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電子發燒友網>模擬技術>RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

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2022-11-08 14:45:16874

滿足AEC-Q101標準的SiC MOSFET又增10個型號,業界豐富的產品陣容!

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產品“支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101”,而且共有13款型號,擁有業界豐富的產品陣容。
2023-02-09 10:19:24564

1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器,開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性 – 中文(650 V GaN FET 技術可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

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2023-02-17 19:53:032

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性-nexperia_whitepaper_...

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2023-02-17 20:08:503

FGL40N120AN-ASEMI大功率IGBT

反向耐壓1200V 引腳數量:3 芯片個數:2 最大正向電流:240A 芯片大?。?包裝方式:管裝 產品類型:IBGT、大功率、高耐壓 種類:IGBT 操作溫度:-55°C~150°C 產品描述 AS
2023-02-23 15:37:570

國產SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規認證

2022年11月,上海瞻芯電子開發的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101),該產品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:332073

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51608

RJH1CM5DPQ-E0 數據表(1200V-15A-IGBT / Application: Inverter)

RJH1CM5DPQ-E0 數據表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590

什么是AEC-Q101認證?——華碧實驗室

AEC-Q101認證對象: 晶體管:BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:01737

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊

合作關系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938

功率器件AEC-Q101如何選擇測試項目?認證準備及流程有哪些?

AEC-Q101標準是用于分立半導體器件的,標準全稱:Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:082684

陸芯Gen2 IGBT產品通過AEC-Q101認證

盡管當前全球半導體產業處于下行周期,總體市場氛圍需求不振,但依然存在IGBT等少數供不應求的領域。消息稱,英飛凌、意法半導體國外大廠IGBT交期均在50周以上,產能緊張或將持續至2025年。而這
2023-06-19 15:35:08360

符合AEC-Q101認證的車規級瞬態抑制二極管的特性及應用

Semiware推出符合AEC-Q101認證的車規級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護產品系列齊全,以滿足高標準的客戶需求.
2021-12-08 11:41:13450

功率半導體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設計企業:上海陸芯獲得第三代IGBT車規級AEC-Q101認證

3月11日,國際獨立第三方檢測檢驗和認證機構德國萊茵TV(以下簡稱“TV萊茵”)向上海陸芯電子科技有限公司(以下簡稱“上海陸芯”)的第三代IGBT產品頒發了AEC-Q101認證證書。這是上海陸芯汽車
2022-06-21 09:18:39887

車規級AEC-Q認證技術的發展及標準的進化

AEC-Q100、AEC-Q101AEC-Q200這三個標準是最早制訂的、也最常被引用的AEC-Q標準。在AEC網站上的“文檔”頁面列出了37個標準和子標準,其中七個被列為“新New”或“初始版本Initial release”
2022-07-01 09:27:551390

AEC Q101中文版及內容解讀(正文部分)

是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過來是基于失效機制對汽車領域應用中分立半導體器件的認證測試AEC-Q101最新的版本是Rev_E,發布于2021年3月
2023-01-13 10:00:291128

AEC-Q101的認證對象和測試項目

USAEC-Q101認證的概念AEC-Q101:車用分立半導體元器件的基于失效機理的應力測試驗證。半導體分立器件被廣泛應用到消費電子、計算機及外設、網絡通信、汽車電子、LED顯示屏等領域,而汽車領域
2023-01-13 10:02:03503

瞻芯電子TO263-7封裝SiC MOSFET量產,助力高密高效功率變換

瞻芯電子正式量產了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV1Q12160D7Z),該產品通過了嚴格的車規級可靠性測試認證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:483175

車規芯片的AEC-Q100測試標準

AEC其實是Automotive Electronics Council汽車電子協會的簡稱,并且AECQ標準包括以下幾個領域,對于不同領域的電子器件,適用于不同的標準。目前見到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:166231

RJH1CM6DPQ-E0 數據表(1200V-20A-IGBT /Application: Inverter)

RJH1CM6DPQ-E0 數據表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350

RJH1CM5DPQ-E0 數據表(1200V-15A-IGBT / Application: Inverter)

RJH1CM5DPQ-E0 數據表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500

AEC-Q101 標準之TC解讀

AEC-Q101標準之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環測試意義在于證實極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時,機械應力對于器件焊接性能的作用,標準AEC-Q101
2023-08-30 08:27:50567

安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規全部測試

安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474

AEC-Q101功率循環測試 簡介

功率循環測試-簡介功率循環測試是一種功率半導體器件的可靠性測試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車規級測試標準內的必測項目。相對于溫度循環測試,功率循環通過在器件內運行的芯片發熱使器件
2023-09-10 08:27:59858

MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝

電子發燒友網站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規級認證

是車規元器件重要的認證標準之一。對于1200V耐壓器件,AEC-Q101在H3TRB(高溫高濕反偏試驗)考核標準中耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB(高壓高溫高
2023-10-24 15:52:32606

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規級認證

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10423

汽車級直插TVS管LDP系列,符合AEC-Q101標準

汽車級直插TVS管LDP系列特性:Glasspassivatedchip6000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform
2022-01-18 11:32:450

蓉矽半導體1200V SiC MOSFET通過車規級可靠性認證

蓉矽半導體近日宣布,其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力,也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228

蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證

蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核,同時通過了新能源行業頭部廠商的導入測試并量產交付。
2024-03-12 17:18:21205

SGS為安芯電子、安美半導體頒發了AEC-Q101認證證書

2024年3月22日, 國際公認的測試、檢測和認證機構SGS為安芯電子科技股份有限公司(以下簡稱“安芯電子”)及其子公司安徽安美半導體有限公司(以下簡稱“安美半導體”)頒發了AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:21:55373

SGS為華微電子頒發AEC-Q101認證證書

近日,國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS(以下簡稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱為“華微電子”)頒發AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:25:56358

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