Vishay推出3款新型單極雙擲(SPDT)和雙路的雙極雙擲(DPDT)CMOS低壓模擬開(kāi)關(guān)--- DG2735A、DG2725和DG2599
2011-06-30 09:02:17
790 Vishay宣布，推出四款小外形尺寸、高性能的MLCC器件--- VJ5301M868MXBSR、VJ5601M868MXBSR和VJ5301M915MXBSR、VJ5601M915MXBSR
2012-06-05 09:50:10748 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401440 Vishay 宣布，推出最新系列高壓厚膜片式電阻---CRHP系列，額定功率1.5 W，工作電壓高達(dá)3000 V，從1206到2512包括五種小外形尺寸。為提高設(shè)計(jì)靈活性，Vishay Techno CRHP系列電阻有各種樣式、電極材料、配置和定制尺寸。
2019-03-07 15:55:004627 Vishay推出新型VSMP0603超高精度Bulk Metal Z箔 (BMZF) 卷型表面貼裝電阻。該器件是率先采用 0603 芯片尺寸的產(chǎn)品，當(dāng)溫度范圍在 -55℃至
2008-09-26 13:42:57
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用導(dǎo)電膠合的新系列精密薄膜片式電阻。MC ATAU系列的外形尺寸為0402和0603，可在+ 155 ℃高溫下工
2014-08-08 14:15:16
了開(kāi)關(guān)損耗，促進(jìn)了白色家電和工業(yè)設(shè)備等電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和變頻器應(yīng)用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻和Qg（柵極總電荷量）并
2018-12-04 10:23:36
FDC6324L是一款集成負(fù)載開(kāi)關(guān) 是使用ON生產(chǎn)的半導(dǎo)體專有的高單元密度DMOS技術(shù)。這種非常高密度的工藝特別適合于將導(dǎo)通電阻降至最低，并提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能 這些設(shè)備特別適用于需要低導(dǎo)通損耗和簡(jiǎn)單
2021-11-27 12:14:08
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例”的其1和其2。本文將探討“開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響”。本次也采用同樣的方法展開(kāi)探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為和，同樣按兩個(gè)步驟來(lái)推導(dǎo)。開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:48:22
我想選擇一塊模擬開(kāi)關(guān)。用于Pt1000的溫度AD轉(zhuǎn)換，主要是為了節(jié)省恒流源溫度采集的電路。通過(guò)查找資料，大部分模擬開(kāi)關(guān)都有較大的導(dǎo)通電阻，而且隨溫度變換較大。希望找到一款多通道模擬電路開(kāi)，且隨溫度變化小的模擬開(kāi)關(guān)。或者，有其他的解決辦法嗎？
2014-03-25 19:03:21
程度。 2模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的主要技術(shù)指標(biāo)是什么？ 導(dǎo)通電阻（RDS（ON））對(duì)于視頻和音頻信號(hào)來(lái)說(shuō)都非常重要，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通電阻不僅會(huì)產(chǎn)生插入損耗，而且還會(huì)隨著信號(hào)電壓而變化，從而導(dǎo)致傳輸特性失真
2011-10-13 15:39:48
1 主要特點(diǎn)ADG731/ADG725是ADI公司推出的具有3線控制接口的32通道/雙16通道高性能單片模擬多路轉(zhuǎn)換器，其中ADG731具有32選1通道轉(zhuǎn)換功能；ADG725具有2組16選1通道轉(zhuǎn)換
2019-05-24 05:00:32
到3.6V之間。切換電流250mA，一流的功率路由性能和僅為0.9Ω的低導(dǎo)通電阻（Ron）。它可以與MAX4752互換。
2021-04-28 06:01:05
產(chǎn)品描述BCT4717是兩路，雙向單刀雙擲CMOS模擬開(kāi)關(guān)，工作電壓從1.8V到5.5V。高帶寬（300MHz）， 低導(dǎo)通電阻（4ΩTyp），目標(biāo)應(yīng)用在音頻信號(hào)的切換。BCT4717的特性保證了通道
2020-08-12 14:15:55
DG406DW-E3是一款16通道單端模擬多路復(fù)用器設(shè)計(jì)用于將16個(gè)輸入中的一個(gè)連接到公共端口由4位二進(jìn)制地址確定的輸出。應(yīng)用包括高速數(shù)據(jù)采集、音頻信號(hào)切換和路由、ATE系統(tǒng)和航空電子設(shè)備。高性能
2021-12-18 09:28:22
第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級(jí)結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強(qiáng)了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導(dǎo)通電阻的音頻開(kāi)關(guān)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了通過(guò)減少音頻爆破音的可能性來(lái)加強(qiáng)語(yǔ)音體驗(yàn)。它們包括了最近的特性,具體地說(shuō)是擁有終端電阻,提供緩慢開(kāi)啟時(shí)間和允許負(fù)電壓信號(hào)的能力。
2011-03-02 23:11:29
的電源電壓下，導(dǎo)通電阻降低。參考電氣規(guī)格表和典型性能細(xì)節(jié)曲線。V+和GND為內(nèi)部CMOS開(kāi)關(guān)供電并設(shè)置他們的模擬電壓限制。這些電源也為內(nèi)部邏輯和電平變換器。電平變換器將輸入邏輯電平以切換V+和GND信號(hào)以
2020-10-15 17:45:12
MAX4751是MAXIM公司研制的0.9Ω，低電壓，單電源四路SPST模擬開(kāi)關(guān)。它采用16引腳QFN或14引腳TSSOP封裝。電源電壓范圍在1.6V到3.6V之間。切換電流250mA，一流的功率路由性能和僅為0.9Ω的低導(dǎo)通電阻（Ron）。它可以與AS1743互換。
2021-04-26 06:23:34
的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開(kāi)關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
概述：P15V330是PERICOM半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款4通道2選1高性能視頻模擬開(kāi)關(guān)，它具有低導(dǎo)通電阻（3Ω）、寬帶（200MHz）、低串?dāng)_（10MHz/-58dB）等特點(diǎn)。該芯片采用單一+5V。它為雙列16腳貼片封裝.
2021-05-19 07:13:48
標(biāo)準(zhǔn)(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設(shè)計(jì)人員設(shè)法通過(guò)芯片級(jí)創(chuàng)新和改進(jìn)封裝來(lái)不斷提升功率MOSFET的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和影響開(kāi)關(guān)性能
2018-09-12 15:14:20
忽略輸入開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計(jì)算？另外Vstep為什么這樣計(jì)算？
2018-08-06 07:49:37
較低的電源電壓下，導(dǎo)通電阻降低，并且數(shù)字輸入VIL在VS≤±2V時(shí)變?yōu)樨?fù)值。參考“典型性能”曲線了解詳細(xì)信息。V+和V-為內(nèi)部CMOS開(kāi)關(guān)供電并設(shè)置其模擬電壓限制。這些電源也為內(nèi)部供電邏輯和電平變換器
2020-10-09 16:58:54
產(chǎn)品重要性的同時(shí)，不約而同地表示要將精力集中在高性能模擬產(chǎn)品上。那么，在眾說(shuō)紛紜“高性能”的情況下，什么產(chǎn)品才是高性能模擬產(chǎn)品？面對(duì)集成度越來(lái)越高的半導(dǎo)體行業(yè)，高性能模擬產(chǎn)品是否生存不易？中國(guó)市場(chǎng)對(duì)高性能模擬產(chǎn)品的接受程度如何？
2019-06-20 06:22:00
當(dāng)開(kāi)關(guān)串聯(lián)的負(fù)載為低阻抗時(shí)損失更大。應(yīng)用中應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況選擇導(dǎo)通電阻合適的開(kāi)關(guān)。特別需要注意，導(dǎo)通電阻的阻值與電源供電電壓有直接關(guān)系，通常電源電壓越大，導(dǎo)通電阻就越小。 圖2 CMOS型模擬開(kāi)關(guān)
2021-03-15 11:45:39
潛在的電擊危險(xiǎn)。 按照認(rèn)證機(jī)構(gòu)的規(guī)定，例如歐盟的CE認(rèn)證、美國(guó)和加拿大的UL認(rèn)證，電氣產(chǎn)品制造商應(yīng)該使用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀來(lái)驗(yàn)證其性能。若未經(jīng)CE、CSA或UL認(rèn)證標(biāo)識(shí)，產(chǎn)品不允許在相應(yīng)的國(guó)家進(jìn)行
2017-09-30 09:38:49
XC8102采用小型封裝USP-4 (1.2 x 1.6 x 0.6mm)，XC8102 系列是內(nèi)置P 溝道MOS FET、帶保護(hù)電路的低導(dǎo)通電阻線路開(kāi)關(guān)用電路，輸入電壓范圍1.2V～6.0V,當(dāng)
2021-04-19 07:57:47
` 如圖，RF1-RF3是三組反饋電阻，PIN1和PIN2是電路中某部分的兩個(gè)輸出引腳，現(xiàn)在目的是想辦法控制三路以及多路模擬信號(hào)的通斷（按此例，是實(shí)現(xiàn)三選一）。 PIN1和PIN2導(dǎo)通電壓10V
2019-03-23 11:54:09
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側(cè)開(kāi)關(guān)IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負(fù)載開(kāi)關(guān)，可通過(guò)軟啟動(dòng)為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過(guò)故障保護(hù)和電源良好信號(hào)提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
的 TPS22959，可實(shí)現(xiàn)總輸出電流 30A。主要特色增加了最大輸出電流降低了總導(dǎo)通電阻 (RON)輸出上升時(shí)間更短功率耗散更低降低了快速輸出放電 (QOD) 電阻
2018-08-14 06:29:01
單平衡混頻器是什么工作原理？如何利用CMOS模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)平衡混頻器？CMOS模擬開(kāi)關(guān)具有哪些特性？利用CMOS開(kāi)關(guān)可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)混頻器，有什么注意事項(xiàng)？
2021-04-13 06:50:16
鎖相環(huán)系統(tǒng)是什么工作原理？傳統(tǒng)電荷泵電路存在的不理想因素有哪些？設(shè)計(jì)一種高性能CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路
2021-04-09 06:38:45
微弱信號(hào)為1pA到10mA的級(jí)別，對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大以后，是多路問(wèn)題的問(wèn)題（至少是4路），經(jīng)模擬開(kāi)關(guān)進(jìn)行通道選擇之后進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換，這一系列處理為微弱信號(hào)的處理。選擇什么樣的模擬開(kāi)關(guān)芯片合適呢，損耗較低的，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻較小的。目前國(guó)內(nèi)的CD4051可以排除了，損耗太大了。求大神指教。。。。跪謝、、、、
2014-12-16 12:52:10
常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)引腳功能和工作原理CMOS模擬開(kāi)關(guān)典型應(yīng)用舉例
2021-04-23 06:17:43
4給出了Maxim的新型開(kāi)關(guān)與早期開(kāi)關(guān)在5V電源下的性能比較。圖3. 較高電源電壓下導(dǎo)通電阻較低 圖4. +5V電壓下，新型模擬開(kāi)關(guān)具有較低的導(dǎo)通電阻。為單電源系統(tǒng)選擇模擬開(kāi)關(guān)時(shí)，盡量選擇專用于單
2011-12-16 10:47:02
帶保護(hù)功能的 Type-C USB 模擬音頻開(kāi)關(guān) 概述深圳錦宏世紀(jì)科技李工：***QQ:2881671130ET7480 是一款高性能 Type-C USB 模擬切換開(kāi)關(guān)，支持模擬音頻耳機(jī)
2020-03-16 17:53:24
求推薦一款導(dǎo)通電阻毫歐級(jí)別的常閉型固態(tài)繼電器，或者其他的導(dǎo)通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態(tài)下是閉合，給電才導(dǎo)通
2021-01-09 09:50:06
` （1）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開(kāi)關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
CMOS 模擬開(kāi)關(guān)對(duì)傳輸信號(hào)的影響是什么呢？如何實(shí)現(xiàn)改進(jìn)型模擬開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)？
2021-04-02 07:15:27
我有2個(gè)很快的問(wèn)題。1。AMUX和AMUX定序器的導(dǎo)通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請(qǐng)問(wèn)有人知道MOS管作為開(kāi)關(guān)如何仿真在開(kāi)啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來(lái)的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開(kāi)和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請(qǐng)問(wèn)有人知道這個(gè)是出了什么問(wèn)題嗎
2021-06-25 07:59:24
現(xiàn)在設(shè)計(jì)一個(gè)電路，需要16選一的模擬開(kāi)關(guān)，并且導(dǎo)通電阻要幾歐姆，太大會(huì)影響信號(hào)，請(qǐng)問(wèn)大家有沒(méi)有這樣的模擬開(kāi)關(guān)？
2019-08-22 22:52:32
和ADG54xxF）就是采用這種技術(shù)。高性能信號(hào)鏈的模擬輸入保護(hù)往往令系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員很頭痛。 通常，需要在模擬性能（例如漏電阻和導(dǎo)通電阻）和保護(hù)水 平（可由分立器件提供）之間進(jìn)行權(quán)衡。用具有過(guò)電壓保護(hù)功能
2019-07-26 08:37:28
降低導(dǎo)通電阻，但成本的提高所付出的代價(jià)是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流子導(dǎo)電雖能降低導(dǎo)通壓降，但付出的代價(jià)是開(kāi)關(guān)速度的降低并出現(xiàn)拖尾電流，開(kāi)關(guān)損耗增加，失去了MOSFET的高速的優(yōu)點(diǎn)。 以上兩種辦法
2023-02-27 11:52:38
本文介紹的是如何選擇正確的CMOS模擬開(kāi)關(guān)。
2009-04-20 11:34:09
55 CMOS模擬開(kāi)關(guān)的選擇與典型應(yīng)用
一、前言：早期的模擬開(kāi)關(guān)大多工作于±20V 的電源電壓，導(dǎo)通電阻為幾百歐姆，主要用于模擬信號(hào)與數(shù)字控制的接口，近幾
2010-05-24 17:36:1757 低電壓，單電源，單刀單擲的高性能模擬開(kāi)關(guān)指標(biāo)
2010-06-28 18:33:3023
高性能的模擬開(kāi)關(guān)
2009-04-13 10:49:07456 
CMOS雙向模擬開(kāi)關(guān)的電路結(jié)構(gòu)和符號(hào)
2009-07-15 19:07:512503 
高性能CMOS集成電壓比較器設(shè)計(jì)
電壓比較器是對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行鑒幅與比較的電路，其功能是比較一個(gè)模擬信號(hào)和另一個(gè)模擬信號(hào)(參考信號(hào))，并以輸出比較得到的二進(jìn)制
2009-09-08 08:08:502173 
Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090 TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競(jìng)爭(zhēng)
2009-12-18 09:26:06681 TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開(kāi)關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (RON) 比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27478 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開(kāi)關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 Vishay推出Bulk Metal箔電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的
2010-01-09 09:44:18595 Vishay推出Bulk Metal箔電阻，在精度、穩(wěn)定性和速度上都有突破
Vishay推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal箔電阻——H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的行業(yè)基
2010-01-11 08:36:381176 
CMOS模擬開(kāi)關(guān),CMOS模擬開(kāi)關(guān)是什么意思
CMOS（本意是指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體——一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料）是微機(jī)主板上的一塊可
2010-03-22 17:10:591916 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出2010年的“Super 12”高性
2010-03-25 15:37:06660 Vishay推出Power Metal Strip分流電阻的流媒體視頻
Vishay推出為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(
2010-05-08 16:14:23630 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗）與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 1、CMOS集成模擬開(kāi)關(guān)的基本原理
CMOS模擬開(kāi)關(guān)具有電源電壓范圍寬（4000系列
2010-12-06 13:06:533991 
Vishay宣布，推出業(yè)界首款綠色、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)（無(wú)任何例外）的厚膜矩形貼片電阻--- RCG e3
2011-03-24 10:36:571265 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出6款新型采用節(jié)省空間的TDFN和MSOP表面貼裝封裝的低電壓、高精度雙路單刀單擲(SPST)模擬開(kāi)關(guān)--- DG721/2/3和DG2537/8/9。這些器件具
2011-10-14 09:33:08949 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達(dá)3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:061083 MAX4607/MAX4608/MAX4609雙模擬開(kāi)關(guān)具有低導(dǎo)通電阻2.5Ω最大。交換機(jī)之間相匹配的導(dǎo)通電阻為0.5Ω最大值，超過(guò)指定的信號(hào)范圍內(nèi)是平坦的(0.5Ω最大值)。
2012-11-06 09:18:032245 
Vishay發(fā)布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開(kāi)關(guān)，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內(nèi)工作，具有低至20m?的導(dǎo)通電阻、低靜態(tài)電流， 導(dǎo)通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:581090 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 今日，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出可在要求較低性能的應(yīng)用中替代薄膜電阻陣列的厚膜電阻陣列---CRAS0606、CRAS0612和CRAE0612等
2016-04-27 13:57:19860 本文概述了模擬開(kāi)關(guān)的基本結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用范圍；定義了導(dǎo)通電阻、平坦度和電荷注入等與性能密切相關(guān)的指標(biāo)；并對(duì)ESD保護(hù)、故障保護(hù)和加載-感應(yīng)功能等針對(duì)特定應(yīng)用的特性進(jìn)行了介紹。
2016-05-13 16:40:237 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，將多個(gè)Vishay Siliconix模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品升級(jí)到了新工藝，大幅提升了器件性能和壽命。這種新工藝能夠替代漸趨過(guò)時(shí)的硅技術(shù)
2016-09-02 09:15:071699 全球領(lǐng)先的高性能傳感器和模擬IC供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體今天宣布推出高性能模擬低噪聲CMOS制程工藝（“A30”）。這種新型的A30制程工藝具有卓越的噪聲性能，并通過(guò)光刻工藝使體積縮小至艾邁斯半導(dǎo)體高級(jí)0.35μm高壓CMOS制程工藝系列產(chǎn)品的0.9倍。
2016-12-06 16:11:06879 消除模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻影響電路增益的方法_張慶思
2017-01-19 21:54:151 不同于市場(chǎng)上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負(fù)載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，Silego推出的三款功能豐富的低導(dǎo)通電阻集成電源開(kāi)關(guān)，集合了頂級(jí)FETIP與系統(tǒng)級(jí)保護(hù)功能。
2017-09-19 17:34:597 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列繞線噪聲抑制電阻--- NSR-HP。該電阻提高了電壓性能和可靠性，可用于往復(fù)式發(fā)動(dòng)機(jī)中的汽車點(diǎn)火系統(tǒng)。
2018-01-25 10:04:078515 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款雙路單刀雙擲/四路單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)---DG2788A。該開(kāi)關(guān)在2.7V下的電阻
2018-08-03 11:45:00678 當(dāng)前VLSI 技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。
2018-11-21 08:01:003775 日前，Vishay Intertechnology， Inc．宣布，推出最新系列高壓厚膜片式電阻：CRHP系列，額定功率1．5 W，工作電壓高達(dá)3000 V，從1206到2512包括五種小外形尺寸。為提高設(shè)計(jì)靈活性，Vishay Techno CRHP系列電阻有各種樣式、電極材料、配置和定制尺寸。
2019-03-04 16:18:511259 Vishay DG 增強(qiáng)模擬開(kāi)關(guān) IC 具有 16V 擴(kuò)展工作電壓范圍和增強(qiáng)的漏電流限制。 DG 增強(qiáng) IC 還具有更低的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻以及整體降低的功耗。 該 IC 提供增強(qiáng)的堅(jiān)固性，同時(shí)具有更高
2019-08-23 09:31:322412 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開(kāi)關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 Vishay 提供廣泛的電阻技術(shù)，其在性能和可靠性極其重要的極端應(yīng)用和惡劣環(huán)境下具有杰出的表現(xiàn)。
2020-07-01 12:58:003168 NLAS5223是安森美公司推出的器件，是一種先進(jìn)的CMOS模擬開(kāi)關(guān)。在一個(gè)小尺寸10引腳WQFN封裝中，有兩個(gè)獨(dú)立的單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)。該模擬開(kāi)關(guān)主要特點(diǎn)：工作電壓低，VCC=1.65～3.6V
2020-08-14 14:57:212362 
ADG1404：1.5CMOS導(dǎo)通電阻，±15 V/12 V/±5 V，4：1，i
2021-04-27 19:54:292 ADG1411/ADG1412/ADG1413：1.5?導(dǎo)通電阻，±15 V/+12 V/±5 V，iCMOS，四路單擲開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-04-29 11:02:402 ADG1436：1.5CMOS導(dǎo)通電阻，±15 V/12 V/±5 V，ICMOS雙Ω開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-19 17:39:271 Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導(dǎo)通電阻低至 0.95 mΩ，優(yōu)異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 LN3052 是一款雙路單刀雙擲(SPDT)CMOS 模擬開(kāi)關(guān)，適用于語(yǔ)音切換，移動(dòng)設(shè)備等。LN3052 可在 1.8V-5.5V的電源下工作，工作帶寬為 300MHz，最低導(dǎo)通電阻為4.5Ω。
2022-06-16 11:55:224817 
原廠： 潤(rùn)石科技 型號(hào)： RS2103 ? 封裝： SOT363 (SC70-6) ，SOT23-6 品類: 低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開(kāi)關(guān) 應(yīng)用: [可穿戴設(shè)備] [ 電池供電設(shè)備] [信號(hào)
2023-04-07 17:59:32466 本文回顧了標(biāo)準(zhǔn)CMOS模擬開(kāi)關(guān)的基本結(jié)構(gòu)和通用模擬開(kāi)關(guān)的一些基本參數(shù)，比如導(dǎo)通電阻(RON)、RON平坦度、泄漏、電荷注入和關(guān)斷隔離。文章討論了新型模擬開(kāi)關(guān)的性能改進(jìn)：更好的開(kāi)關(guān)特性、更低的工作電壓
2023-06-12 10:20:151884 
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)。0.5Ω（典型值）超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負(fù)擺幅信號(hào)的特性使其非常適合應(yīng)用于音頻領(lǐng)域。
2023-10-18 09:21:40793 
在電子元件領(lǐng)域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的有源充放電電路帶來(lái)了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105
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