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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>請(qǐng)問晶體管為什么可以放大電流呢?

請(qǐng)問晶體管為什么可以放大電流呢?

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8050晶體管介紹 8050晶體管的工作原理

的情況下,晶體管關(guān)閉。當(dāng)向基極端子施加正確幅度和極性的電壓時(shí),晶體管接通,允許更大的電流在發(fā)射極和集電極端子之間流動(dòng)。  控制晶體管開關(guān)狀態(tài)所需的電壓通常非常小。因此,晶體管可以用作放大器?;鶚O-發(fā)射極電路
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晶體管放大倍數(shù)

在PROTUES中如何改變晶體管放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
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晶體管放大器設(shè)計(jì)

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2009-03-20 10:02:58

晶體管放大電路的3種連接方式

共基極電路中,基極為輸入、輸出回路的交流公共端。(3) 在共集電極電路中,集電極為輸入、輸出回路的交流公共端。既然晶體管放大電路有3種連接方式,為什么共發(fā)射極電路是常用的?簡(jiǎn)單地說,共發(fā)射電路電壓和電流
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晶體管ON時(shí)的逆向電流

關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
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晶體管Ⅴbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么?

晶體管并聯(lián)時(shí),當(dāng)需要非常大的電流時(shí),可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象,有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21

晶體管低頻放大器相關(guān)資料推薦

可以忽略不計(jì),通常用hie和hre兩個(gè)參數(shù)模擬低頻晶體管電路即可,這叫做簡(jiǎn)化后的h參數(shù)等效電路,如圖7-1-3所示,圖中的rbe、β即上述的hie、hfe.電流放大系數(shù)β(或hfe)可以從輸出特性曲線中
2021-06-02 06:14:09

晶體管低頻電壓放大電路

;nbsp;  利用電流控制器件晶體三極管組成的電壓放大電路來實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓信號(hào)的有效控制和放大。同時(shí)加入反饋措施可以有效改善電路性能。
2009-09-08 08:54:00

晶體管分類及參數(shù)

及制造工藝分類  晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管?! “?b class="flag-6" style="color: red">電流容量分類  晶體管電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類  晶體管
2010-08-12 13:59:33

晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告

統(tǒng)通過VCCS輸入,取平均等技術(shù)獲得較理想的測(cè)試結(jié)果。目前能夠完成三極輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開啟電壓等參數(shù)以及二極一些參數(shù)的測(cè)定,并能測(cè)試比較溫度對(duì)這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口,可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09

晶體管和FET實(shí)用設(shè)計(jì)教材《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》

器、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48

晶體管和場(chǎng)效應(yīng)的本質(zhì)問題理解

晶體管也就是俗稱三極,其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器,通過基射極電流控制集射極電流。 1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí),此時(shí)晶體管基本沒有對(duì)基射極電流放大作用,此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài) 2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45

晶體管開關(guān)電路簡(jiǎn)介

一、晶體管開關(guān)電路:是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路,此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí),由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31

晶體管電流傳感器的識(shí)別

  晶體管電流傳感器內(nèi)部設(shè)有檢測(cè)電流用電阻。使負(fù)荷電流通過該電阻,并利用運(yùn)算放大器(OP比較電路)將其電壓降值與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,當(dāng)電流檢測(cè)電阻上的電壓降低于基準(zhǔn)電壓時(shí),比較器的輸出電流點(diǎn)亮報(bào)警
2018-10-31 17:13:28

晶體管性能的檢測(cè)

時(shí),先將hFE/ICEO選擇開關(guān)置于ICEO檔,選擇晶體管的極性,將被測(cè)晶體管的三個(gè)引腳插個(gè)測(cè)試孔,然后按下ICEO鍵,從表中讀出反向擊穿電流值即可。2.放大能力的檢測(cè) 晶體管放大能力可以用萬用表
2012-04-26 17:06:32

晶體管電路設(shè)計(jì)

從事電子設(shè)計(jì)7年了,發(fā)覺這兩本書挺好的,發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)(上)放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)(下)FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31

晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊(cè)

晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊(cè)晶體管電路設(shè)計(jì)(pdf電子書下載):是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)。本書作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2009-11-20 09:41:18

晶體管電路設(shè)計(jì)時(shí)的問題

請(qǐng)問各位***友:晶體管的輸入信號(hào)不是微弱的電信號(hào)嗎?而常見的資料用輸入信號(hào)的頻率。問題就在這微弱的電信號(hào)與頻率有什么關(guān)系?像六超外差收音機(jī)接受的電磁波我還能理解,放大其他的我就弄不懂了。。。。希望各位不吝賜教。。。。
2012-11-12 22:34:51

晶體管電流放大原理該怎么解釋?

晶體管電流放大原理 該怎么解釋?
2017-03-12 20:30:29

晶體管的h參數(shù)資料分享

無量綱的比例系數(shù)。hfe稱為輸出端交流短路時(shí)的電流放大系數(shù),簡(jiǎn)稱電流放大系數(shù)。它反映基極電流IB對(duì)集電極電流IC的控制能力,即晶體管電流放大能力,是一個(gè)無量綱的數(shù),習(xí)慣上用β表示。 hoe稱為輸入端
2021-05-13 07:56:25

晶體管的主要參數(shù)

(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù),表示晶體管對(duì)交流(變化)信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比,即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21

晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?

晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09

晶體管的代表形狀

晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴(正極性)和電子(負(fù)極性)產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱,是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24

晶體管的分類與特征

-發(fā)射極間流過電流。如前面的特征匯總表中所示,關(guān)于驅(qū)動(dòng),需要根據(jù)與放大系數(shù)、集電極電流之間的關(guān)系來調(diào)整基極電流等。與MOSFET顯著不同的是,用于放大或?qū)?關(guān)斷的偏置電流會(huì)流經(jīng)晶體管(基極)。另外
2018-11-28 14:29:28

晶體管的分類與特征

不同的是,用于放大或?qū)?關(guān)斷的偏置電流會(huì)流經(jīng)晶體管(基極)。 另外,MOSFET中有稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù),尤其是處理大功率時(shí)是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導(dǎo)通電阻”這個(gè)參數(shù)。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33

晶體管的發(fā)展歷程概述

是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào),使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形,只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況,但是
2019-07-23 00:07:18

晶體管的微變等效電路相關(guān)資料分享

得到了晶體管的h參數(shù)后,就可以畫出晶體管的線性等效電路,圖Z0214是晶體管的h參數(shù)等效電路。 關(guān)于h參數(shù)等效電路,應(yīng)注意以下幾點(diǎn): (1)電壓的參考極性為上正下負(fù),電流的參考正方向是流入為正
2021-05-25 07:25:25

晶體管的由來

是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào),使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形,只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況,但是
2019-05-05 00:52:40

晶體管的結(jié)構(gòu)特性

之間)和發(fā)射結(jié)(B、E極之間),發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同,晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號(hào)上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭(代表集電極電流的方向)不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32

晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)

放大電路中使用的達(dá)林頓可以選用不帶保護(hù)電路的中、小功率普通達(dá)林頓晶體管。而音頻功率輸出、電源調(diào)整等電路中使用的達(dá)林頓,可選用大功率、大電流型普通達(dá)林頓晶體管或帶保護(hù)電路的大功率達(dá)林頓晶體管
2012-01-28 11:27:38

晶體管的飽和狀態(tài)和飽和壓降

和集電極電位的關(guān)系中,可以非常方便地對(duì)晶體管的工作狀態(tài)作出判斷。對(duì)處于共發(fā)射極放大的NPN型晶體管而言,集電極電位>基極電位>發(fā)射極電位時(shí),晶體管工作于放大狀態(tài)。隨著基極注入電流的增大,流出
2012-02-13 01:14:04

晶體管相關(guān)資料下載

分為硅和鍺兩類。 晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于基區(qū)摻雜濃度,并且基區(qū)很薄,集電結(jié)的面積比發(fā)射結(jié)面積大。這是晶體管具有放大能力的內(nèi)部條件。 2. 電流分配與放大作用 體具有放大能力
2021-05-13 06:43:22

晶體管簡(jiǎn)介

關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
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NPN型和PNP型晶體管的工作狀態(tài)解析

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SGNE045MK晶體管

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主要參數(shù)  晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數(shù)  電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù),用來表示晶體管放大能力。  耗散功率也稱集電極
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《OP放大器與晶體管放大電路設(shè)計(jì)》實(shí)驗(yàn)板視頻解說

們的李老師通過對(duì)這本書的學(xué)習(xí)和研究,運(yùn)用自己的經(jīng)驗(yàn)和學(xué)識(shí)打造出了與本書配套的實(shí)驗(yàn)板,正好可以供大家學(xué)習(xí)、實(shí)踐、研究。所以此次眾籌《OP放大器與晶體管放大電路設(shè)計(jì)》實(shí)驗(yàn)板的項(xiàng)目剛好可以方便每一位對(duì)OP
2016-08-19 14:28:29

【下載】《晶體管電路設(shè)計(jì)》——晶體管電路基礎(chǔ)知識(shí)匯總

`內(nèi)容簡(jiǎn)介:《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)?!?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
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2023-02-03 09:36:05

什么是PNP和NPN晶體管?PNP和NPN有什么區(qū)別?

PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結(jié)型晶體管 (BJT)。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項(xiàng)。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關(guān)。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59

什么是光電晶體管以及其應(yīng)用

兩種比光敏二極產(chǎn)生更高輸出電流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶體管和光敏集成電路。后一個(gè)術(shù)語指的是基本上是一個(gè)光電二極放大器集成到同一封裝。什么是光電晶體管?光電二極可以產(chǎn)生光電流,因?yàn)樗慕Y(jié)
2022-04-21 18:05:28

什么是達(dá)林頓晶體管?

  達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管,連接在一起,從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果,輸入晶體管放大電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11

什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管?鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?

,拐角處的電場(chǎng)總是被放大。這可以通過在角落使用硝酸鹽層來最小化?! ≈圃斐杀靖摺 ■捠綀?chǎng)效應(yīng)晶體管演進(jìn)  現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是CMOS晶體管。在過去的17年中,CMOS技術(shù)在制造和建筑中使用的材料方面
2023-02-24 15:25:29

使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流

輸入一起用來測(cè)量集電極電流。圖2.NMOS零增益放大器面包板電路程序步驟零增益放大器可用于創(chuàng)建穩(wěn)定的電流源。現(xiàn)在,當(dāng)W1所表示的輸入電源電壓變化時(shí),晶體管Q1的集電極所看到的電壓更為穩(wěn)定,因此可以將其
2021-11-01 09:53:18

入門經(jīng)典:晶體管電路設(shè)計(jì)上下冊(cè)讓你感性認(rèn)識(shí)晶體管

的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路
2017-06-22 18:05:03

關(guān)于晶體管及其功能和特性的常見問題

1.什么是晶體管,它是如何工作的?晶體管是一種微型電子元件,可以完成兩種不同的工作。它可以用作放大器或開關(guān):流過晶體管一部分的微小電流可以使更大的電流流過晶體管的另一部分。換句話說,小電流打開較大
2023-02-03 09:32:55

關(guān)于PNP晶體管的常見問題

PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56

單結(jié)晶體管仿真

各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06

在特殊類型晶體管的時(shí)候如何分析?

管子多用于集成放大電路中的電流源電路。 請(qǐng)問對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析?按照我的理解,在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí),如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及作用

。場(chǎng)效應(yīng)的工作方式有兩種:當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型;當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。場(chǎng)效應(yīng)晶體管作用是什么1、場(chǎng)效應(yīng)可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)
2019-05-08 09:26:37

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)分享

、漏極電流等參數(shù)。選用音頻功率放大器推挽輸出用VMOS大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí),要求兩的各項(xiàng)參數(shù)要一致(配對(duì)),要有一定的功率余量。所選大功率的最大耗散功率應(yīng)為放大器輸出功率的0.5~1倍,漏源擊穿電壓應(yīng)為功放工作電壓的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較

`場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較(1)場(chǎng)效應(yīng)是電壓控制元件,而晶體管電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng);而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管
2017-05-06 15:56:51

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較(1)場(chǎng)效應(yīng)是電壓控制元件,而晶體管電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng);而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(2
2009-04-25 15:43:51

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較

)場(chǎng)效應(yīng)是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(4)場(chǎng)效應(yīng)能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)
2018-11-05 17:16:04

場(chǎng)效應(yīng)是一種什么元件而晶體管是什么元件

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 編輯 場(chǎng)效應(yīng)是一種放大器件元件,而晶體管是場(chǎng)效應(yīng)元件它是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的,它是電壓控制器件,它不吸收信號(hào)源電流
2012-07-11 11:36:52

基于DAC、運(yùn)算放大器和MOSFET晶體管構(gòu)建多功能高精度可編程電流

電路功能與優(yōu)勢(shì)數(shù)字控制電流源在許多應(yīng)用中至關(guān)重要,如電源管理、電磁閥控制、電機(jī)控制、阻抗測(cè)量、傳感器激勵(lì)和脈搏血氧儀等。本文介紹三種利用 DAC、運(yùn)算放大器和 MOSFET 晶體管構(gòu)建支持串行接口
2018-10-16 08:45:57

基本晶體管開關(guān)電路,使用晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)

)需要幾毫安才能上電,并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而,螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?! ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域  圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09

如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT

IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)?如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT?
2021-11-02 06:01:06

如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的電磁兼容設(shè)計(jì)

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)有哪些應(yīng)用?如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的電磁兼容設(shè)計(jì)
2022-01-14 07:02:41

如何才能正確判斷二極晶體管的質(zhì)量

轉(zhuǎn)電阻為零,則表示短路。  2. 晶體晶體管測(cè)試方法  ● 測(cè)試放大能力  晶體晶體管主要用于放大,那么我們?nèi)绾闻袛嗨?b class="flag-6" style="color: red">放大能力?  首先,將萬用表的齒輪設(shè)置為 R × 100 或 R ×1K。當(dāng)我
2023-02-14 18:04:16

如何改善晶體管的損耗

。當(dāng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓突變?yōu)?時(shí),還是因?yàn)殡娙蓦妷翰荒芡蛔?,CB兩端的電壓加到VT1的發(fā)射結(jié)上,可以形成很大的反向基極抽取電流,使VT1迅速關(guān)閉并進(jìn)入問題?!   〖铀匐娐范 ≡诩铀匐娐范?,高速
2020-11-26 17:28:49

如何設(shè)置晶體管的Q點(diǎn)偏置?看看這篇文章就知道了

晶體管的穩(wěn)態(tài)操作在很大程度上取決于其基極電流,集電極電壓和集電極電流值,因此,如果晶體管要正確地用作線性放大器,則必須在其工作點(diǎn)周圍適當(dāng)偏置。建立正確的工作點(diǎn)需要選擇偏置電阻器和負(fù)載電阻器,以提供
2020-11-12 09:18:21

如何選擇分立晶體管?

來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管
2023-11-24 08:16:54

實(shí)例講解,教你提高晶體管的開關(guān)速度

減小勢(shì)壘電容)和減小基極反向偏壓的大?。ㄒ允沟冒l(fā)射結(jié)能夠盡快能進(jìn)入正偏而開啟晶體管);而從晶體管使用來說,可以增大輸入基極電流脈沖的幅度,以加快對(duì)結(jié)電容的充電速度(但如果該基極電流太大,則將使晶體管
2019-09-22 08:00:00

教你巧用幾個(gè)設(shè)計(jì),輕松提高晶體管的開關(guān)速度

減小勢(shì)壘電容)和減小基極反向偏壓的大小(以使得發(fā)射結(jié)能夠盡快能進(jìn)入正偏而開啟晶體管);而從晶體管使用來說,可以增大輸入基極電流脈沖的幅度,以加快對(duì)結(jié)電容的充電速度(但如果該基極電流太大,則將使晶體管
2019-08-19 04:00:00

數(shù)字晶體管的原理

探討中此IO即為絕對(duì)最大額定值。GI和hFE的區(qū)別hFE: 作為晶體管的直流電流增幅率GI: 作為數(shù)字晶體管的直流電流增幅率解說GI和hFE都表示發(fā)射極接地直流電流放大率。數(shù)字晶體管是指普通晶體管上連接
2019-04-22 05:39:52

數(shù)字晶體管的原理

標(biāo)記為IO。因此電路設(shè)計(jì)探討中此IO即為絕對(duì)最大額定值。GI和hFE的區(qū)別hFE: 作為晶體管的直流電流增幅率GI: 作為數(shù)字晶體管的直流電流增幅率解說GI和hFE都表示發(fā)射極接地直流電流放大率。數(shù)字
2019-04-09 21:49:36

最常見的放大器(NPN晶體管)和公共發(fā)射極放大器電路

放大器設(shè)計(jì)中非常重要,因?yàn)樗⒘藴?zhǔn)備好接收信號(hào)的晶體管放大器的正確工作點(diǎn),從而減少了輸出信號(hào)的任何失真。我們還看到,可以在這些輸出特性曲線上繪制靜態(tài)或直流負(fù)載線,以顯示晶體管從完全“接通”到完全
2020-11-02 09:25:24

有什么方法可以提高晶體管的開關(guān)速度

流過晶體管的大部分基極電流通過D1被旁路掉了,這時(shí)候流過晶體管的基極電流非常小,所以可以認(rèn)為這時(shí)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)很接近截止?fàn)顟B(tài)。如下圖,上面的B點(diǎn)的波形,下面的是A點(diǎn)的波形,可以看出來,晶體管由導(dǎo)通到
2023-02-09 15:48:33

有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管

有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管?哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦!
2023-03-31 11:47:46

概述晶體管

晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴(正極性)和電子(負(fù)極性)產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱,是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好?

LLC的效率和損耗數(shù)據(jù)。對(duì)于500KHz,變壓器、電感器和SR晶體管等其他元件的損耗擊穿應(yīng)該相同,關(guān)鍵損耗差異來自初級(jí)側(cè)晶體管。雖然LLC轉(zhuǎn)換器可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通的ZVS,但隨著初級(jí)磁化電流的增強(qiáng),開關(guān)
2023-02-27 09:37:29

求解關(guān)于晶體管放大電路的知識(shí)

如何用晶體管搭建一個(gè)放大電路,要求輸入為1V,輸出至少放大一倍,這么大的輸入怎么做到不失真
2016-06-11 16:17:59

電子晶體管在結(jié)構(gòu)和應(yīng)用上的區(qū)別

電子產(chǎn)品中,近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代,但目前在一些高保真音響器材中,仍然使用電子作為音頻功率放大器件?! 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08

電子元件中場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶體三極管,誰能領(lǐng)袖群倫

件,二場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制器件。一、晶體三極管:用于電壓放大或者電路放大的控制器件。可以把基極和集電極的間的電壓Vbc放大到幾十到幾百倍以上,在發(fā)射集和集電極之間以Vce的方式輸出;還可以把基極電流
2019-03-27 11:36:30

縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別

2000一5000(α=0.995-0.9998)?! ∈且訮型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00

絕緣門/雙極性晶體管介紹與特性

的比值,使其成為一個(gè)跨導(dǎo)器件,IGBT 也是如此。然后我們可以把 IGBT 看作是由 MOSFET 提供基極電流的功率 BJT。絕緣柵雙極性晶體管可以用在小信號(hào)放大電路中,與 BJT 或 MOSFET
2022-04-29 10:55:25

資深工程師談晶體管使用心得:用晶體管來實(shí)現(xiàn)功率負(fù)載的控制

頻率特性變化的密勒效應(yīng),再比如基于晶體管的負(fù)反饋、差分放大電路的設(shè)計(jì)。這些內(nèi)容如果認(rèn)真的去看《晶體管電路設(shè)計(jì)》,同時(shí)結(jié)合李老師的電路板進(jìn)行實(shí)際的電路搭建和測(cè)試分析,相信每一個(gè)位用心的同學(xué)都會(huì)有或多或少的收獲
2016-06-03 18:29:59

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