整合失效分析能快速將失效接口找出，宜特協(xié)助客戶厘清真因后能快速改版重新驗證來達(dá)到產(chǎn)品通過驗證并如期上市。 透過板階整合失效分析
2018-08-28 16:32:38
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）似乎沒把應(yīng)用條件納入到開關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
、15min關(guān)的循環(huán)測試到壽命終了，對LED產(chǎn)品的測量顯然不現(xiàn)實。因此有必要對LED產(chǎn)品采用加速老化壽命試驗[1]，同時，也應(yīng)當(dāng)測試LED的熱學(xué)特性、環(huán)境耐候性、電磁兼容抗擾度等與壽命和可靠性密切相關(guān)
2015-08-04 17:42:14
可靠性是另一關(guān)注的重點。目前，環(huán)球儀器SMT工藝實驗室正在進(jìn)行的另一個項目就是堆疊裝配可靠性研究。從目前采用跌落測試的研究結(jié)果來看，失效主要發(fā)生在兩層元件之間的連接。位置主要集中在元件角落處
2018-09-06 16:24:30
strcpy()函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)該如何去實現(xiàn)呢？TCP協(xié)議如何保證可靠性呢？
2021-12-24 06:10:04
費舍爾科技有限公司，專注與環(huán)境與可靠性試驗設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品有：鹽霧試驗箱、高低溫（交變）濕熱試驗箱、冷熱沖擊試驗箱、紫外光耐氣候試驗箱、氙燈耐氣候試驗箱、臭氧老化試驗箱、熱老化試驗
2008-09-22 16:46:32
知道這些基本元器件、部件的可靠性和由其構(gòu)成的系統(tǒng)的可靠性的關(guān)系。 描述基本元器件、部件的可靠性的基本數(shù)據(jù)可由生產(chǎn)廠家提供、或通過試驗獲得、或通過實際觀察的統(tǒng)計數(shù)據(jù)或經(jīng)驗得到。基本元器件、部件的可靠性
2016-09-03 15:47:58
、軍事、電子等軍工工業(yè)，隨后逐漸擴展到民用工業(yè)。60年代，隨著航空航天工業(yè)的迅速發(fā)展，可靠性設(shè)計和試驗方法被接受和應(yīng)用于航空電子系統(tǒng)中，可靠性工程得到迅速發(fā)展！1965年，美國頒發(fā)了《系統(tǒng)與設(shè)備
2020-07-03 11:09:11
/DC電源中。主機電源應(yīng)用環(huán)境惡劣，對電源效率、可靠性等參數(shù)要求較高，因此，選用750W的主機電源對SiC SBD和Si FRD進(jìn)行對比測試。
如下圖所示，其中CR Micro（SiC SBD）是華潤微
2023-10-07 10:12:26
1952年3月便提出了具有深遠(yuǎn)影響的建議；研究成果首先應(yīng)用于航天、軍事、電子等軍工工業(yè)，隨后逐漸擴展到民用工業(yè)。60年代，隨著航空航天工業(yè)的迅速發(fā)展，可靠性設(shè)計和試驗方法被接受和應(yīng)用于航空電子系統(tǒng)中
2020-07-03 11:18:02
基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、國家標(biāo)準(zhǔn)的可靠性測試方法企業(yè)設(shè)計的可靠性測試方法
2021-03-08 07:55:20
和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優(yōu)異的高速性且實現(xiàn)了高耐壓。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場強，故ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)1200V的產(chǎn)品，同時在推進(jìn)
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復(fù)二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
`可靠性試驗是為了解、分析、提高、評價產(chǎn)品的可靠性而進(jìn)行的工作的總稱。依據(jù)GJB450A《裝備可靠性工作通用要求》分類，可靠性試驗可以分為環(huán)境應(yīng)力篩選、可靠性研制試驗、可靠性增長試驗、可靠性鑒定試驗
2019-07-23 18:29:15
，開關(guān)損耗降低了24%符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101在降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗方面具有非常高的性價比ROHM官網(wǎng)免費提供應(yīng)用指南和SPICE模型等豐富的設(shè)計數(shù)據(jù)TO-247N封裝（TO-263L表貼型
2022-07-27 10:27:04
單片機應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計包括功能性設(shè)計、可靠性設(shè)計和產(chǎn)品化設(shè)計。其中，功能性是基礎(chǔ)，可靠性是保障，產(chǎn)品化是前途。因此，從事單片機應(yīng)用系統(tǒng)開發(fā)工作的設(shè)計人員必須掌握可靠性設(shè)計。 一、可靠性與可靠性設(shè)計1．
2021-01-11 09:34:49
可靠性設(shè)計是單片機應(yīng)甩系統(tǒng)設(shè)計必不可少的設(shè)計內(nèi)容。本文從現(xiàn)代電子系統(tǒng)的可靠性出發(fā)，詳細(xì)論述了單片機應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性特點。提出了芯片選擇、電源設(shè)計、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復(fù)等集合硬件系統(tǒng)
2021-02-05 07:57:48
包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當(dāng)前的SiC-SBD?反向恢復(fù)時間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮
2018-12-04 10:26:52
為了FPGA保證設(shè)計可靠性, 需要重點關(guān)注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計包括使用容錯設(shè)計方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
`請問如何提高PCB設(shè)計焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
PMU的原理是什么？如何提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的實時性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
、生程過程、生產(chǎn)工藝、選用的材料、質(zhì)量控制及其是否正確應(yīng)用有關(guān)，在這諸多因素中，當(dāng)推結(jié)構(gòu)設(shè)計是首要的。它在產(chǎn)品的固有可靠性中起決定性作用。因此，在研制設(shè)計的每一階段，或在可靠性增長試驗中，都應(yīng)特別注意
2019-07-10 08:04:30
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
。因此，硬件可靠性設(shè)計在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計，更要考慮整個控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計。
2021-01-25 07:13:16
－進(jìn)入主題之前請您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容，下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品
2018-12-03 15:11:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-05-07 06:21:51
淺談HALT試驗在可靠性設(shè)計中的應(yīng)用 錢惠龍***江蘇安科瑞電器制造有限公司 江蘇 江陰 214405摘要：本文主要介紹HALT（高加速壽命篩選試驗）在可靠性設(shè)計中的應(yīng)用，以安科瑞電氣股份有限公司
2016-01-18 10:42:33
淺談手機環(huán)境可靠性試驗 本文關(guān)鍵字: 手機 環(huán)境可靠性 本文簡要介紹了手機環(huán)境可靠性試驗的目的、內(nèi)容，在試驗中容易出現(xiàn)的故障，指出了目前在手機環(huán)境可靠性測試中存在的問題。1 引言 隨著社會
2009-11-13 22:31:55
深圳市華耀檢測技術(shù)服務(wù)有限公司環(huán)境試驗與可靠性試驗雖然關(guān)系緊密，但它們在試驗目的，所用環(huán)境應(yīng)力數(shù)量，環(huán)境力量值選用準(zhǔn)則，試驗類型，試驗時間，試驗終止判據(jù)方面存在截然的不同之處。試驗目的：環(huán)境試驗考察
2022-01-13 14:03:37
為了評價分析電子產(chǎn)品可靠性而進(jìn)行的試驗稱為可靠性試驗。試驗目的通常有如下幾方面：1. 在研制階段用以暴露試制產(chǎn)品各方面的缺陷，評價產(chǎn)品可靠性達(dá)到預(yù)定指標(biāo)的情況；2. 生產(chǎn)階段為監(jiān)控生產(chǎn)過程提供信息
2015-08-04 17:34:26
電子產(chǎn)品的可靠性試驗，不看肯定后悔
2021-05-12 06:11:07
使用過程中可靠性有保障， 筆者通過對硅壓阻式壓力傳感器進(jìn)行可靠性強化實驗， 對其進(jìn)行定性的分析，提出相關(guān)改進(jìn)措施。 1 可靠性強化試驗裝置 強化試驗必須滿足假設(shè)： 受試品在短時間、高應(yīng)力作用下表現(xiàn)得
2018-11-05 15:37:57
迅速、真正提高的目的。因此，在同等期限內(nèi)，應(yīng)用這項技術(shù)所獲得的可靠性要比傳統(tǒng)方法高得多，更為重要的是在短時間內(nèi)就可以獲得早期的高可靠性，而且不像傳統(tǒng)方法那樣，需要進(jìn)行長時間的可靠性增長，因此也就大大
2019-11-08 07:38:43
我想問一下高速電路設(shè)計，是不是只要做好電源完整性分析和信號完整性分析，就可以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定了。要想達(dá)到高的可靠性，要做好哪些工作啊？在網(wǎng)上找了好久，也沒有找到關(guān)于硬件可靠性的書籍。有經(jīng)驗的望給點提示。
2015-10-23 14:47:17
評估，以改善動態(tài)特性和可靠性，并開發(fā)有助于實現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18
電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動。SiC-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優(yōu)異的高速性且實現(xiàn)了高耐壓
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
剛剛接觸PCBA可靠性，感覺和IC可靠性差異蠻大，也沒有找到相應(yīng)的測試標(biāo)準(zhǔn)。請問大佬們在做PCBA可靠性時是怎么做的，測試條件是根據(jù)什么設(shè)定？
2023-02-15 10:21:14
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓)較低。溝道型SBD的導(dǎo)通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管（SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-18 10:03:211549 1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速
2023-02-07 16:46:27501 二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-08 13:43:18378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業(yè)績還遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認(rèn)識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18364 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
－進(jìn)入主題之前請您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容，下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-22 09:18:59140 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實際上供應(yīng)的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:11586 
來源：國星光電官微 近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。這標(biāo)志著國星光電第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。這標(biāo)志著國星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品
2023-03-20 19:16:30550 國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達(dá)1000小時的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應(yīng)復(fù)雜多變的車載應(yīng)用環(huán)境，具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。
2023-03-22 10:56:52537 SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
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