??????? 我們知道，造成設(shè)備性能降低或失效的電磁干擾必須同時(shí)具備三個(gè)要素，首先是有一個(gè)電磁場所，其次是有干擾源和被干擾源，最后就是具備一條電磁干擾的耦合通路，以便把能量從干擾源傳遞到受干擾源。因此，為解決設(shè)備的電磁兼容性，必須圍繞這三點(diǎn)來分析。一般情況下，對于EMI的控制，我們主要采用三種措施：屏蔽、濾波、接地。這三種方法雖然有著獨(dú)立的作用，但是相互之間是有關(guān)聯(lián)的，良好的接地可以降低設(shè)備對屏蔽和濾波的要求，而良好的屏蔽也可以使濾波器的要求低一些。下面，我們來分別介紹屏蔽、濾波和接地。

　　1屏蔽

　　屏蔽能夠有效的抑制通過空間傳播的電磁干擾。采用屏蔽的目的有兩個(gè)，一個(gè)是限制內(nèi)部的輻射電磁能量外泄出控制區(qū)域，另一個(gè)就是防止外來的輻射電磁能量入內(nèi)部控制區(qū)。按照屏蔽的機(jī)理，我們可以將屏蔽分為電場屏蔽、磁場屏蔽、和電磁場屏蔽。

　　1.1 電場屏蔽

　　一般情況下，電場感應(yīng)可以看成是分布電容間的耦合，圖1是一個(gè)電場感應(yīng)的示意圖。

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　　圖1 電場感應(yīng)示意圖

　　其中A為干擾源，B為受感應(yīng)設(shè)備，其中Ua和Ub之間的關(guān)系為

　　Ub=C1*Ua/(C1+C2)

　　C1為A、B之間的分布電容;C2為受感應(yīng)設(shè)備的對地電容。

　　根據(jù)示意圖和等式，為了減弱B上面的地磁感應(yīng)，使用的方法有

　　增大A和B之間的距離，減小C1。

　　減小B和地之間的距離，增大C2。

　　在AB之間放置一金屬薄板或?qū)使用金屬屏蔽罩罩住A，C1將趨向0數(shù)值。

　　相對來說1和2比較容易理解，這里主要針對第3種方法進(jìn)行分析。由圖2可以看出，插入屏蔽板后(屏蔽板接地)。就造成兩個(gè)分布電容C3和C4，其中C3被屏蔽板短路到地，它不會(huì)對B點(diǎn)的電場感應(yīng)產(chǎn)生影響。而受感應(yīng)物B的對地和對屏蔽板的分布電容，C3和C4，實(shí)際上是處在并聯(lián)的位置上。這樣，B設(shè)備的感應(yīng)電壓ub'應(yīng)當(dāng)是A點(diǎn)電壓被A、B之間的剩余電容C1'與并聯(lián)電容C2和C4的分壓，即

　　Ub=C1'*Ua/(C1'+C2+C4)

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　　圖2 加入金屬板后的電場感應(yīng)圖

　　由于C1'遠(yuǎn)小于為屏蔽的C1，所以在B的感應(yīng)電壓就會(huì)減小很多。因此，很多時(shí)候都采用這種接地的金屬罩作為屏蔽物。

　　以下是對電場屏蔽的幾點(diǎn)要點(diǎn)總結(jié)：

　　屏蔽金屬板放置靠近受保護(hù)設(shè)備比較好，這樣將獲得更大的C4，減小電場感應(yīng)電壓。

　　屏蔽板的形狀對屏蔽效能的高低有明顯的影響，例如，全封裝的金屬盒可以有最好的電場屏蔽效果，而開孔或帶縫隙的屏蔽罩可以有最好的電場屏蔽效果，而且開孔或者帶縫隙的屏蔽罩，其屏蔽效能會(huì)受到不同程度的影響.

　　屏蔽板的材料以良性導(dǎo)體為佳。對厚度并無特殊要求。

　　1.2磁場屏蔽

　　由于磁場屏蔽通常是對直流或很低頻場的屏蔽，其效果和電場屏蔽和電磁場屏蔽相比要差很多，磁場屏蔽的主要手段就是依賴高導(dǎo)磁材料具有的低磁阻，對磁通起分路的作用，使得屏蔽體內(nèi)部的磁場大大減弱。

　　對于磁場屏蔽需要注意的幾點(diǎn)：

　　減小屏蔽體的磁阻(通過選用高導(dǎo)磁率材料和增加屏蔽體的厚度)

　　被屏蔽設(shè)備和屏蔽體間保持一定距離，減少通過屏蔽設(shè)備的磁通。

　　對于不可避免使用縫隙或者接風(fēng)口的，盡量使縫隙或者接風(fēng)口呈條形，并且順沿著電磁線的方向，減少磁通。

　　對于強(qiáng)電場的屏蔽，可采用雙層磁屏蔽體的結(jié)構(gòu)。對要屏蔽外部強(qiáng)磁場的，則屏蔽體外層要選用不易磁飽和的材料，如硅鋼等;而內(nèi)部可選用容易到達(dá)飽和的高導(dǎo)磁材料。因?yàn)榈谝淮纹帘蜗魅醪糠郑诙蜗魅醮蟛糠?，如果都使用高?dǎo)磁，會(huì)造成進(jìn)入一層屏蔽的在一層和二層間造成反射。如果要屏蔽內(nèi)部的磁場，則相反。而屏蔽體一般通過非磁性材料接地。

　　1.3電磁場屏蔽

　　電磁場屏蔽是利用屏蔽體阻隔電磁場在空間傳播的一種措施。和前面電場和磁場的屏蔽機(jī)理不同，電磁屏蔽對電磁波的衰減有三個(gè)過程：

　　當(dāng)電磁波在到達(dá)屏蔽體表面時(shí)，由于空氣與金屬的交界面上阻抗不連續(xù)，對入射波產(chǎn)生反射，這種反射不要求屏蔽材料必須有一定厚度，只需要交界面上的不連續(xù)。

　　進(jìn)入屏蔽體的電磁波，在屏蔽體中被衰減。

　　穿過屏蔽層后，到達(dá)屏蔽層另一個(gè)屏蔽體，由于阻抗不連續(xù)，產(chǎn)生反射，重新回到屏蔽體內(nèi)。

　　從上面三個(gè)過程看來，電磁屏蔽體對電磁波的衰減主要是反射和吸收衰減。

　　1.4電磁屏蔽體和屏蔽效率

　　屏蔽效率是對屏蔽體進(jìn)行性能評估的一個(gè)指數(shù)，它的表達(dá)式為：

　　SE(db)=A+R+B

　　1) 其中A為吸收損耗，吸收損耗是指電磁波穿過屏蔽罩時(shí)能量損耗的數(shù)量，吸收損耗可以通過下面的公式計(jì)算：

　　AdB=1.314(f*σ*μ)1/2*t

　　f： 頻率(MHz) μ：銅的導(dǎo)磁率 σ：銅的導(dǎo)電率 t：屏蔽體厚度

　　2) R指反射損耗，反射損耗(近場)的大小取決于電磁波產(chǎn)生源的性質(zhì)以及與波源的距離。對于桿狀或直線形發(fā)射天線而言，離波源越近波阻抗越高，然后隨著與波源距離的增加而下降，但平面波阻抗則無變化(恒為377)。相反，如果波源是一個(gè)小型線圈，則此時(shí)將以磁場為主，離波源越近波阻抗越低，波阻抗隨著與波源距離的增加而增加，但當(dāng)距離超過波長的六分之一時(shí)，波阻抗不再變化，恒定在377處。反射損耗隨波阻抗與屏蔽阻抗的比率變化，因此它不僅取決于波的類型，而且取決于屏蔽罩與波源之間的距離。這種情況適用于小型帶屏蔽的設(shè)備。

　　近場反射損耗可按下式計(jì)算：

　　R(電)db=321.8-(20*lg r)-(30*lg f)-[10*lg(μ/σ)]

　　R(磁)db=14.6+(20*lg r)+(10*lg f)+[10*lg(μ/σ)]

　　其中r指波源與屏蔽之間的距離。

　　3) SE算式最后一項(xiàng)是校正因子B，其計(jì)算公式為：

　　B=20lg[-exp(-2t/σ)]

　　此式僅適用于近磁場環(huán)境并且吸收損耗小于10dB的情況。由于屏蔽物吸收效率不高，其內(nèi)部的再反射會(huì)使穿過屏蔽層另一面的能量增加，所以校正因子是個(gè)負(fù)數(shù)，表示屏蔽效率的下降情況。

　　也就是說，我們想抑制住EMI，必須提高屏蔽效率，那么，屏蔽材料的選擇也變得很重要了.只有如金屬和鐵之類導(dǎo)磁率高的材料才能在極低頻率下達(dá)到較高屏蔽效率。這些材料的導(dǎo)磁率會(huì)隨著頻率增加而降低，另外如果初始磁場較強(qiáng)也會(huì)使導(dǎo)磁率降低，還有就是采用機(jī)械方法將屏蔽罩作成規(guī)定形狀同樣會(huì)降低導(dǎo)磁率。

　　在高頻電場下，采用薄層金屬作為外殼或內(nèi)襯材料可達(dá)到良好的屏蔽效果，但條件是屏蔽必須連續(xù)，并將敏感部分完全遮蓋住，沒有缺口或縫隙(形成一個(gè)法拉第籠)。然而在實(shí)際中要制造一個(gè)無接縫及缺口的屏蔽罩是不可能的，由于屏蔽罩要分成多個(gè)部分進(jìn)行制作，因此就會(huì)有縫隙需要接合，另外通常還得在屏蔽罩上打孔以便安裝與插卡或裝配組件的連線。

　　設(shè)計(jì)屏蔽罩的困難在于制造過程中不可避免會(huì)產(chǎn)生孔隙，而且設(shè)備運(yùn)行過程中還會(huì)需要用到這些孔隙。制造、面板連線、通風(fēng)口、外部監(jiān)測窗口以及面板安裝組件等都需要在屏蔽罩上打孔，從而大大降低了屏蔽性能。盡管溝槽和縫隙不可避免，但在屏蔽設(shè)計(jì)中對與電路工作頻率波長有關(guān)的溝槽長度作仔細(xì)考慮是很有好處的。

　　任一頻率電磁波的波長為：波長(λ)=光速(C)/頻率(Hz)

　　當(dāng)縫隙長度為波長(截止頻率)的一半時(shí)，RF波開始以20dB/lO倍頻(1/10截止頻率)或6dB/8倍頻(1/2截止頻率)的速率衰減。通常RF發(fā)射頻率越高衰減越嚴(yán)重，因?yàn)樗牟ㄩL越短。當(dāng)涉及到最高頻率時(shí)，必須要考慮可能會(huì)出現(xiàn)的任何諧波，

　　一旦知道了屏蔽罩內(nèi)RF輻射的頻率及強(qiáng)度，就可計(jì)算出屏蔽罩的最大允許縫隙和溝槽。例如如果需要對1GHz(波長為300mm)的輻射衰減，則150mm的縫隙將會(huì)開始產(chǎn)生衰減，因此當(dāng)存在小于150mm的縫隙時(shí)，1GHz輻射就會(huì)被衰減。所以對1GHz頻率來講，若需要衰減20dB，則縫隙應(yīng)小于15 mm(150mm的1/10)，需要衰減26dB時(shí)，縫隙應(yīng)小于7.5mm(15mm的1/2以上)，需要衰減32dB時(shí)，縫隙應(yīng)小于3.75mm(7.5mm的1/2以上)。

　　可采用合適的導(dǎo)電襯墊使縫隙大小限定在規(guī)定尺寸內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)這種衰減效果。由于接縫會(huì)導(dǎo)致屏蔽罩導(dǎo)通率下降，因此屏蔽效率也會(huì)降低。要注意低于截止頻率的輻射其衰減只取決于縫隙的長度直徑比，例如長度直徑比為3時(shí)可獲得100dB的衰減。在需要穿孔時(shí)，可利用厚屏蔽罩上面小孔的波導(dǎo)特性;另一種實(shí)現(xiàn)較高長度直徑比的方法是附加一個(gè)小型金屬屏蔽物，如一個(gè)大小合適的襯墊。上述原理及其在多縫情況下的推廣構(gòu)成多孔屏蔽罩設(shè)計(jì)基礎(chǔ)。

　　多孔薄型屏蔽層：多孔的例子很多，比如薄金屬片上的通風(fēng)孔等等，當(dāng)各孔間距較近時(shí)設(shè)計(jì)上必須要仔細(xì)考慮。下面是此類情況下屏蔽效率計(jì)算公式

　　SE=[20lg(fc/o/σ)]-10lg n其中f截止頻率n：孔洞數(shù)目

　　注意此公式僅適用于孔間距小于孔直徑的情況，也可用于計(jì)算金屬編織網(wǎng)的相關(guān)屏蔽效率。

　　接縫和接點(diǎn)：電焊、銅焊或錫焊是薄片之間進(jìn)行永久性固定的常用方式，接合部位金屬表面必須清理干凈，以使接合處能完全用導(dǎo)電的金屬填滿，保持高阻狀態(tài).導(dǎo)電襯墊的作用是減少接縫或接合處的槽、孔或縫隙，使RF輻射不會(huì)散發(fā)出去。EMI襯墊是一種導(dǎo)電介質(zhì)，用于填補(bǔ)屏蔽罩內(nèi)的空隙并提供連續(xù)低阻抗接點(diǎn)。

　　墊片系統(tǒng)：一個(gè)需要考慮的重要因素是壓縮，壓縮能在襯墊和墊片之間產(chǎn)生較高導(dǎo)電率。襯墊和墊片之間導(dǎo)電性太差會(huì)降低屏蔽效率，另外接合處如果少了一塊則會(huì)出現(xiàn)細(xì)縫而形成槽狀天線，其輻射波長比縫隙長度小約4倍。

　　確保導(dǎo)通性首先要保證墊片表面平滑、干凈并經(jīng)過必要處理以具有良好導(dǎo)電性，這些表面在接合之前必須先遮住;另外屏蔽襯墊材料對這種墊片具有持續(xù)良好的粘合性也非常重要。導(dǎo)電襯墊的可壓縮特性可以彌補(bǔ)墊片的任何不規(guī)則情況。

　　所有襯墊都有一個(gè)有效工作最小接觸電阻，設(shè)計(jì)人員可以加大對襯墊的壓縮力度以降低多個(gè)襯墊的接觸電阻，當(dāng)然這將增加密封強(qiáng)度，會(huì)使屏蔽罩變得更為彎曲。大多數(shù)襯墊在壓縮到原來厚度的30%至70%時(shí)效果比較好。因此在建議的最小接觸面范圍內(nèi)，兩個(gè)相向凹點(diǎn)之間的壓力應(yīng)足以確保襯墊和墊片之間具有良好的導(dǎo)電性。

　　另一方面，對襯墊的壓力不應(yīng)大到使襯墊處于非正常壓縮狀態(tài)，因?yàn)榇藭r(shí)會(huì)導(dǎo)致襯墊接觸失效，并可能產(chǎn)生電磁泄漏。與墊片分離的要求對于將襯墊壓縮控制在制造商建議范圍非常重要，這種設(shè)計(jì)需要確保墊片具有足夠的硬度，以免在墊片緊固件之間產(chǎn)生較大彎曲。在某些情況下，可能需要另外一些緊固件以防止外殼結(jié)構(gòu)彎曲。

　　壓縮性也是轉(zhuǎn)動(dòng)接合處的一個(gè)重要特性，如在門或插板等位置。若襯墊易于壓縮，那么屏蔽性能會(huì)隨著門的每次轉(zhuǎn)動(dòng)而下降，此時(shí)襯墊需要更高的壓縮力才能達(dá)到與新襯墊相同的屏蔽性能。在大多數(shù)情況下這不太可能做得到，因此需要一個(gè)長期EMI解決方案。

　　如果屏蔽罩或墊片由涂有導(dǎo)電層的塑料制成，則添加一個(gè)EMI襯墊不會(huì)產(chǎn)生太多問題，但是設(shè)計(jì)人員必須考慮很多襯墊在導(dǎo)電表面上都會(huì)有磨損，通常金屬襯墊的鍍層表面更易磨損。隨著時(shí)間增長這種磨損會(huì)降低襯墊接合處的屏蔽效率，并給后面的制造商帶來麻煩。

　　如果屏蔽罩或墊片結(jié)構(gòu)是金屬的，那么在噴涂拋光材料之前可加一個(gè)襯墊把墊片表面包住，只需用導(dǎo)電膜和卷帶即可。若在接合墊片的兩邊都使用卷帶，則可用機(jī)械固件對EMI襯墊進(jìn)行緊固，例如帶有塑料鉚釘或壓敏粘結(jié)劑(PSA)的“C型”襯墊。襯墊安裝在墊片的一邊，以完成對EMI的屏蔽。

　　推廣開來說，不僅僅針對高頻電路，一般系統(tǒng)都需要進(jìn)行屏蔽，這是因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)本身存在一些槽和縫隙。所需屏蔽可通過一些基本原則確定，但是理論與現(xiàn)實(shí)之間還是有差別。例如在計(jì)算某個(gè)頻率下襯墊的大小和間距時(shí)還必須考慮信號的強(qiáng)度，如同在一個(gè)設(shè)備中使用了多個(gè)處理器時(shí)的情形。表面處理及墊片設(shè)計(jì)是保持長期屏蔽以實(shí)現(xiàn)EMC性能的關(guān)鍵因素。

　　2濾波

　　濾波通常采用三種器件來實(shí)現(xiàn)：去耦電容、EMI濾波器和磁性元件。

　　2.1去耦電容

　　前面我們曾經(jīng)分析過，當(dāng)電路在很快的器件高低電平變換的時(shí)候，就會(huì)產(chǎn)生一系列的正弦諧波分量，這些正弦諧波分量就是我們所說的EMI成分，這些高頻諧波會(huì)通過和其他設(shè)備之間的耦合通道對其他設(shè)備造成電磁干擾。合理使用去耦電容就能起到很好的抑制電磁干擾的效果，實(shí)際的電容是可以等效圖3所示的模型：

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　　圖3 電容的等效模型

　　其中等效串聯(lián)電阻我們稱之為ESR，等效串聯(lián)電感我們稱之為ESL，我們可以計(jì)算出這個(gè)等效電容的諧振頻率為：

　　Fr=1/2π√LC

　　電容的濾波原理就是通過這個(gè)頻率來確定。小于諧振頻率的時(shí)，電容體現(xiàn)為容性，而當(dāng)頻率大于諧振頻率的時(shí)，電容就體現(xiàn)為感性。所以，我們在濾除較為低頻的噪聲的時(shí)候，就應(yīng)當(dāng)選擇電容值比較高的電容，想濾去頻率較高的噪聲，比如我們前面所說的EMI，則應(yīng)該選擇數(shù)值比較小的電容。所以，在實(shí)際中，我們通常放置一個(gè)1uf到10uf左右的去耦電容在每個(gè)電源輸出管腳處，來抑制低頻成分，而選取O.01uf到O.1uf左右的去耦電容來濾除高頻部分(對去耦電容的特性分析請參考第五章電源完整性分析)。 為了獲得最佳的EMI抑制效果，我們最好能在每組電源和地的引腳都能安裝一個(gè)電容，但是如果電源在流出引腳前在Ic內(nèi)部已經(jīng)放置去耦電容，那么在引腳處就不必在和每個(gè)地之間連接一個(gè)電容了.但是這樣對IC芯片的成本會(huì)相應(yīng)提高。

　　圖4是一個(gè)放置耦合電容和不放置耦合電容的EMI仿真比較：

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　　圖4 去耦電容對抑制EMI的作用

　　2.2 EMI濾波器

　　EMI濾波一般是用在對電源線的濾波，它是用來隔離電路板或者系統(tǒng)內(nèi)外的電源，它的作用是雙向的，即可以作為輸出濾波，也可以作為輸入濾波.EMI濾波器是由電感和電容組成。比較常見的幾種EMI濾波器有：穿心電容，L型濾波器，Ⅱ型濾波器，T型濾波器等。對于不同濾波器的選擇，我們通常是通過濾波器接入端的阻抗大小來決定。如果電源線兩端都為高阻，那么易選用穿心電容和Ⅱ型濾波器，但是Ⅱ型濾波器的衰減速度比穿心電容大;如果兩端阻抗相差比較大，適宜選擇L型濾波器，其中電感接入低阻如果兩端都為低阻抗，那么就選用T型濾波器。

　　2.3 磁性元件

　　磁性元件是由鐵磁材料構(gòu)成的，有來抑制EMI，最常見的磁性元件有磁珠，磁環(huán)，扁平磁夾子。磁環(huán)和磁夾子一般用在連接線上，如圖5所示。

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　　圖5 磁性元件示意圖

　　磁性元件的工作原理很簡單，就是相當(dāng)于在傳輸線上串入一電感，廠家一般會(huì)提供與圖6類似的特性圖，設(shè)計(jì)者必須根據(jù)需求來選擇相應(yīng)的磁性元件，在下圖中，線上串接一個(gè)磁性元件的插入損耗可由下面這個(gè)公式計(jì)算得出：

　　Loss(dB)=20log[(Zs+Zf+Z1)/(Zs+Z1)]

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　　圖6 磁性元件的特性圖

　　由于磁性元件并不增加線路中的直流阻抗，這使得它非常適合用在電源線上做EMI抑制器件。由于磁珠很小也很容易處理，所以有時(shí)候也把它用在信號線上作為EMI抑制器件，但是它掩蓋了問題的本質(zhì)，影響了信號的上升下降時(shí)間，除非萬不得以或者在設(shè)計(jì)的最后調(diào)試階段，一般不推薦使用。

　　3 接地

　　實(shí)際中，信號的基本接地方式有三種，浮地、單點(diǎn)接地和多點(diǎn)接地。

　　1.浮地

　　浮地就是指和公共地分開的接地。采用浮地的目的是為了將電路或者設(shè)備與公共地或可能引起環(huán)流的公共導(dǎo)線隔離開來。浮地還可以使不同電位的電路之間的配合變得簡單。由于浮地和其他公共地之間隔離開，所以，一般不會(huì)受到其他地上噪聲的影響，但是，卻容易在浮地上面形成靜電的堆積，時(shí)間長了就會(huì)形成靜電干擾。目前有種解決辦法是采用大電阻將接浮地設(shè)備和大地相連，能夠進(jìn)行靜電釋放。

　　2.單點(diǎn)接地

　　單點(diǎn)接地是指在一個(gè)電路或者設(shè)備中，只有一個(gè)物理點(diǎn)被定義接地參考點(diǎn)，電路或者設(shè)備中所以的接地信號都接到這個(gè)接地點(diǎn)，由于所有的接地信號都接到一起，由于每個(gè)信號接地的距離不一樣，很容易使接地點(diǎn)的電平不穩(wěn)定，而且，更為嚴(yán)重的一個(gè)問題是單點(diǎn)接地不適合高頻電路或者設(shè)備。因?yàn)樵诟哳l下，信號波長很小，如果接地線的長度接近λ/4的時(shí)候，接地處會(huì)形成短路，反射系數(shù)為-1，信號會(huì)反射回來，達(dá)不到接地效果，所以，對于高頻電路，我們不提倡使用單點(diǎn)接地方式而使用多點(diǎn)接地方式。

　　3.多點(diǎn)接地

　　多點(diǎn)接地是指設(shè)備或電路中的各個(gè)接地都直接接到離它最近的接地平面上，以使得各個(gè)接地線的長度遠(yuǎn)小于λ/4。多點(diǎn)接地的優(yōu)點(diǎn)是比較簡單，而且接地線上出現(xiàn)的高頻駐波現(xiàn)象明顯減少。但是多點(diǎn)接地系統(tǒng)中的地線回路對系統(tǒng)提出了跟高的要求，保證各個(gè)接地點(diǎn)之間的穩(wěn)定電平和低阻抗是必須注意的一個(gè)問題。

　　4.混合接地

　　由于單點(diǎn)接地和多點(diǎn)接地都存在各自的優(yōu)缺點(diǎn)，所以，有很多情況下，系統(tǒng)內(nèi)部將單點(diǎn)接地和多點(diǎn)接地兩種混合使用，也就是我們說的混合接地。先將電路中的所有電路接地特性進(jìn)行分析、統(tǒng)計(jì)，將那些必須多點(diǎn)接地的使用多點(diǎn)接地，而其余的進(jìn)行單點(diǎn)接地。示意圖7是一種混合接地的方式，對于直流，電容是開路的，電路是單點(diǎn)接地，對于射頻，電容是導(dǎo)通的電路是多點(diǎn)接地。

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　　圖7 混合接地示意圖

　　良好的接地能夠減緩電壓瞬變，保證良好的信號回流路徑，它是抑制EMI的一種重要手段。特別是將屏蔽和接地配合使用，這樣對于高頻下的電磁兼容性問題，往往能取到事半功倍的效果。第八章中還有對接地理論的更詳細(xì)的分析。