CAN總線設計規范對于CAN節點的輸入電壓閾值有著嚴格的規定，如果節點的輸入電壓閾值不符合規范，則在現場組網后容易出現不正常的工作狀態，各節點間出現通信故障。具體要求如表 1所示，為測試標準“ISO 11898-2輸出電壓標準”。
2015-07-09 10:54:09
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由閾值電壓的公式可看出，閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關，所以在設計中把它當成一個常數。 當器件尺寸不斷縮小時，此模型不再精確，閾值電壓與L、W和VDS有關。
2023-02-13 10:35:291269 
，表示了三個端子：柵(G)、源(S)和漏(D)。 因為這種器件是對稱的，因而可以源漏互換。 大家都知道，在數字電路中，MOS管作為開關的作用時，柵極電壓VG是高電平，晶體管把源極和漏極連接在一起; 如果VG是低電平，則源漏斷開。
2023-04-25 14:20:393018 
碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩定性相對Si材料來講，是比較差的，對應用端的影響也很大。
2023-05-30 16:06:181175 
MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關的作用，正是由于上述反型層的機制
2023-11-29 14:19:08785 
分析完閾值電壓的機制后，下面我們重點分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關系。
2023-11-29 14:42:33999 
假設mismatch引起的M4/M5之間的閾值電壓差值為3mV，則等效到運放輸入端的VOS量級為uV，保證M4/M5之間的版圖匹配，能有效的減小該值。
2024-02-18 17:32:43274 
施密特觸發器（Schmitt Trigger）是一種特殊的門電路，也被稱為遲滯比較器或滯回比較器。它具有兩個閾值電壓，分別對應于輸入信號的正向遞增和負向遞減變化方向。這兩個閾值電壓稱為正向閾值電壓和負向閾值電壓，它們之間的差值被稱為回差電壓。
2024-02-23 17:14:21786 
74hc14幾腳是輸出端和輸入端
2016-04-14 10:28:49
閾值電壓是為使MOSFET導通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導通。可能有人問，這種“MOSFET導通”的狀態，到底是“電流ID是多少的狀態呢？”。的確
2018-11-28 14:28:20
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導通。可能有
2019-05-02 09:41:04
為什么PMOS的閾值電壓要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代碼.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00:50
STM32是3.3V供電的芯片，在用AD的時候，閾值電壓能否接到0-5V上？
2013-02-28 18:18:59
更有優勢。74AC14SCX有滯后之間的積極持續和負向輸入閾值（通常為1.0V）。溫度和電源電壓變化。基本上不敏感，這是由內部晶體管的比例確定。74AC14SCX與TTL兼容的輸入，輸出電流24毫安。
2010-04-13 17:20:09
74HC14 和 74HCT14 為高速四水道CMOS器件，引腳與低功耗肖特基TTL電（輸入通道）兼容。他們符合JEDEC標準規定，編碼為 7A。74HC14和74HCT14提供六反相與施密特觸發器
2010-04-21 11:44:25
公司項目，用74hc595輸出一系列的波形。然后我用邏輯分析儀（閾值電壓1.5V，高于1.5V為高）抓595的輸出端的波形，抓不到。只能抓S8050的C腳才能抓到波形。有大神能給分析下嗎？
2019-08-06 23:50:16
，進而使SCR導通。
實驗中：穩壓管閾值電壓較大時SCR可正常導通；但是穩壓管閾值小的時候，SCR始終不通，后端電路一直有漏電流。（如圖所示穩壓管閾值電壓為42V）
2023-10-10 08:57:00
:0] 中的值如何映射到電壓。我假設設置 ADC_HTR 中的所有 12 位將等于可能的最高閾值電壓，但我們如何知道該電壓是多少？設置 ADC_LTR 中的所有位是否意味著低閾值盡可能低？還是清除所有 12 位將其設置為最小值？
2023-01-13 08:05:01
電壓，低溫）作為最快的一種情況，而把（slow n,slow p,低電壓，高溫）作為最慢的一種情況。但是管子的閾值電壓與溫度成反比，也就是低溫時管子的閾值電壓會變高，而使得管子變慢，這就與上面的結論矛盾
2021-06-24 08:01:38
掉電。 設計的原理圖如下： VCC_BAR是系統輸入的電壓，閾值電壓由電阻R1A和R2B的比例來決定。在選擇電阻時，只要保持電阻的比例就可以保證閾值電壓為同一個結果。但實際在選擇時，需要權衡考慮
2023-03-22 15:17:08
如果想改變反相滯回比較器的閾值電壓應改變哪些參數呢？
2023-03-24 15:31:42
uo與輸入電壓ui在平面直角坐標上的關系。 畫傳輸特性的一般步驟是：先求閾值，再根據電壓比較器的具體電路，分析在輸入電壓由最低變到最高(正向過程)和輸入電壓由最高到最低(負向過程)兩種情況下，輸出電壓
2011-12-22 11:55:09
，與普通的門電路不同，施密特觸發器有兩個閾值電壓，分別稱為正向閾值電壓和負向閾值電壓。在輸入信號從低電平上升到高電平的過程中使電路狀態發生變化的輸入電壓稱為正向閾值電壓，在輸入信號從高電平下降到低電平
2011-11-14 14:30:44
： ① 施密特觸發器屬于電平觸發器件，當輸入信號達到某一定電壓值時，輸出電壓會發生突變。 ② 電路有兩個閾值電壓。 輸入信號增加和減少時，電路的閾值電壓分別是正向閾值電壓
2009-09-24 15:38:23
搜到的施密特觸發器IC遲滯電壓都是固定的，現在需要設定具體的閾值電壓值，是否有這樣的IC呢?還是只能用運放搭建？
2024-03-13 02:40:35
求反向器IC,類似74HC14,但要引腳比較好走線的,74HC04跟74HC14走線太麻煩了~
2015-12-02 09:21:56
LM311供電為+-12V，VDD為5V，高低閾值電壓怎么計算呢？
2018-05-30 22:27:26
發光二極管D3的負極電壓是3.6V，即此時PMOS柵極電壓VG=3.6V,源極電壓VS=5V，VGS=-1.4V。PMOSSI2301ADS的柵極閾值電壓如下表所示，最大柵極閾值電壓為-0.95V，此條
2019-08-27 04:37:27
估算閾值電壓。運放兩個輸入端電壓差近似等于零是比較器輸出電壓發生跳變的臨界條件，當同相輸入端的電位高于反相輸入端時，輸出電壓為正飽和值，反之為負飽和值。（2）根據具體電路，分析輸入電壓由高到低和由低到
2021-12-10 06:30:01
遲滯比較器的閾值電壓除了由我的電阻參數設定 還要其他因素嗎？我做的實驗中顯示我的設定值與實際值在某些情況下相差挺大的，我采用的是LM339這款比較器芯片。比如 我設定的值為VTL=1.5V、VTH=2.5V時，通過示波器觀察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51:27
施密特觸發器是一種特殊的門電路，與普通的門電路不同，施密特觸發器有兩個閾值電壓，分別稱為正向閾值電壓和負向閾值電壓。
2006-07-03 14:22:183706 
電壓比較器、方波三角波發生器與壓控振蕩器一、目的：1、 對電壓比較器的理解，學習閾值電壓的測量方法。2、 握集成運放在波形發生器值的應用，學習
2009-03-09 11:06:086986 
74C14/74HC14/7414引腳功能管腳定義圖 -六反相器(施密特觸發器)
2009-04-10 15:11:5317200 
施密特觸發器原理及應用
我們知道，門電路有一個閾值電壓，當輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時電路的狀
2010-05-27 09:29:323838 
在數／模混合集成電路設計中電壓基準是重要的模塊之一。針對傳統電路產生的基準電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點，提出一種新的設計方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和
2012-10-10 16:38:054693 
74HC14英文手冊
2016-11-02 18:08:34
10 基于搶占閾值調度的動態電壓分配算法_郝嘉磊
2017-01-07 18:39:170 面向BTI特征分析的在運行中閾值電壓測量
2017-01-22 13:38:087 電壓比較器的輸出電壓與輸入電壓的函數關系 U0＝f（uI），一般用曲線來描述，稱為電壓傳輸特性。電壓傳輸特性的三個要素：輸出電平、閾值電壓、躍變方向
2017-11-07 10:47:3153915 
閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數。如描述場發射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
2017-11-27 17:18:4367572 
同樣具有反相器功能，你知道74HC04和74HC14的具體區別嗎？
2017-12-04 16:56:3793333 
，有兩個不同的閾值電壓（正向閾值電壓和負向閾值電壓）；狀態翻轉時有正反饋過程，從而輸出邊沿陡峭的矩形脈沖。下面我們來具體看看吧。
2018-01-16 16:02:3747805 
本文開始介紹了單限比較器的電路和單限比較器的理論分析及計算，其次介紹了單限電壓比較器的工作原理，最后介紹了單限比較器閾值的電壓計算。
2018-02-26 15:58:0264104 
74hc14一般用于MCU的接口電路，如在主板MCU和面板MCU之間，充任信號倒相、同相驅動（兩級反相器串聯）、信號的隔離緩沖等角色。
2018-08-02 16:34:5011440 
74HC14是一款兼容TTL器件引腳的高速CMOS器件，邏輯功能為6路斯密特觸發反相器，其耗電量低，速度快。
2018-08-03 08:55:5795700 
關于74HC14，它的定義是一個高速度的CMOS器件，特點是能對TTL器件引腳的完美兼容，74HC14集成電路內部封裝了六個相同的帶施密特功能的反相器，起整形的作用，專門用于對輸入信號中非陡峭的上升沿和下降沿變的陡峭。它的輸入信號可以是不規則變化的模擬信號或者數字信號。
2018-10-24 09:09:4822802 74HC14的引腳圖如下，其中Vcc（14腳）是電源正電壓引腳，GND（7腳）是電源地引腳，一片74HC14上共有6個反相器通道，第1、3、5、9、11、13腳分別是通道1、2、3、4、5、6的輸入腳，2、4、6、8、10、12腳分別是通道1、2、3、4、5、6的輸入出腳。
2018-10-24 10:03:0639341 
sn74hc14n是一個六反向施密特觸發器，其具有延遲特性，反向特性，還具有整形等特點。這是一個具有特殊功能的非門，當加在它的輸入端A的電壓逐漸上升到某個值時（正閾值電壓），輸出端Y會突然從高電平跳到低電平，而當輸入端A的電壓下降到另一個值時（負閾值電壓），Y會從低電平跳到高電平。
2018-10-24 10:33:198684 74HC14是一款六路施密特觸發反相器。可以用到需要反向的電路上，或者提高驅動能力，或者需要對信號做一下整形，都可以用到它。當輸入電壓由低向高變化時，若電壓超過正向閾值電壓Vt+，輸出為低電平。當輸入電壓由高向低變化時，輸入電壓要低于另一個閾值電壓Vt-時，輸出為高電平。
2018-10-24 11:11:3311170 圖3-4是閃存芯片里面存儲單元的閾值電壓分布函數，橫軸是閾值電壓，縱軸是存儲單元數量。其實在0或1的時候，并非所有的存儲單元都是同樣的閾值電壓，而是以這個電壓為中心的一個分布。讀的時候采樣電壓值，落在1范圍里面，就認為是1；落在0范圍里面，就認為是是0。
2018-11-13 15:44:2911001 
一、為什么E-MOSFET的閾值電壓隨著半導體襯底摻雜濃度的提高而增大?而隨著溫度的升高而下降?
【答】E-MOSFET的閾值電壓就是使半導體表面產生反型層(導電溝道)所需要加的柵極電壓。對于
2019-01-27 10:42:098022 
關于 MOSFET 的 W 和 L 對其閾值電壓 Vth 的影響，實際在考慮工藝相關因素后都是比較復雜，但是也可以有一些簡化的分析，這里主要還是分析當晶體管處在窄溝道和短溝道情況下，MOSFET 耗盡區的電荷的變化，從而分析其對晶體管的閾值電壓的作用。
2019-06-18 17:19:4635146 
為什么廠家在產品投入使用前，都必須要進行CAN節點DUT的輸入電壓閾值測試呢？
2019-07-02 15:10:103215 
本文報道了一個深入研究的負閾值電壓不穩定性的gan-on-si金屬絕緣體半導體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan。基于一組在不同溫度下進行的應力/恢復實驗，我們證明：1）在高溫和負柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 利用一個簡單的示波器裝置，研究了由正向柵偏壓引起的gan基金屬絕緣體半導體hemts閾值電壓漂移（vth）的快速動力學。我們發現，vth的對數恢復時間依賴性，以前發現的恢復時間從10 ms到1 ms
2019-10-09 08:00:000 本文報道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負漂移。該器件在強pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時間（反向柵極偏置應力），然后測量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 施密特觸發器也有兩個穩定狀態， 但與一般觸發器不同的是， 施密特觸發器采用電位觸發方式， 其狀態由輸入信號電位維持； 對于負向遞減和正向遞增兩種不同變化方向的輸入信號，施密特觸發器有不同的閥值電壓。門電路有一個閾值電壓， 當輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時電路的狀態將發生變化。
2019-12-17 08:00:006 比傳統的逆變器具有更大的噪聲容限。每個電路包含施密特觸發器、達林頓電平移位器和驅動TTL圖騰極輸出的分相器。施密特觸發器使用正反饋有效地加速慢輸入躍遷，并為正向和負向躍遷提供不同的輸入閾值電壓。正向和負向輸入閾值之間的滯后（通常為800 mV）由電阻比內部確定，基
2020-05-25 08:00:004 比傳統的逆變器具有更大的噪聲容限。每個電路包含施密特觸發器、達林頓電平移位器和驅動TTL圖騰極輸出的分相器。施密特觸發器使用正反饋有效地加速慢輸入躍遷，并為正向和負向躍遷提供不同的輸入閾值電壓。正向和負向輸入閾值之間的滯后（通常為800 mV）由電阻比內部確定，基
2020-05-25 08:00:001 為什么廠家在產品投入使用前，都必須要進行CAN節點DUT的輸入電壓閾值測試呢？因為CAN總線設計規范對于CAN節點的輸入電壓閾值有著嚴格的規定，若不符合規范，則組網后容易出現各節點間出現通信故障。
2020-12-26 02:33:311380 AN-680: ADG451/ADG452/ADG453閾值電壓與數字電壓 VL
2021-03-18 20:33:082 74HC14是一款高速硅柵CMOS電路，其引腳兼容低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列。該電路符合JEDEC 標準no.7A。 74HC14提供六路施密特倒相模塊。它們能夠將緩慢變化的輸入信號轉變成急劇變化的輸出信號。
2022-03-29 14:56:2121 畫傳輸特性的一般步驟是：先求閾值，再根據電壓比較器的具體電路，分析在輸入電壓由最低變到最高(正向過程)和輸入電壓由最高到最低(負向過程)兩種情況下，輸出電壓的變化規律，然后畫出傳輸特性。
2022-10-20 13:55:3611866 而現代集成電路一般使用MOS管，其本質是一個壓控開關。壓指的就是柵極的電壓，而它控的就是源極和漏極之前的電流。既然叫做開關，那就需要有一個區別開態與關態的狀態。
2022-12-15 11:33:371143 Vt roll-off核心是（同一個工藝節點下面）閾值電壓與柵長之間的關系。當溝道長度比較長的時候，Vt值是比較穩定的。隨著溝道長度的減小，閾值電壓會下降（對于PMOS而言是絕對值的下降）。
2022-12-30 15:14:411332 TPS382x 系列監控器主要為 DSP 以及基于處理器的系統提供電路初始化和計時監控等功能。上電期間，RESET 會在電源電壓 VDD 超出 1.1V 時置為有效。因此VDD 保持在閾值電壓
2023-01-12 09:18:351147 繼上一篇MOSFET的開關特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對電路的可靠性至關重要。通常情況下，閾值電壓是通過向溝道區的離子注入來調整的。
2023-02-09 14:26:361147 此外，襯底偏壓也能影響閾值電壓。當在襯底和源極之間施加反向偏壓時，耗盡區被加寬，實現反轉所需的閾值電壓也必須增加，以適應更大的Qsc。
2023-02-09 14:26:381661 nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
Vt指的是MOS管的閾值電壓（threshold voltage）。具體定義（以下圖NMOS為例）：當柵源電壓（Vgs）由0逐漸增大，直到MOS管溝道形成反型層（圖中的三角形）所需要的電壓為閾值電壓。
2023-03-10 17:43:114541 由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩定性，在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移，導致其電性能測試以及高溫柵偏試驗后的電測試結果嚴重依賴于測試
2023-05-09 14:59:06853 
8.2.9閾值電壓控制8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.2.8UMOS的先進設計∈《碳化硅
2022-03-02 09:27:23531 
74hc14與74hc14d的區別 74HC14與74HC14D都是集成電路型號，這兩種型號的區別主要在于包裝形式和外延尺寸。 一、74HC14的介紹 74HC14是一款由NXP公司生產的CMOS
2023-08-18 11:14:342852 它們看起來相似，但它們之間有一些明顯的區別。 首先，74HC14和74AC14采用不同的工作電壓范圍。 74HC14是高速CMOS器件，其工作電壓范圍為2V至6V，相比之下，74AC14是高速CMOS
2023-08-18 11:14:361467 74hc14與74hct14的區別 74HC14與74HCT14是兩種常見的邏輯門芯片，它們的共同作用是將輸入信號轉換成輸出信號。兩者的區別在于HCT family具有有源鉗制（active
2023-08-18 11:14:391834 74hc14與74hc04的區別? 在數字邏輯電路設計中，集成電路起著至關重要的作用。這些電路通常由許多晶體管和其他元器件組成，使得它們的設計和制造變得更加高效和簡單。74HC14和74HC
2023-08-18 11:14:462928 如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關于NMOS的。您也可以為PMOS導出類似的公式(只需將下標“n”替換為“p”)。
2023-09-07 10:03:59649 
影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）是一種常用的半導體器件，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點。MOSFET的閾值電壓是決定其工作狀態的重要參數，影響著
2023-09-17 10:39:446679 為什么亞閾值區還有電流？為什么亞閾值區電流飽和條件是Vds是Vt的三四倍以上？ 亞閾值區是指晶體管工作狀態下，柵極電壓小于閾值電壓的區域。在這個區域內，晶體管會出現漏電流，造成能量浪費和損耗。因此
2023-09-21 16:09:15917 74HC14是一款高速硅柵CMOS電路，其引腳兼容低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列。該電路符合JEDEC標準no.7A。74HC14提供六路施密特倒相模塊。它們能夠將緩慢變化的輸入信號轉變成急劇
2022-04-27 10:53:525 的觸發器。它的基本組成元件是兩個比較器，一個用于正向比較，另一個用于反向比較。當輸入信號的電壓達到或超過正向比較器的閾值電壓時，輸出由低電平翻轉為高電平。同樣，當輸入電壓下降到或低于反向比較器的閾值電壓時，輸出
2024-01-17 15:00:08512
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